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公开(公告)号:KR101221789B1
公开(公告)日:2013-01-11
申请号:KR1020060136287
申请日:2006-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C2213/11 , G11C2213/55
Abstract: 본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 메모리층을 포함하는 유기 메모리 소자에 있어서, 제 1전극과 유기 메모리층 사이에 금속나노입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기 메모리 소자는 양전압 만을 사용하여 메모리 소자의 구동이 가능하므로 한 개의 다이오드와 한 개의 저항체를 포함하는 1D1R 구조에 의해 패시브 매트릭스를 구현하여 고집적, 초고속, 고용량, 저소비전력, 저가격 특성을 시현할 수 있다.
금속 필라멘트, 유기 메모리, 유기 메모리층, 금속나노입자층, 전기전도성 유기물-
公开(公告)号:KR101194839B1
公开(公告)日:2012-10-25
申请号:KR1020060019301
申请日:2006-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/785 , Y10S977/943
Abstract: 기판;
상기 기판 내부에 형성되며, 서로 이격되어 위치하는 소스 영역; 및 드레인 영역;
상기 기판 표면에 형성되어, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 연결하며, 복수개의 나노결정을 포함하는 메모리 셀;
상기 메모리 셀 상에 형성되는 제어 게이트;를 구비하며,
상기 메모리 셀이 상기 기판 상에 형성되는 제 1 터널링 산화물층; 상기 제 1 터널링 산화물층 상에 형성되는 제 2 터널링 산화물층; 및, 상기 제 2 터널링 산화물층 상에 형성되는 복수개의 나노결정을 포함하는 제어 산화물층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 메모리 소자는 정전기적 인력을 주기 위한 아미노실란기를 도입할 수 있는 친수성의 제 2 터널링 산화물층을 구비함으로써 나노결정의 단일층 배열이 가능하여 소자 특성의 제어가 가능하고 보다 향상된 소자 특성을 보여주는 메모리 소자를 제공하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号:KR101178053B1
公开(公告)日:2012-08-30
申请号:KR1020050089970
申请日:2005-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07C59/13
CPC classification number: C09K11/584 , C08K5/09 , C09K11/02 , C09K11/7731 , C09K11/7789
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 카르복실 에스테르계 분산제 및 그를 포함하는 황화물계 형광체 페이스트 조성물에 관계한다. 본 발명의 분산제는 황화물계 형광체 페이스트 조성물의 분산성을 향상시키고 용매에 의한 산화를 방지하여 그로부터 제조되는 형광막 및 표시장치의 발광특성 및 제조공정성을 향상시킨다.
[화학식 1]
상기 식에서, n은 1-20이다.
표시장치, 형광막, 분산제, 카르복실 에스테르계, 황화물계 형광체-
公开(公告)号:KR101148826B1
公开(公告)日:2012-05-25
申请号:KR1020050050493
申请日:2005-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C8/16
CPC classification number: C03C8/16
Abstract: 친수부가 산성 작용기를 포함하는 분산제; 친수부가 염기성 작용기를 포함하는 분산제; 무기 입자 및 유기 용매를 포함하는 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 혼합 분산제를 포함하는 페이스트 조성물은 분산성이 우수하여 점도가 낮으며 상기 페이스트 조성물을 사용하여 제조된 무기 소자는 충진 밀도 등의 개선이 가능하다.-
公开(公告)号:KR101138883B1
公开(公告)日:2012-05-14
申请号:KR1020060116402
申请日:2006-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A dishwasher is provided to remove dirt attached to a dirt filter effectively by installing plural lower spraying holes at a lower nozzle for spraying washing water toward a sump. A dishwasher comprises a main body(1) having a washing tub, plural baskets, and plural spraying nozzles. The plural baskets are placed at the main body to hold dishes to be washed with multi-stages. The plural spraying nozzles are installed at the ceiling and the bottom of the main body, and between the plural baskets. The plural nozzles have an upper nozzle(31) and a lower nozzle(32) rotated toward the opposite direction. The spraying nozzles are bottom spraying nozzles. The upper nozzle for jetting washing water to the one upper direction and the lower nozzle for jetting the washing water to the other upper direction are rotated by the water pressure, and has plural spraying holes(31a,32a). The lower nozzle jets the washing water to the bottom of the main body to have plural lower spraying holes.
Abstract translation: 通过在下部喷嘴处安装多个下部喷射孔以便将洗涤水喷射到集水槽,洗碗机被设置用于有效地去除附着到污物过滤器的污物。 洗碗机包括具有洗涤桶的主体(1),多个篮筐和多个喷嘴。 多个篮子放置在主体上以保持要洗涤的碗碟具有多个阶段。 多个喷嘴安装在主体的顶部和底部,以及多个篮之间。 多个喷嘴具有朝相反方向旋转的上喷嘴(31)和下喷嘴(32)。 喷嘴是底部喷嘴。 用于向上方喷射清洗水的上部喷嘴和用于向另一方向喷射清洗水的下部喷嘴通过水压而旋转,并具有多个喷射孔(31a,32a)。 下喷嘴将洗涤水喷射到主体的底部以具有多个下喷射孔。
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公开(公告)号:KR1020110138195A
公开(公告)日:2011-12-26
申请号:KR1020110059746
申请日:2011-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , B82B1/00 , H01L21/328 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/778 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/28255 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/7317 , H01L29/7613 , H01L29/78684 , Y10T428/30 , C01B32/182 , C01B2204/02
Abstract: PURPOSE: An alkali metal containing monolayer graphene and an electronic device including the same are provided to maintain the inherent characteristic of the graphene by forming high band gap in the graphene through the localization of charges based on non-chemical bonds. CONSTITUTION: Alkali metals are prepared by being selected from lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, and francium. The alkali metals are placed on at least one surface of a monolayer graphene. The alkali metals are in second dimensional thin film structure. About 30-99% of the entire surface area of the monolayer graphene is occupied by the alkali metals. The band gap of the monolayer graphene is more than or equal to 0.4eV. The area of the monolayer graphene is more than or equal to 1cm^2.
Abstract translation: 目的:提供含有碱金属的单层石墨烯及其电子装置,以通过基于非化学键的电荷定位在石墨烯中形成高带隙来维持石墨烯的固有特性。 构成:碱金属是通过选自锂,钠,钾,铷,铯和are制成的。 碱金属被放置在单层石墨烯的至少一个表面上。 碱金属处于二维薄膜结构中。 单层石墨烯的整个表面积的约30-99%被碱金属占据。 单层石墨烯的带隙大于或等于0.4eV。 单层石墨烯的面积大于或等于1cm ^ 2。
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47.
公开(公告)号:KR1020110138100A
公开(公告)日:2011-12-26
申请号:KR1020100058234
申请日:2010-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/16 , B82B3/0009 , C01B32/152 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , C01B2202/36
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing carbon nano-tubes using a fullerene based compound and the carbon nano-tubes manufactured by the same are provided to prevent the generation of impurities and easily manufacture the carbon nano-tubes by using an opened fullerene based compound as a starting material. CONSTITUTION: A method for manufacturing carbon nano-tubes using a fullerene based compound includes the following: The fullerene based compound is opened. The opened fullerene based compound is activated. In the activating process, the opened fullerene based compound is thermally treated under high temperature moisture to eliminate amorphous carbon. The thermally treated opened fullerene based compound is thermally treated without moisture in order to eliminate functional groups. Carbon nano-tubes are grown from the opened part of the opened and activated fullerene based compound.
Abstract translation: 目的:提供一种使用富勒烯类化合物和其制造的碳纳米管制造碳纳米管的方法,以防止产生杂质,并且通过使用开放的富勒烯类化合物作为碳纳米管来制造碳纳米管 起始材料 构成:使用富勒烯类化合物制造碳纳米管的方法包括以下:将富勒烯类化合物打开。 开启的富勒烯类化合物被活化。 在活化过程中,将开放的富勒烯类化合物在高温水分下热处理以除去无定形碳。 为了消除官能团,热处理的开式富勒烯类化合物被无水湿处理。 碳纳米管从开放的和活化的富勒烯类化合物的开放部分生长。
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公开(公告)号:KR1020110093453A
公开(公告)日:2011-08-18
申请号:KR1020100013508
申请日:2010-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: Y02E10/549 , G01B11/14 , G01B11/25 , G01B2210/56 , G01N21/27 , H01L27/14 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: A distance measuring sensor and a 3D image sensor employing the same are provided to implement a laminate-type image sensor capable of obtaining 3D images by using an organic material having wavelength selectivity as a photoelectric conversion area material. CONSTITUTION: A distance measuring sensor(10) comprises an organic photoelectric conversion area which changes a light into the electric signal through photoelectric effect. The organic photoelectric conversion area comprises a p-type material layer including an organic material, an n-type material layer including NTCDA, and a codeposition layer in which the compositions of the p-type and n-type material layers are codeposited.
Abstract translation: 目的:提供一种距离测量传感器和使用该距离测量传感器的3D图像传感器,以实现能够通过使用具有波长选择性的有机材料作为光电转换区域材料获得3D图像的层叠型图像传感器。 构成:距离测量传感器(10)包括通过光电效应将光改变成电信号的有机光电转换区域。 有机光电转换区包括包含有机材料的p型材料层,包含NTCDA的n型材料层和共沉积p型和n型材料层的组成的共沉积层。
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公开(公告)号:KR1020110074357A
公开(公告)日:2011-06-30
申请号:KR1020090131294
申请日:2009-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/84
Abstract: PURPOSE: A method of forming an oxide film is provided to remove an SiOC film between an SiC substrate and an SiO2 oxide film by projecting beam on an SiO2 oxide film after forming the SiO2 oxide. CONSTITUTION: In a method of forming an oxide film, an SiC substrate(110) is prepared. An SiO2 oxide film(120) is formed on the SiC substrate. The SiO2 oxide film is formed through thermal oxidation method using water and oxygen. The SiOC film(130) is formed between the SiC substrate and the SiO2 oxide film. An electron beam is researched on the SiO2 oxide film.
Abstract translation: 目的:提供形成氧化膜的方法,以在形成SiO 2氧化物之后,通过在SiO 2氧化物膜上投射光束来除去SiC衬底和SiO 2氧化物膜之间的SiOC膜。 构成:在形成氧化膜的方法中,制备SiC衬底(110)。 在SiC衬底上形成SiO 2氧化物膜(120)。 通过使用水和氧的热氧化法形成SiO 2氧化物膜。 在SiC衬底和SiO 2氧化物膜之间形成SiOC膜(130)。 研究了SiO2氧化膜的电子束。
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公开(公告)号:KR1020110061908A
公开(公告)日:2011-06-10
申请号:KR1020090118449
申请日:2009-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A transistor and flat panel display with the same are provided to include a metal atomic layer or a metal ion layer between a graphene semiconductor layer and an insulating layer, thereby enhancing electrical features. CONSTITUTION: A gate electrode, a source electrode, three terminals of a drain electrode, an insulator layer, and a semiconductor layer are installed on a substrate. A current between a source and a drain is controlled by applying a voltage to a gate electrode. The semiconductor layer includes graphene. A metal atomic layer or/and a metallic ion layer is/are placed between the semiconductor layer and the insulator layer. The metal atomic layer or the metal ion layer has a structure in which metal atoms are laminated.
Abstract translation: 目的:提供具有这样的晶体管和平板显示器,以在石墨烯半导体层和绝缘层之间包括金属原子层或金属离子层,从而增强电气特征。 构成:在基板上安装栅电极,源极电极,漏电极的三个端子,绝缘体层和半导体层。 通过向栅电极施加电压来控制源极和漏极之间的电流。 半导体层包括石墨烯。 金属原子层或/和金属离子层被放置在半导体层和绝缘体层之间。 金属原子层或金属离子层具有金属原子层叠的结构。
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