公开(公告)号：KR1019960000439B1

公开(公告)日：1996-01-06

申请号：KR1019920011096

申请日：1992-06-25

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: F02D41/14

CPC classification number: G05B5/01 ,  F02D41/14 ,  F02D41/1401 ,  F02D41/1406 ,  F02D41/18 ,  F02D2041/143 ,  F02D2041/1433 ,  F02D2200/0402

Abstract: The injection system comprises at least one intake mainfold sensor for sensing at least one ambient condition at the intake of an internal combustion engine which is indicative of the mass flow rate through the intake manifold. An exhaust sensor senses the oxygen content of the exhaust gases exiting the engine, and at least one fuel injector provides fuel to the engine. A controller is coupled to the sensors and the fuel injector, and is responsive to sensing signals from the sensors so as to calculate and control the amount of fuel to be delivered to the engine at specific time intervals. The amount of fuel delivered calculated for each time interval is based substantially on the immediately preceding time interval calculation and the signals from the sensors. The system monitors and controls air to fuel ratio for optimal performance, driveability and emission characteristics.

Abstract translation: 注射系统包括至少一个进气主折叠传感器，用于感测在内燃机的进气处的至少一个环境条件，其指示通过进气歧管的质量流量。 排气传感器感测离开发动机的废气的氧含量，并且至少一个燃料喷射器向发动机提供燃料。 控制器耦合到传感器和燃料喷射器，并响应于感测来自传感器的信号，以便以特定的时间间隔计算和控制要发送到发动机的燃料量。 每个时间间隔计算的燃料量基本上基于紧接在前的时间间隔计算和来自传感器的信号。 系统监控和控制空燃比，以获得最佳性能，驾驶性能和排放特性。

公开(公告)号：KR1019950006886A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019940006386

申请日：1994-03-29

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01H1/00

Abstract: 본 발명은 형상 기억 합금소자를 이용한 몇가지의 전기 스위치 구조를 제공한다.
전기 스위치의 제1실시예는 개폐식 스위치이며, 첫 번째 전기접속부는 첫 번째 지지부재에 설치되며, 두 번째 전기접속부는 두 번째 지지부재에 설치되고 세 번째 지지부재는 첫 번째 및 두 번째 지지부재의 사이에 위치한다.
형상 기억 합금으로 만든 와이어 소자의 양단은 세 번째 지지부재에 부착(용접)된다.
도전성 물질로 만들어진 스위치 소자는 형상 기억 합금으로 만든 와이어 소자 양단의 중간부분에 부착된다.
가열수단은 형상 기억 합금으로 만든 와이어 소자를 선택적으로 돌게 마들어줌으로써 스위치 소자가 회전하여 첫 번째 전기접속부와 두 번째 전기접속부에 접촉하게 하였다.

公开(公告)号：KR1020030067847A

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：KR1020020007326

申请日：2002-02-08

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  이승기 ,  김종팔 ,  박상준 ,  백승준 ,  김세태 ,  구치완

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a GaAs semiconductor fine structure is provided to be capable of forming a floated fine structure having a rectangular beam type by using an ammonium hydroxide based etching solution. CONSTITUTION: An etching mask pattern is formed on the upper predetermined portion of a GaAs substrate(20) or a substrate with a GaAs layer. The GaAs substrate is etched to the direction as much as the first depth by carrying out a wet or dry etching process using the etching mask pattern. Then, a floated GaAs fine structure(27) having a rectangular beam type, is formed by carrying out a specific etching process at the lower portion of the etching mask pattern. At this time, the GaAs substrate is etched by using an ammonium hydroxide based etching solution of 30Wt% NH4OH: 30Wt% H2O2: H2O = 25ml: 25ml: 450ml.

Abstract translation: 目的：提供一种制造GaAs半导体精细结构的方法，其能够通过使用基于氢氧化铵的蚀刻溶液形成具有矩形束型的浮动精细结构。 构成：在GaAs衬底（20）的上部预定部分或具有GaAs层的衬底上形成蚀刻掩模图案。 通过使用蚀刻掩模图案进行湿式或干法蚀刻工艺，将砷化镓衬底蚀刻至<001>方向与第一深度一样多。 然后，通过在蚀刻掩模图案的下部进行特定的蚀刻工艺来形成具有矩形波束类型的漂浮的GaAs精细结构（27）。 此时，通过使用30Wt％NH 4 OH：30Wt％H 2 O 2 :H 2 O = 25ml:25ml:450ml的氢氧化铵基蚀刻溶液蚀刻GaAs衬底。

公开(公告)号：KR100300002B1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：KR1019980011519

申请日：1998-04-01

Applicant: 박상준 ,  이상우 ,  조동일

Inventor： 조동일 ,  이상우 ,  박상준

IPC: C23F1/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a microstructure using single crystal silicon as a silicon substrate is provided. Whereby, the side face of a microstructure such as a moving beam and fixed beam can be formed vertically by a reactive ion etching process and the microstructure can be easily separated from the silicon substrate. CONSTITUTION: A single crystal silicon substrate is etched to the same depth as the thickness of a microstructure to be manufactured by a first reactive ion etching process, a protective film to the side surface of the patterned microstructure is vapor-deposited, the single crystal silicon substrate is etched in a vertical direction to a depth as long as the lower face of the microstructure is separated from the silicon substrate by a second reactive ion etching process and then the patterned microstructure is separated from the single crystal substrate using an alkali aqueous solution.

公开(公告)号：KR1020010073290A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：KR1020000001550

申请日：2000-01-13

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  이상우 ,  박상준 ,  이상철

IPC: H01L21/76

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04

Abstract: PURPOSE: An insulating method using a deep trench insulating film in the micro-machining technique of a single crystalline silicon is provided to insulate almost all electrodes with air by forming the electrode of an island type apart from a silicon substrate. CONSTITUTION: A trench(52) is formed on the center of an electrode(51) in single crystalline silicon substrate(50). The thickness of the trench(52) is thicker than that of the electrode(51). The trench(52) is filled with an insulating film. An etch hole(53) is formed to support the center of the electrode(51) in condition that the insulating film is fixed in the single crystalline silicon substrate(50), while separating the electrode(51) and the single crystalline silicon substrate(50). Next, an etching is performed.

Abstract translation: 目的：提供在单晶硅的微加工技术中使用深沟槽绝缘膜的绝缘方法，通过形成岛状电极与硅衬底隔离来将几乎所有电极与空气绝缘。 构成：在单晶硅衬底（50）中的电极（51）的中心形成沟槽（52）。 沟槽（52）的厚度比电极（51）的厚度厚。 沟槽（52）填充有绝缘膜。 在分离电极（51）和单晶硅衬底（50）的同时，在绝缘膜固定在单晶硅衬底（50）中的条件下，形成用于支撑电极（51）的中心的蚀刻孔（53） 50）。 接下来，进行蚀刻。

公开(公告)号：KR100267539B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019980004423

申请日：1998-02-13

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/84

Abstract: PURPOSE: A structure layer for reducing air resistance in a micro-machining system of horizontal motion and a manufacturing method thereof is provided to reduce air resistance in horizontal movement of the micro-machining system by forming a concave groove of a pocket-type in horizontal direction. CONSTITUTION: A nitride film is formed on a silicon substrate(30) in an accelerometer of comb-drive-type, and the first oxide film is formed thereon. By patterning the nitride film and the oxide film and etching of the silicon substrate(30), a concave groove(40) of a pocket-type is formed on the silicon substrate(30) in the moving direction of a motion beam(20). When the motion beam(20) moves, the groove(40) affects the increasing of the distance between the motion beam(20) and the silicon substrate(30), so that the air resistance of horizontal movement is reduced.

Abstract translation: 目的：提供一种用于降低水平运动的微加工系统中的空气阻力的结构层及其制造方法，其通过在水平方向上形成袋型的凹槽来降低微机械系统的水平运动中的空气阻力 方向。 构成：在梳状驱动型加速度计中的硅衬底（30）上形成氮化物膜，在其上形成第一氧化物膜。 通过对氮化物膜和氧化物膜进行图案化和硅衬底（30）的蚀刻，在硅衬底（30）上沿着运动光束（20）的移动方向形成凹槽凹槽（40） 。 当运动光束（20）移动时，凹槽（40）影响运动光束（20）和硅衬底（30）之间的距离的增加，使得水平移动的空气阻力减小。

公开(公告)号：KR1020000051404A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990001856

申请日：1999-01-22

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  김성욱 ,  김형진 ,  고재인

IPC: G08G1/042

CPC classification number: G08G1/042

Abstract: PURPOSE: An apparatus for detecting automotive vehicle utilizing a loop sensor is provided to accomplish improvements enabling accurate detection of low speed vehicle as well as high speed vehicle while connecting in parallel a frequency change detection unit to a phase locked loop. CONSTITUTION: An apparatus comprises a loop sensor where a resonance frequency changes in accordance with a change of inductance of loop upon passage of automotive vehicle, a phase locked loop(PLL) for detecting change of resonance frequency of the loop sensor and outputting a vehicle detection signal, a frequency change detection unit connected in parallel with the PLL, and a micro computer for judging, whether the vehicle is detected, according to an output from the PLL and the frequency change detection unit.

Abstract translation: 目的：提供一种利用环路传感器检测机动车辆的装置，以实现对频率变化检测单元并联连接到锁相环路的低速车辆以及高速车辆的精确检测的改进。 构成：一种装置，包括环路传感器，其中谐振频率根据机动车辆通过时的环路电感的变化而变化;锁相环（PLL），用于检测环路传感器的谐振频率的变化并输出车辆检测 信号，与PLL并联连接的频率变化检测单元，以及微型计算机，用于根据来自PLL和频率变化检测单元的输出来判断车辆是否被检测到。

公开(公告)号：KR1020000041802A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980057806

申请日：1998-12-23

Applicant: 고재인 ,  김성욱 ,  김형진 ,  조동일

Inventor： 조동일 ,  김성욱 ,  김형진 ,  고재인

IPC: G08G1/04

Abstract: PURPOSE: A method for sensing supersonic wave traffic is provided to adjust a supersonic wave transmission period of a supersonic wave sensor according to a temperature variation. CONSTITUTION: In a method for sensing supersonic wave traffic, in a case where a height of a sensor is h, an arrival time(t) of a supersonic wave reflected from the road surface is determined by a mathematic formula, t=(2h/(331+0.6T)), wherein T is a temperature. Since the time is varied according to the temperature(T), an emission period of the supersonic wave is set more than the time(t).

Abstract translation: 目的：提供一种用于感测超声波业务的方法，以根据温度变化调整超声波传感器的超声波传播周期。 构成：在用于感测超声波业务的方法中，在传感器的高度为h的情况下，从路面反射的超声波的到达时间（t）由数学公式确定，t =（2h / （331 + 0.6T）），其中T是温度。 由于时间根据温度（T）而变化，超声波的发射周期被设定为大于时间（t）。

公开(公告)号：KR1019990079113A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980011519

申请日：1998-04-01

Applicant: 박상준 ,  이상우 ,  조동일

Inventor： 조동일 ,  이상우 ,  박상준

IPC: C23F1/00

Abstract: 본 발명은 마이크로머시닝 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은, 실리콘 기판으로서 (111) 단결정 실리콘을 이용하고, 실리콘 기판으로부터 분리될 미세 구조물을 패터닝하는데 반응성 이온 에칭 기법을 사용하고, 실리콘 기판으로부터 분리된 미세 구조물을 분리시키는데 염기성 수용액을 이용한 선택적인 에칭 기법을 사용하는 것임을 특징으로 하는 (111) 단결정 실리콘을 이용하는 마이크로머시닝 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 마이크로머시닝 제조 방법을 이용하면, 반응성 이온 에칭에 의하여 미세 구조물의 측면을 수직으로 형성할 수 있고, 염기성 수용액을 이용한 선택적인 릴리즈 에칭에 의하여 미세 구조물을 실리콘 기판으로부터 용이하게 분리시킬 수 있을 뿐만 아니라, 반응성 이온 에칭시 에칭 깊이를 조절할 수 있으므로 미세 구조물 자체의 두께와 미세 구조물이 실리콘 기판으로부터 이격된 거리를 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990073821A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980006968

申请日：1998-03-03

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일

IPC: H01H11/00

Abstract: 본 발명은 다결정실리콘을 이용한 다중-스위치 구조층 및 그 제조 공정에 관한 것으로서, 실리콘 기판층에 요홈을 형성하여 구성한 소켓 구조, 상기 요홈에 의하여 지지되어 상하로 운동할 수 있는 다결정실리콘층의 볼 구조로 구성된 볼-소켓 조인트, 상기 볼 구조의 운동에 의하여 상기 볼 구조와 접촉하여 온/오프 상태가 결정되는 복수개의 스위치들이 서로 분리된 구조를 하고 있는 다결정실리콘층을 포함하는 것임을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 실리콘 기판층에 형성된 요홈에 의하여 지지되어 상하로 흔들리는 로킹 운동을 할 수 있는 다결정실리콘층의 볼-소켓 조인트를 포함하는 다결정실리콘 구조층의 기하학적인 특성 및 기계적인 특성을 이용하여 교차적으로 온/오프되어야 하는 복수개의 스위치들을 하나의 다중-스위치로 구현할 수 있다.