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公开(公告)号：KR101456238B1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：KR1020120153255
申请日：2012-12-26
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/268
Abstract: 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101456237B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020120137532
申请日：2012-11-30
Applicant: 전자부품연구원 , 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02628 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/26 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 저온 공정을 이용한 산화물 박막 제조방법 및 그 전자소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 산화물 용액을 기판 상에 코팅하는 단계와 불활성 가스 분위기 하에서 상기 코팅된 산화물 용액에 자외선 조사하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101322331B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020110050014
申请日：2011-05-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/115
Abstract: 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.
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公开(公告)号：KR1020110071982A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128730
申请日：2009-12-22
Applicant: 전자부품연구원 , 엘에스전선 주식회사
IPC: B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A dispersion method of a dry complex within a polymer resin is provided to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting by using polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin. CONSTITUTION: The dispersion method of a dry complex within a polymer resin uses polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting. The nano particle becomes a dry complex by using a high speed rotation device to the polymer particle. The melting point of the polymer particle is higher than the one of the polymer resin in a range of 5-300°C.
Abstract translation: 目的：提供聚合物树脂中的干燥络合物的分散方法，以防止在热熔融过程中由干燥络合物产生的纳米颗粒通过使用熔点高于聚合物树脂的聚合物颗粒进行洗脱 。 构成：聚合物树脂中的干燥络合物的分散方法使用熔点高于聚合物树脂的聚合物粒子，以防止在热熔融过程中由干燥络合物产生的纳米颗粒进行洗脱。 通过使用高速旋转装置将纳米颗粒变成干燥的复合物。 聚合物颗粒的熔点高于聚合物树脂的熔点在5-300℃的范围内。
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公开(公告)号：KR1020090103249A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028737
申请日：2008-03-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/107 , H01L51/0545
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to make a protective film of inorganic material excellent for blocking impurities. CONSTITUTION: An organic thin film transistor comprises a substrate(100), a buffer layer, a gate electrode(110), a gate insulating layer(120), a drain electrode(131), a source electrode(132), an organic semiconductor layer, the first protective film(150), and the second protective film. The buffer layer is formed on the substrate. The gate electrode is formed on the buffer layer. The gate insulating layer is formed on the buffer layer as surrounding the gate electrode. The drain and source electrodes are separated from each other on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，以制造阻挡杂质的无机材料的保护膜。 构成：有机薄膜晶体管包括衬底（100），缓冲层，栅电极（110），栅极绝缘层（120），漏电极（131），源电极（132），有机半导体 第一保护膜（150）和第二保护膜。 缓冲层形成在基板上。 栅电极形成在缓冲层上。 栅极绝缘层在围绕栅电极的缓冲层上形成。 漏极和源极在栅极绝缘层上彼此分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100691800B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020040114464
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 스퍼터링으로 비정질 실리콘 박막을 형성하기 때문에, 그 비정질 실리콘 박막에는 수소의 함량이 거의 없어, 탈수소화 공정을 생략하여 고분자 기판의 변형 및 비정질 실리콘 박막에서 크랙의 발생을 방지할 수 있어 소자의 특성이 우수해지는 효과가 있다.
다결정, 실리콘, 수소, 스퍼터링, 변형-
公开(公告)号：KR100651163B1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：KR1020050112237
申请日：2005-11-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
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公开(公告)号：KR100608318B1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：KR1020030044818
申请日：2003-07-03
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 ITO 나노 분말의 제조 방법에 관한 것으로, In과 Sn이 각각 포함된 유기 용액들을 만드는 제 1 단계와; 상기 In과 Sn이 각각 포함된 유기 용액들을 섞은 후, 유기 용매가 증발되도록 교반하는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후에, 유기 용매가 증발된 물질을 건조시켜 겔화된 복합화합물을 형성하는 제 3 단계와; 상기 건조되어 겔화된 복합화합물을 열처리하는 제 4 단계와; 상기 열처리된 복합화합물을 분쇄하여 IT0 나노 분말을 생성하는 제 5 단계로 구성된 ITO 나노 분말의 제조 방법로 구성된다.
따라서, 본 발명은 유기물 콜로이드를 사용함으로써, 세척/중화 등 공정을 제거하여 공정 단축 및 단가 낮출 수 있고, Cl
- 기를 배제함으로써, 공정 수행온도를 낮추고, 공정의 안정성을 향상시키며, 환경 오염 요인을 제거할 수 있는 효과를 갖는다.
ITO, 나노, 분말, 유기용액-
公开(公告)号：KR100605124B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020030067795
申请日：2003-09-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 종이 기판을 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 말거나 접을 수 있는 얇은 두께의 유연성을 가진 종이 기판으로 사용함으로써, 패널 형태를 좀 더 다양하게 변형할 수 있으며, 또한, 종이기판의 표면에 보호막을, 예컨대 파릴렌으로 이루어진 보호막을 형성함으로써 종이 자체가 가지고 있는 흡습성과, 거친 표면으로 인한 패널의 수명 및 발광 효율 등의 저하를 방지할 수 있도록 한다.
유기, 전계, 발광, 표시, 패널, 종이기판, 파릴렌, 보호막-
公开(公告)号：KR100481613B1
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：KR1020020028411
申请日：2002-05-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861 , B82Y30/00
Abstract: 본 발명은 연성 고분자 기판에 적용 가능한 박막 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명의 실시예는, 기판 위에 연성 재질의 하부 전극이 형성되고, 상기 기판과 하부 전극의 상부에 유기물질의 절연막이 도포되는 단계, 하부 전극과 대응되는 위치의 절연막의 상부 마스크가 도포되는 단계, 건식 식각을 이용하여 절연막을 패터닝(patterning)하는 단계, 하부전극의 일부 영역에 상부 전극이 형성되는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은 하부 전극과 상부 전극 사이에 절연막과 마스크를 형성한 박막 다이오드 구조로 인해 연성 고분자 기판에 적용 가능하고, 또한 하부 전극을 연성 재질로 형성하고 절연막을 유기 물질로 형성함으로써 연성 고분자 기판에 적용시 기판의 변형이나 전극의 균열이 방지될 수 있어 소자의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있는 효과를 제공하여 준다.
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