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公开(公告)号：KR1019890004441A
公开(公告)日：1989-04-22
申请号：KR1019880009968
申请日：1988-08-05
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/76 , H01L21/265
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019880008427A
公开(公告)日：1988-08-31
申请号：KR1019870013953
申请日：1987-12-08
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 아사히 가세이 가부시키가이샤 , 니세이고오교가부시끼가이샤
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR100099901B1
公开(公告)日：1996-05-27
申请号：KR1019910020651
申请日：1991-11-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/60
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公开(公告)号：KR1019960003989B1
公开(公告)日：1996-03-25
申请号：KR1019920012833
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2877 , G01R31/2849 , G01R31/2856 , G01R31/2862 , G01R31/2863 , G01R31/2884 , G01R31/309
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019960003988B1
公开(公告)日：1996-03-25
申请号：KR1019920012832
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2874 , G01R1/0458 , G01R1/0483 , G01R31/2884 , G01R31/309
Abstract: 내용 없음.
Abstract translation: 用于老化测试的老化装置包括用于容纳多个半导体器件的老化测试容器。 此外，老化装置还包括测量装置，用于通过检测内置在半导体芯片（34）中的温度传感器（38）的电特性来单独地测量各个半导体器件的半导体芯片（34）的结温;以及温度调节装置， 控制散热量和半导体芯片的导通。 控制装置（60）根据测量装置的输出来控制诸如用于控制容器的空气喷嘴的空气流量的装置的温度调节装置（52）。 因此，结温可以保持在预定的温度范围内，从而提高筛选试验的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100085166B1
公开(公告)日：1995-05-24
申请号：KR1019910001105
申请日：1991-01-23
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L23/00
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公开(公告)号：KR1019950001365B1
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019910001104
申请日：1991-01-23
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/1403 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/8014 , H01L2224/81136 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H05K1/0284 , H05K3/3436 , H05K3/4007 , Y10T29/49139 , Y10T29/53178
Abstract: A substrate (3) for packaging a semiconductor device having a bump (2) thereon according to the present invention is characterized in that the substrate (3) has an electrode terminal (5) to which the bump (2) is to be connected and a recess (4) for receiving at least a top of the bump (2) is formed in the electrode terminal (5).
Abstract translation: 根据本发明的用于封装具有凸块（2）的半导体器件的衬底（3）的特征在于，衬底（3）具有凸点（2）要连接的电极端子（5）和 在电极端子（5）中形成用于接收凸块（2）的至少顶部的凹部（4）。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR100075250B1
公开(公告)日：1994-07-11
申请号：KR1019910014294
申请日：1991-08-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 니시구찌마사노리
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR100071594B1
公开(公告)日：1994-03-08
申请号：KR1019900004924
申请日：1990-04-10
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR100068170B1
公开(公告)日：1993-12-01
申请号：KR1019910016243
申请日：1991-09-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
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