公开(公告)号：KR1020110098572A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100018246

申请日：2010-02-26

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  한철구

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/02293 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42312

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 질화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 베이스 기판을 마련하는 과정과, 상기 베이스 기판 상에 에피층을 형성하는 과정과, 상기 에피층 상에 정렬층을 형성하는 과정과, 소스, 드레인 및 게이트 전극이 형성될 영역이 구분되도록 상기 에피층의 일부를 제거하는 과정과, 상기 구분된 영역에 상기 소스, 드레인 전극과 상기 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 정렬층 및 상기 소스, 드레인 및 게이트 전극을 덮도록 보호층을 형성하는 과정과, 상기 소스, 드레인 게이트 전극과 연결되는 금속 배선을 형성하는 과정을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법 및 이 제조 방법에 따라 제조한 질화물 반도체 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR101031288B1

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090091351

申请日：2009-09-25

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  송홍주 ,  한철구

IPC: H01L33/40 ,  H01L21/00

Abstract: 본 발명은 질화물 금속 구조 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은, 기판 상에 성장된 에피층; 상기 에피층 상에 제1 금속막, 제2 금속막, 및 산화방지막 순차로 적층되어 열처리된 마스크 정렬 키 전극; 및 상기 에피층 상에 상기 오믹 전극이 형성된 영역과 다른 영역에 제1 금속막, 제2 금속막, 산화방지막 및 저저항막이 순차로 적층되어 열처리된 오믹 전극;을 포함하는 질화물 금속 구조 및 이의 제조 방법을 제공한다.
오믹, 정렬 키

公开(公告)号：KR100962405B1

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020080017336

申请日：2008-02-26

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 김동수 ,  유찬세 ,  한철구 ,  이우성

IPC: H03F3/20

Abstract: 본 발명은 정합회로를 구비한 전력 증폭기에 관한 것으로서, 특히 고율전율 소재의 커패시터와 세선용접(Bond Wire) 된 인덕터를 포함하는 내부 PI 정합회로를 구비한 전력 증폭기에 관한 것이다.
본 발명에 따른 내부 PI 정합 회로를 구비한 증폭기는, 2개의 고용량 커패시터 및 상기 2개의 고용량 커패시터 사이에 위치하는 인덕터로 구성되는 PI 정합회로를 2단으로 직렬연결한 2단의 내부 PI 정합회로를 포함하여 구성된다.
본 발명은 정합회로의 사이즈를 소형화할 수 있으며, 그에 따라 증폭기 패키지의 크기가 작아지는 장점이 있다. 또한 패키지 내부에 2차 고조파 제거용 LC 회로를 추가적으로 구현함으로써 전력 증폭기의 성능을 개선할 수 있다.
정합회로, Matching Network, 전력증폭기, Power Amp, LC 공진회로

公开(公告)号：KR1020090093390A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020080018893

申请日：2008-02-29

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  한철구

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/66431

Abstract: A method for manufacturing gate of semiconductor device is provided to observe easily a manufacturing state by forming firstly the leg part of T-gate. The first film(110) and the second film are formed in the upper side of an object(100). The second film is patterned and then the first film is exposed to form the first opening. The first film exposed to the first opening is removed to form the second opening. The second film is removed. Metal is deposited on the third film(130), and the second opening and the third opening(135). The first film is removed to form T-gate at the upper part of the object.

Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的栅极的方法，以便首先形成T形栅极的腿部来容易地观察制造状态。 第一膜（110）和第二膜形成在物体（100）的上侧。 将第二膜图案化，然后将第一膜暴露以形成第一开口。 暴露于第一开口的第一膜被去除以形成第二开口。 第二部电影被删除。 金属沉积在第三膜（130）上，第二开口和第三开口（135）上。 第一个胶片被去除，以在物体的上部形成T形门。

公开(公告)号：KR100912592B1

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：KR1020070095070

申请日：2007-09-19

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  한철구

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 리세스 구조를 가지는 질화물 반도체 소자를 제조함에 있어서 소스-드레인 리세스를 게이트 리세스보다 더 되도록 하여 소스, 드레인의 접촉저항을 낮추고, 게이트 리세스를 통해 normally off 특성을 확보하거나 동작속도를 향상시킬 수 있는 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터는 기판 상부의 전이층, 질화갈륨 버퍼층; 상기 질화갈륨 버퍼층 상부의 2DEG층; 상기 2DEG층 상부의 장벽층; 상기 장벽층을 식각한 부분에 존재하는 소스, 드레인 전극; 상기 소드, 드레인 전극과 접촉하는 부분보다 상기 장벽층이 더 두껍게 남도록 식각한 부분에 존재하는 게이트 전극; 및 상기 소스, 드레인 및 게이트 전극이 존재하지 않는 영역의 장벽층을 덮는 절연층을 포함함에 그 기술적 특징이 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 질화갈륨, 리세스, 장벽층, 접촉저항

公开(公告)号：KR100906690B1

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：KR1020080018880

申请日：2008-02-29

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  한철구

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462

Abstract: A semiconductor device with the field plate is provided to stabilize an electron supplying layer by connecting a field plate with the electron supplying layer. The barrier layer(120) is formed at the upper part of the electron supplying layer(100). The source electrode is formed at the upper part of the barrier layer. The gate electrode(152) is formed at the upper part of the barrier layer. The drain electrode is formed at the upper part of the barrier layer. By the applied voltage to the gate electrode, electrons moves in two dimension electron gas layer(130). The field plate(170) is electrically connected to the electron supplying layer.

Abstract translation: 提供具有场板的半导体器件，通过将场板与电子供给层连接来稳定电子供给层。 阻挡层（120）形成在电子供给层（100）的上部。 源电极形成在阻挡层的上部。 栅电极（152）形成在阻挡层的上部。 漏电极形成在阻挡层的上部。 通过施加到栅电极的电压，电子在二维电子气体层（130）中移动。 场板（170）电连接到电子供应层。

公开(公告)号：KR101558232B1

公开(公告)日：2015-10-12

申请号：KR1020130165858

申请日：2013-12-27

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 송홍주 ,  노정현 ,  한철구 ,  이준호 ,  박종환

IPC: H04N9/31 ,  H04N9/73

Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.

公开(公告)号：KR101507775B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020140041790

申请日：2014-04-08

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 송홍주 ,  이준호 ,  노정현 ,  한철구 ,  박가예

IPC: H04B10/071 ,  H04B10/40

CPC classification number: H04B10/40 ,  G02B7/02 ,  H04B10/071 ,  H04B10/25

Abstract: 본발명은광 트랜시버내장형오티디알기능을갖는오에스에이에관한것으로, 광섬유방향으로광 신호를출사(出射)시키는 OTDR송신부와; 광섬유방향으로출사하는광신호는통과시키고, 광섬유에서레일리산란에의하여후방산란된 광을수신하여광 선로의상태를판단하는 OTDR필터와; OTDR필터를통해출사되는광신호를광섬유의관로내로유입되도록광 신호를포커싱하는포커싱렌즈를포함하여구성되는것을특징으로하며, OTDR 기능을구성하는지향성커플러와포토다이오드(Photo Diode)를대신하여포토다이오드어레이와홀(PD Array) 구조를함께적용함으로써기존대비소형화, 경량화, 대량생산화에적합하고, 기존의광 통신망인프라에결합할수 있는외장형 OTDR에적용하여급격하게증가하는광선로망장애를진단하고판별하는데용의하다.

Abstract translation: 本发明涉及具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA，其包括在光纤方向发射光信号的OTDR发射器，OTDR滤波器，其通过接收散射的光来确定光线的状态 通过光纤中的瑞利散射向后，以及聚焦透镜，其聚焦光信号以将通过OTDR滤光器发射的光信号输入到光纤的管道。 本发明减小尺寸和重量并进行批量生产通过将光电二极管阵列和PD阵列结构组合在一起而不是光电二极管和定向耦合器来形成OTDR功能。 通过与现有的光通信网络基础设施相结合的外部OTDR的应用，可以容易地诊断和确定光线路网络的快速增加的障碍。

公开(公告)号：KR101154870B1

公开(公告)日：2012-06-18

申请号：KR1020100135766

申请日：2010-12-27

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 최홍구 ,  한철구

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/454 ,  H01L29/66462

Abstract: PURPOSE: A nitride type semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain distance between a source electrode and a drain electrode by forming an ohmic junction by using second ohmic metal of an aluminum group and improving surface roughness of the ohmic junction. CONSTITUTION: Nitride system epi layers(20-40) are formed on a base substrate(10). A source electrode(61) is formed on the nitride system epi layers. A drain electrode(63) separated from the source electrode is formed on the nitride system epi layers. The source electrode and the drain electrode comprise a first ohmic junction(55) and a second ohmic junction(59). The second ohmic junction covers a part of the first ohmic junction. A gate electrode is formed between the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化物型半导体器件及其制造方法，以通过使用铝基的第二欧姆金属形成欧姆结并改善欧姆结的表面粗糙度来保持源极和漏电极之间的距离。 构成：在基底（10）上形成氮化物系外延层（20-40）。 在氮化物系epi层上形成源极（61）。 在氮化物系表面层上形成与源电极分离的漏电极（63）。 源电极和漏电极包括第一欧姆结（55）和第二欧姆结（59）。 第二欧姆结覆盖第一欧姆结的一部分。 在源电极和漏电极之间形成栅电极。

公开(公告)号：KR1020120059819A

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：KR1020100121281

申请日：2010-12-01

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이준호 ,  송홍주 ,  한철구

IPC: G01N21/00

Abstract: PURPOSE: A light application sensor module is provided to eliminate noise flowing from outside by passing through only lights having wavelengths of a predetermined band. CONSTITUTION: A light application sensor module(100) comprises a polarizing part(140), a light receiving part(120), and a light emitting part(150). The polarizing part is arranged by being spaced from a sample(S) at a predetermined interval. The light receiving part is arranged by being spaced from one side of the polarizing part at a predetermined interval. The light emitting part is arranged to emit light to the sample. The polarizing part is a polarizing lens. The light emitting part emits lights to a focal distance(C) of the polarizing lens.

Abstract translation: 目的：提供一种光应用传感器模块，用于消除仅通过具有预定波段的光的外部流动的噪声。 构成：光应用传感器模块（100）包括偏振部分（140），光接收部分（120）和发光部分（150）。 偏振部件以预定间隔与样品（S）间隔开来布置。 光接收部分以预定间隔与偏振部分的一侧隔开布置。 发光部被配置为向样品发光。 偏光部是偏光透镜。 发光部分发光到偏振透镜的焦距（C）。