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公开(公告)号：KR101031288B1
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：KR1020090091351
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 질화물 금속 구조 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 기판 상에 성장된 에피층; 상기 에피층 상에 제1 금속막, 제2 금속막, 및 산화방지막 순차로 적층되어 열처리된 마스크 정렬 키 전극; 및 상기 에피층 상에 상기 오믹 전극이 형성된 영역과 다른 영역에 제1 금속막, 제2 금속막, 산화방지막 및 저저항막이 순차로 적층되어 열처리된 오믹 전극;을 포함하는 질화물 금속 구조 및 이의 제조 방법을 제공한다.
오믹, 정렬 키
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