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公开(公告)号：KR101583026B1
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020140146057
申请日：2014-10-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/046 , H01L31/0272 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은 CZTS계태양전지용박막의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로는 (a) 구리전구체, 아연전구체, 주석전구체및 VI족원소의전구체를함유하는 CZTS계광흡수층전구체용액을준비하는단계; (b) 상기전구체용액을기판위에 1차도포하고전열처리한후, VI족원소함유기체분위기하에서 1차열처리를수행하는단계; 및 (c) 상기열처리된전구체용액의도포층위에금속전구체용액을 2차도포한후 전열처리하여, VI족원소함유기체분위기하에서 2차열처리를수행하여 CZTS계광흡수층을제조하는단계를포함하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明包括制备含有吸收层CZTS gyegwang涉及一种制造薄膜太阳能电池基于CZTS的方法的前体溶液的步骤，更具体地，（a）一种铜前体，锌前体，锡前体和VI族元素的前体; （B）将所述第一基板的前体溶液过来，和之前的热处理下进行第一热处理，第VI族气体气氛含有元素; 和（c）包含以下步骤的处理：通过波汉热处理前热处理后的前体溶液的涂布层上的金属前体溶液进行第二后车制备CZTS gyegwang吸收层，气体气氛下VI族含元素二次热处理 它涉及。
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公开(公告)号：KR101559102B1
公开(公告)日：2015-10-13
申请号：KR1020140129970
申请日：2014-09-29
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/04
Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지를제공하며, 구체적으로는, 600 ℃내지 1100 ℃에서견딜수 있는기판상에전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의전극상에, 광흡수층을위한전구체층을형성하는단계(단계 2); 및상기단계 2의전구체층을 600 ℃내지 1100 ℃에서황화공정또는셀렌화공정을수행하여광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하되, 상기단계 2의수행전 또는수행후에 Na 첨가공정을수행하는것을특징으로하는 CZTS 박막태양전지의제조방법을제공한다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 600 ℃이상의고온에서광흡수층을형성하기때문에, 결정성이향상되고이에따라결함이제거되어개방전압과단락전류의손실을최소화할수 있는효과가있다. 나아가, 고온의공정을수행함에따라소다라임기판을사용하지않는대신 Na을첨가하는공정을포함함으로써, 광흡수층의특성향상효과를나타낼수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种CZTS薄膜太阳能电池及其制造方法。 更具体地说，该方法包括以下步骤：在能够承受600-1100℃的温度的基板上形成电极（步骤1）。 在步骤1（步骤2）中形成的电极上形成用于光吸收层的前体层; 以及在600-1100℃的温度下进行处理步骤2的前体层以形成光吸收层的硫化物或硒化物工艺（步骤3）。 在步骤2之前或之后进行Na添加处理。根据本发明的CZTS薄膜太阳能电池制造方法用于在600℃或更高的高温下形成光吸收层以提高结晶度并消除 从而使短路电流和开路电压的损失最小化。 此外，本发明进行高温处理以添加Na添加处理而不是使用钠钙基质，从而提高光吸收层的性质。
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公开(公告)号：KR101555843B1
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020130152369
申请日：2013-12-09
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09B21/00 , C07D495/04 , H01L51/50
Abstract: 본발명은신규한유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것으로서, 보다상세하게는광전변환효율이향상된유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101544040B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020130118953
申请日：2013-10-07
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09B62/016 , H01L31/042
CPC classification number: H01G9/2059 , C07D487/22 , C09B21/00 , C09B47/00 , H01G9/2031 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 본발명은신규한유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것으로서, 보다상세하게는광전변환효율이향상된유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101543555B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020130133084
申请日：2013-11-04
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본기재는신축성전극(400)을포함하는전기소자를제조하는방법으로서, 전극재료를용매에분산시켜잉크용액을준비하는단계; 잉크젯프린팅공정에의해상기잉크용액을신축성기판(100) 상에분사하여신축성전극(400)을형성하는단계를포함하는, 방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150040443A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020130118953
申请日：2013-10-07
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09B62/016 , H01L31/042
CPC classification number: H01G9/2059 , C07D487/22 , C09B21/00 , C09B47/00 , H01G9/2031 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , C09B62/016 , H01L31/042
Abstract: 본발명은신규한유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것으로서, 보다상세하게는광전변환효율이향상된유기염료화합물및 이를포함하는염료감응태양전지에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新的有机染料化合物和包含该有机染料的染料敏化太阳能电池，更具体地说涉及一种具有改进的光电转换效率的有机染料化合物和包含该有机染料敏化太阳能电池的染料敏化太阳能电池。 染料敏化太阳能电池包括形成在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和染料层。 通过控制电子流的方向使光电转换效率最大化。
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公开(公告)号：KR1020150038788A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：KR1020130116222
申请日：2013-09-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본발명은 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1);상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2);상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3);상기버퍼층상에윈도우층을형성하는단계(단계 4); 및상기윈도우층을열처리하는단계(단계 5);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법, 기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1);상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2);상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3);상기버퍼층을열처리하는단계(단계 4);상기버퍼층상에윈도우층을형성하는단계(단계 5); 및상기윈도우층을열처리하는단계(단계 6);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법및 기판에배면전극층을형성하는단계(단계 1); 상기배면전극층상에 CZTS계광흡수층을형성하는단계(단계 2); 상기 CZTS계광흡수층상에버퍼층을형성하는단계(단계 3); 및상기버퍼층을열처리하는단계(단계 4);를포함하는 CZTS계박막태양전지의제조방법을제공한다. 본발명은, 버퍼층또는윈도우층형성후 열처리를수행하거나, 버퍼층형성후 열처리및 윈도우층형성후 열처리를수행함으로써계면간의결함을최소화할수 있으며, 이를통해태양전지의광전변환효율을높일수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法。 本发明提供了一种制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法，该方法包括：在基板上形成后电极层的步骤1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 在缓冲层上形成窗口层的步骤4; 以及对窗口层进行热处理的步骤5，制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法，包括：在基板上形成后电极层的步骤1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 热处理缓冲层的工序4; 在缓冲层上形成窗口层的步骤5; 以及对窗口层进行热处理的步骤6，以及制造CZTS系薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，包括：在基板上形成背面电极层的工序1; 在后电极层上形成CZTS系吸光层的工序2; 在基于CZTS的光吸收层上形成缓冲层的步骤3; 以及对缓冲层进行热处理的工序4。 本发明的方法可以通过在形成缓冲层或窗口层之后进行热处理或在形成缓冲层之后进行热处理并且在形成窗口层之后进行热处理来最小化界面缺陷，由此改善光电转换 太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：KR101494603B1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：KR1020130031116
申请日：2013-03-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C09B57/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 염료감응 태양전지용 유기 염료 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지에 대한 것이다.
[화학식 1]
상기 화학식에서,
R
1
내지 R
3 는 각각 독립적으로 수소, C
1
-20 알킬기, C
2
-20 알케닐기 C
2
-20 알키닐기, C
2
-20 비닐기, 치환 또는 비치환된 C
6
-20 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C
2-20 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
A
1 내지 A
3 는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C
1
-20 지방족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C
1
-20 방향족 탄화수소, 치환 또는 비치환된 C
2
-20 헤테로고리이며, 이 때, A
1 내지 A
3 중 적어도 하나가 전자 끄는 기로서 수소 결합이 가능한 산성인 수소를 포함하며,
Y
1 내지 Y
3 는 각각 독립적으로 단일결합이거나, C
1
-20 알킬렌기, C
2
-20 알케닐렌기, C
2
-20 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C
6
-20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C
2
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20 의 헤테로아릴렌기며, 이 때 Y
1 내지 Y
3
중 적어도 하나가 치환 또는 비치환된 C
2-20 의 헤테로아릴렌기를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101447618B1
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020120041547
申请日：2012-04-20
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양 전지의 상대전극부에 광반사층과 전해질 산화/환원의 촉매층의 역할을 동시에 수행할 수 있는 복합 촉매층을 형성하여 제조 공정을 단순화하고 효율을 높일 수 있도록 한 광감응 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 그 구성은 광감성 염료의 흡착이 이루어지는 광전극부;상기 광전극부에 대향하여 구성되는 상대전극부;상기 광전극부 및 상대전극부의 사이에 위치하여 산화/환원 반응을 통하여 전자 전달 역할을 하는 전해질; 을 포함하고, 상기 상대전극부 상에 광반사 및 산란 그리고 전해질의 산화/환원 반응을 촉진시키는 촉매로의 역할을 동시에 수행하는 복합 촉매층이 형성되는 것이다.
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公开(公告)号：KR101413163B1
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120128542
申请日：2012-11-14
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 탄성 중합체를 이용하여 유연 기판상에 무기물 태양전지를 전사시키는 공정으로 효율적인 태양전지의 제조가 가능하도록 한 유연 무기물 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 그 구조는 유연 기판상에 형성된 후면 전극;상기 후면 전극 상에 형성되는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성되는 완충층;상기 완충층 상에 형성된 n형 물질층 및 n형 물질층에 형성된 투명전극 및 상부 금속 전극층을 포함하는 것이다.
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