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41.发明公开나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 有权纳米印花模制造方法，使用通过该方法制造的纳米印花模具的发光二极管制造方法和发光二极管
公开(公告)号：KR1020120077209A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100139089
申请日：2010-12-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y40/00 , H01L21/302 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanoimprint mold, a method for manufacturing a light emitting diode using the same, and the light emitting diode manufactured thereby are provided to improve the efficiency of extracting the light of the light emitting diode because the possibility that the lights generated inside is emitted to outside increases. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanoimprint mold comprises following steps. Nano structures are coated on a semiconductor substrate. The nano structures comprise a nano pattern formed into the semispherical shape on the semiconductor substrate(150) through the dry etching. The nano pattern formed into the semispherical shape is transcribed into the nonaimprint mold with a nanoimprinting method. The nanoimprint mold is separated from the semiconductor substrate. At least one of the dry etching time and the sizes of the nano structures is controlled when the size of the nano pattern is controlled.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米压印模具的方法，使用该方法制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管，以提高发光二极管的光的提取效率，因为灯 内部产生的发射到外部增加。 构成：制造纳米压印模具的方法包括以下步骤。 纳米结构涂覆在半导体衬底上。 纳米结构包括通过干蚀刻在半导体衬底（150）上形成为半球形的纳米图案。 用纳米压印法将形成半球形的纳米图案转录成非印刷模具。 纳米压印模具与半导体衬底分离。 当控制纳米图案的尺寸时，控制干蚀刻时间和纳米结构尺寸中的至少一个。
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公开(公告)号：KR101568809B1
公开(公告)日：2015-11-13
申请号：KR1020110045435
申请日：2011-05-14
Applicant: 서울바이오시스 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은발광구조를갖는반도체층과, 상기반도체층상에형성된나노도트층, 접촉층, 반사층, 확산방지층및 캡핑층을구비하는오믹전극을포함하고, 상기나노도트층은상기반도체층의질소극성면상에형성되고, Ag, Al, Au 중적어도하나의물질로형성되는반도체발광소자및 이의제조방법을제공한다. 이와같은반도체발광소자에서나노도트층/접촉층/반사층/확산방지층/캡핑층을포함하는다층구조의오믹전극은질화물반도체의질소극성면에형성되고, 추가적인열처리공정을거치지않았음에도불구하고, 낮은오믹저항및 높은광 반사도를유지할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有发光结构的半导体层，具有形成在半导体层上的纳米点层的欧姆电极，接触层，反射层，扩散阻挡层和覆盖层， 本发明还提供一种在平面上形成并由Ag，Al或Au的单一材料形成的半导体发光器件及其制造方法。 在这样的半导体发光器件中，在氮化物半导体的氮极性表面上形成包括纳米点层/接触层/反射层/扩散阻挡层/覆盖层的多层欧姆电极，并且低 可以保持欧姆电阻和高光反射率。
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公开(公告)号：KR1020150027405A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130104896
申请日：2013-09-02
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 광추출 효율이 향상된 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 구조체; 상기 반도체 구조체 상에 배치된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 배치된 고분자층; 및 상기 고분자층에 그 일부가 묻힌 복수개의 광추출 요소를 포함하고, 상기 복수개의 광추출 요소들의 적어도 일부는 서로 이격된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管装置及其制造方法。 根据本发明，发光二极管器件包括：具有有源层，第一和第二导电半导体层的半导体结构; 设置在半导体结构上的透明电极; 设置在透明电极上的聚合物层; 以及多个光学提取元件，其中部分被掩埋在聚合物层上，其中多个光学提取元件的至少一部分彼此分离。
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公开(公告)号：KR1020140140166A
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020130060292
申请日：2013-05-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
Abstract: 본 발명은 금속층 및 금속 산화물층을 포함하는 투명 전극을 적용한 질화갈륨계 발광 다이오드에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 n형 질화갈륨계 반도체층, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 p형 질화갈륨계 반도체층, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층과 상기 p형 질화갈륨계 반도체층 사이에 개재된 활성층, 상기 p형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 투명전극을 포함하되, 상기 투명전극은 제1 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어지고, 상기 금속 산화물층과 외부 환경과의 계면에서 상기 금속 산화물층의 임피던스가 외부 환경의 임피던스와 매칭을 이룬다.
Abstract translation: 本发明涉及一种施加透明电极的GaN发光二极管，其包括金属层和金属氧化物层。 根据本发明的发光二极管包括衬底，位于衬底上的n型GaN半导体层，位于n型GaN半导体层上的p型GaN半导体层，活性层， 介于n型GaN半导体层和p型GaN半导体层之间以及位于p型GaN半导体层上的透明电极。 透明电极形成有多层结构，其上依次层叠有第一金属层和金属氧化物层。 金属氧化物层的阻抗与金属氧化物层和外部环境之间的界面上的外部环境的阻抗匹配。
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公开(公告)号：KR1020140126842A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130044648
申请日：2013-04-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 지지 기판이나 광학소자에 접촉층, 금속층, 금속 산화물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하고, 특히 낮은 두께에서 layer-by-layer 성장이 가능한 금속층 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, Mg 및 Ti와 같은 첨가물(도판트)에 의하여 Ag 박막이 낮은 두께에서도 도메인끼리 연결되어 높은 투과도와 함께 낮은 면저항을 갖게 되고 고성능의 투명전극을 추가적인 공정 설비 및 단계를 거치지 않아도 형성할 수 있게 되며 이를 통해 고성능 광학소자를 제작할 수 있다.Abstract translation: 本发明提供一种形成能够通过在支撑基板上依次堆叠接触层，金属层和金属氧化物层而以薄的厚度逐层生长并形成透明电极的金属层的方法 或光学装置。 根据本发明，形成了具有高性能，低表面电阻和高透光性的透明电极，而无需额外的工艺安装和步骤，即通过上层（掺杂剂）类似的薄层在薄的畴之间连接Ag薄膜 Mg和Ti。 由此，制造出具有高性能的光学装置。
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公开(公告)号：KR101397803B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020130005999
申请日：2013-01-18
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: The present invention relates to a composition for forming an ITO, a thin film forming method, a light emitting diode, and an optical semiconductor device using the same and, more specifically, to a method which coats a material which has a crystal structure such as an ITO on a substrate after adding the material to ITO sol-gel solution in a powder form and forms an electrode thereon. The present invention manufactures ITO sol-gel which contains a dopant by mixing and dissolving SnCl_2, an ethanol solution, In(NO_3), acetyl acetone, and a dopant material; forms an ITO thin film by coating the ITO sol-gel including the dopant on the substrate; and forms an n-type electrode and a p-type electrode by having the ITO thin film as a transparent electrode. According to the present invention, the ITO thin film which has a small surface resistance without the damage of a pattern shape by enabling the ITO sol-gel to easily form crystallinity around the dopant material even by a heat treatment of a low temperature by adding a material having a crystal structure like ITO to the ITO sol-gel solution.
Abstract translation: 本发明涉及用于形成ITO的组合物，薄膜形成方法，发光二极管和使用其的光学半导体器件，更具体地说，涉及一种涂覆具有如下结构的材料的方法： 在将材料以粉末形式添加到ITO溶胶 - 凝胶溶液中并在其上形成电极的基板上的ITO。 本发明通过混合和溶解SnCl_2，乙醇溶液，In（NO 3），乙酰丙酮和掺杂剂材料制造含有掺杂剂的ITO溶胶 - 凝胶; 通过在衬底上涂覆包括掺杂剂的ITO溶胶 - 凝胶来形成ITO薄膜; 并且通过使ITO薄膜作为透明电极而形成n型电极和p型电极。 根据本发明，通过使ITO溶胶 - 凝胶即使通过低温热处理也能够容易地在掺杂剂材料周围形成结晶性而具有小的表面电阻而不损害图案形状的ITO薄膜，通过添加 对ITO溶胶 - 凝胶溶液具有类似于ITO的晶体结构的材料。
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47.发明授权나노 임프린트 몰드 제조 방법, 그것에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드 및 그것을 이용한 발광 다이오드 제조 방법 有权制造纳米印花模具的方法，通过用纳米印刷模制造发光二极管的方法和方法制备的纳米印花模具
公开(公告)号：KR101364722B1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120046342
申请日：2012-05-02
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
Abstract: 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노 임프린트 몰드의 제조 방법은 베이스 상에 폴리머를 도포하고, 제1 나노 패턴을 갖는 마스터 템플릿을 이용하여 상기 제1 나노 패턴을 상기 폴리머에 임프린트하여 상기 제1 나노 패턴에 상응하는 예비 나노 패턴을 형성하고, 상기 예비 나노 패턴의 형상을 변화시켜 제2 나노 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
본 발명에 따른 나노 임프린트 몰드의 제조 방법은 예비 나노 패턴의 형상을 변화시키는 것을 포함하여 하나의 마스터 템플릿으로부터 제조된 다양한 형상의 나노 패턴을 갖는 나노 임프린트 몰드가 제공될 수 있다.
한편, 본 발명에 따라 상기 나노 임프린트 몰드를 이용하여 표면에 나노 패턴이 형성된 발광 다이오드의 제조 방법이 제공되고, 상기 나노 패턴은 상기 발광 다이오드의 내부 전반사 현상을 효율적으로 방지하여 상기 발광 다이오드의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101346802B1
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020120043115
申请日：2012-04-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
Abstract: 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광다이오드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드는, 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상에 위치하며 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 광 추출 구조체를 포함하고, 상기 광 추출 구조체는 고화 물질층을 포함함과 아울러 상부에 나노 패턴을 갖고, 상기 광 추출 구조체는 하부 영역에 비해 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 갖는다.
상기 하부 영역에 비해 상기 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 갖는 상기 광 추출 구조체에 의해 광의 소자내의 내부 전반사를 감소시킬 수 있어 발광다이오드의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드 제조 방법은 점성을 갖는 물질로부터 고화된 물질층을 포함하는 광 추출 구조체를 포함하여 단순화된 공정으로 신뢰성있는 발광다이오드를 제조하는 방법을 제공한다.-
49.发明公开나노 임프린트 몰드 제조 방법, 그것에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드 및 그것을 이용한 발광 다이오드 제조 방법 有权制造纳米印花模具的方法，通过用纳米印刷模制造发光二极管的方法和方法制备的纳米印花模具
公开(公告)号：KR1020130123148A
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020120046342
申请日：2012-05-02
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: B29C59/022 , B29C33/3842 , B29C2035/0827 , H01L33/22 , H01L2933/0091
Abstract: The present invention relates to a method of fabricating a nanoimprint mold. The method of fabricating the nanoimprint mold according to the present invention applies polymers on a base, forms a preliminary nanopattern corresponding to a first nanopattern by imprinting the first nanopattern on the polymer with a master template having the first nanopattern and forms a second nanopattern by changing the shape of the preliminary nanopattern. The method of fabricating the nanoimprint mold according to the present invention provides the nanoimprint mold having various nanopatterns manufactured from a single master template, including the change of the preliminary nanopattern shape. The present invention provides a method for fabricating a light emitting diode having a nanopattern on the surface by using the nanoimprint mold, wherein the nanopattern effectively prevents the total internal reflection of the light emitting diode, thereby improving the extraction efficiency of the light emitting diode.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造纳米压印模具的方法。 根据本发明的制造纳米压印模具的方法在基底上施加聚合物，通过用具有第一纳米图案的主模板将聚合物上的第一纳米图案压印在第一纳米图案上形成对应于第一纳米图案的初步纳米图案，并通过改变 初步纳米图案的形状。 根据本发明的制造纳米压印模具的方法提供了具有由单个主模板制造的各种纳米图案的纳米压印模具，包括初步纳米图案形状的改变。 本发明提供一种通过使用纳米压印模具制造具有表面上的纳米图案的发光二极管的方法，其中所述纳米图案有效地防止了所述发光二极管的全内反射，从而提高了所述发光二极管的提取效率。
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50.发明授权나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 有权纳米印花模制造方法，使用通过该方法制造的纳米印花模具的发光二极管制造方法和发光二极管
公开(公告)号：KR101325641B1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：KR1020110126844
申请日：2011-11-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다.
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