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公开(公告)号：KR1019970004987A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019960022846
申请日：1996-06-21
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H05K1/021 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H05K1/0204 , H05K1/141 , H05K1/182 , H05K3/0061 , H05K3/4092 , H05K5/0091 , H05K2201/0919 , H05K2201/10386 , H05K2201/10416 , H05K2203/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 전력증폭모듈은, 패키지기판상에장착됨과동시에배선기판에형성된관통구멍을통해노출된적어도 1개의방열기를구비하고, 이적어도 1개의방열기의표면상에는전력중폭회로를형성하는적어도 1개의반도체칩이베어칩상태로실장되어배선기판상의전자회로패턴에전기접속되어있다. 패키지기판과적어도 1개의방열기는각각배선기관의재료보다도열전도도가크 재료로이루어져있고, 이와같이형성된전력중폭모듈은해당모들에서발생된열을고효율로외부로방출하므로, 고성능·고신뢰성의전력증폭모듈을달성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930003443A
公开(公告)日：1993-02-24
申请号：KR1019920012833
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019930003333A
公开(公告)日：1993-02-24
申请号：KR1019920012199
申请日：1992-07-09
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 하시나가타쯔야
IPC: H01L23/10
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR100103366B1
公开(公告)日：1996-08-13
申请号：KR1019920012833
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
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公开(公告)号：KR100102771B1
公开(公告)日：1996-07-30
申请号：KR1019920012831
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950000100B1
公开(公告)日：1995-01-09
申请号：KR1019910002737
申请日：1991-02-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 하시나가타쯔야
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67356 , H01L21/67396
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1019920000121A
公开(公告)日：1992-01-10
申请号：KR1019910002737
申请日：1991-02-20
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 하시나가타쯔야
IPC: H01L21/68
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR1020000029425A
公开(公告)日：2000-05-25
申请号：KR1019990047666
申请日：1999-10-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/812
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor is to make the linearity of mutual conductances gm flattened throughout the wider region of a gate bias. CONSTITUTION: A field effect transistor is a MESFET(metal semiconductor field effect transistor) comprising a cap layer(17) having Schottky conjunction with a channel layer(13) and a gate electrode(20), and especially, one or more subsidiary layers are formed between the channel layer and the cap layer, a doping concentration of the one or more subsidiary layers being lower than that of the channel layer and higher than that of the cap layer. The profile of the doping concentration of the one or more subsidiary layers is set to decrease from the channel layer to the cap layer in the exponential functional form.
Abstract translation: 目的：场效应晶体管是使栅极偏置的整个较宽区域的互导线性均匀化。 构成：场效应晶体管是MESFET（金属半导体场效应晶体管），其包括与沟道层（13）和栅电极（20）肖特基结合的盖层（17），特别地，一个或多个辅助层 形成在沟道层和覆盖层之间，一个或多个辅助层的掺杂浓度低于沟道层的掺杂浓度，并且高于封装层的掺杂浓度。 一个或多个辅助层的掺杂浓度的曲线被设置为以指数函数形式从沟道层减小到覆盖层。
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公开(公告)号：KR100230894B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960022846
申请日：1996-06-21
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H05K1/021 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H05K1/0204 , H05K1/141 , H05K1/182 , H05K3/0061 , H05K3/4092 , H05K5/0091 , H05K2201/0919 , H05K2201/10386 , H05K2201/10416 , H05K2203/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 전력증폭모듈은 패키지기판상에 장착됨과 동시에 배선기판에 형성된 관통구멍을 통해 노출된 적어도 1개의 방열기를 구비하고, 이 적어도 1개의 방열기의 표면상에는 전력증폭회로를 형성하는 적어도 1개의 반도체칩이 베어칩상태로 실장되어 배선기판상의 전자회로패턴에 전기접속되어 있다. 패키지기판과 적어도 1개의 방열기는 각각 배선기판의 재료보다도 열전도도가 큰 재료로 이루어져 있고, 이와 같이 형성된 전력증폭모듈은 해당 모듈에서 발생된 열을 고효율로 외부로 방출하므로, 고성능·고신뢰성의 전력증폭모듈을 달성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960003989B1
公开(公告)日：1996-03-25
申请号：KR1019920012833
申请日：1992-07-18
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2877 , G01R31/2849 , G01R31/2856 , G01R31/2862 , G01R31/2863 , G01R31/2884 , G01R31/309
Abstract: 내용 없음.
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