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公开(公告)号：KR1019930011548B1
公开(公告)日：1993-12-10
申请号：KR1019910013921
申请日：1991-08-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/002
Abstract: The absorber is mfd. by laminating the calcined Mn-Zn system ferrite (Mn0.6 Zn0.34 Fe2.61 O4) material representing 20 dB or more attenuation characteristic at 100-650 MHz and the calcined Ni-Zn system ferrite (Ni0.3 Zn0.7 Fe2 O4) material representing 20 dB or more attenuation characteristic at above 800 MHz. The total input impedance (Z) of the laminated material is as follows; Z=(Cμd1+Cμ2d2)/ (1+C2μ1ε2d1d2), where C= j (2 /&lgr;),&lgr; = wave length of free space, μ1 and μ2 are permittivity of inner and outer layer ferrites, ε1 and ε2 are magnetic permeability of inner and outer layer ferrites, d1 and d2 are thickness of inner and outer layer ferrites.
Abstract translation: 吸收器是mfd。 通过在100-650MHz处表现出20dB以上的衰减特性的煅烧的Mn-Zn系铁氧体（Mn0.6 Zn0.34Fe2.61O4）材料和煅烧的Ni-Zn系铁氧体（Ni0.3 Zn0.7Fe2 O4）材料，在800 MHz以上的衰减特性为20 dB以上。 叠层材料的总输入阻抗（Z）如下： Z =（Cμd1+Cμ2d2）/（1 +C2μ1ε2d1d2），其中C = j（2 /＆lgr;），＆lgr; =自由空间的波长，μ1和μ2是内层和外层铁素体的介电常数，ε1和ε2是内层和外层铁素体的磁导率，d1和d2是内层和外层铁氧体的厚度。
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公开(公告)号：KR100134532B1
公开(公告)日：1998-04-21
申请号：KR1019950011005
申请日：1995-05-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/468
Abstract: 본 발명은 Ba(Zn
1/3 Ta
2/3 )O3계 고주파용 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에 개발된 유전체 자기로는 유전율이 40이하이나 낮은 유전손실을 갖는 Ba(M
+21/3 M
+52/3 )O
3 (M
+2 =Mg, Zn, M
+5 =Ta, Nb)계, Ba
2 Ti
9 O
20 계 및 (Zr, Sn)TiO
4 계와, 유전손실은 비교적 크지만 (Qxf
0 10000) 유전율이 80 이상인 BaO- Sm
2 O
3 -TiO
2 계, (Ba, Pb)O-Nd
2 O
3 -TiO
2 계 및 (Pb, Ca)ZrO
3 계가 있으나, 일반적으로 유전율이 큰 재료는 유전체
내부의 쌍극자와 결함 등으로 인하여 유전손실과 공진주파수의 온도계수가 증가하게 되며, 특히 고주파용 세라믹 유전체는 우선적으로 공진주파수의 온도계수가 0±10ppm/℃ 정도로 안정하여야 응용이 가능하다.
이에 본 발명은 Ba(Zn
1/3 Ta
2/3 )O
3 조성계에 MnO
2 를 1mol%, B
2 O
3 를 2wt%까지 첨가함으로써 낮은 소결온도에서 소결조제의 휘발이 없이 대량생산이 가능함과 더불어 우수한 유전특성, 품질계수, 공진주파수 온도계수를 갖도록 한 것이다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960006238B1
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：KR1019930030635
申请日：1993-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/26
Abstract: The ferrite containing liquid phase former for low temperature sintering is used for electronic parts, EMI noise filter, chip inductor etc. The ferrite is produced by (1)calcining the ferrite powder composed of NiO, ZnO and Fe2O3 at 900deg.C for 2hr, (2)mixing V2O5 and other oxides as the liquid phase former, (3)calcining the mixed oxides for formation of stable phase or oxide solid solution at 600deg.C for 2 hr, (4)mixing the calcinted oxide solid solution powder of 1 to 10 wt.% and calcinted ferrite powder, (5)cold compacting the mixed powders to toroid type green compact, and (6)sintering the green compact at 900deg.C for 2 hr. Frictions of V2O5 and other oxides are the compositions of liqudus line between 750 and 850deg.C. The other oxides as mentioned above are ZrO2, ZnO, T2O3, SrO, SiO2, MgO, CuO, CaO, BaO and Al2O3. Sintering of this powder at low temperature is practicable and this powder does not react on Ag inner electrode. So a lot of problems such as delamination, porosity and microcrack are solved.
Abstract translation: 用于低温烧结的含铁素体的液相成形剂用于电子部件，EMI噪声滤波器，片式电感器等。铁氧体是通过（1）在900℃下煅烧由NiO，ZnO和Fe2O3组成的铁氧体粉末2小时， （2）混合V2O5和其他氧化物作为液相形成剂，（3）在600℃下煅烧形成稳定相或氧化物固溶体的混合氧化物2小时，（4）将煅烧的氧化物固溶体粉末1 至10重量％，煅烧铁素体粉末，（5）将混合粉末冷压成环状生坯，（6）将生坯在900℃烧结2小时。 V2O5和其他氧化物的摩尔比是750至850℃之间的液体组成。 如上所述的其它氧化物是ZrO 2，ZnO，T 2 O 3，SrO，SiO 2，MgO，CuO，CaO，BaO和Al 2 O 3。 该粉末在低温下烧结是可行的，该粉末不会在Ag内电极上反应。 因此解决了分层，孔隙和微裂纹等诸多问题。
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公开(公告)号：KR1019960002784B1
公开(公告)日：1996-02-26
申请号：KR1019930002083
申请日：1993-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K9/00
Abstract: The electromagnetic wave absorber is produced by forming porosities in the sintered body during the sintering of ferrite magnetic material. The obtained absorber has electromagnetic wave absorption capability in wide band, since the porosity formation in the sintered body can control impedance properties of the electromagnetic wave absorber.
Abstract translation: 在铁氧体磁性材料的烧结过程中，通过在烧结体中形成孔隙来制造电磁波吸收体。 所获得的吸收体在宽带中具有电磁波吸收能力，因为烧结体中的气孔形成可以控制电磁波吸收体的阻抗特性。
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公开(公告)号：KR1019960006131A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018288
申请日：1994-07-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01P11/00
Abstract: 본 발명은 (Li
1/2 Nd
1/2 )TiO
3 -CaTiO
3 -Ba(Zn
1/3 Nb
2/3 )O
3 계 고주파 유전체 재료에 관한 것이다. 본 발명의 고주파용 유전체 재료는 일반식 X(Li
1/2 Nd
1/2 )TiO
3 -YCaTiO
3 -ZBa(-Ba(Zn
1/3 Nb
2/3 )O
3 로 표시되는 조성계에서 0.60
x
0.9, 0.09
y
0.24 및 0.01
Z
0.16 조성으로서 일반적인 소결체 제조공정으로 제조된다. 본 발명의 고주파용 유전체 재료는 유전율이 80 이상이며, 유전손실이 작고 공진주파수의 온도계수가 Oppm/℃를 중심으로 +와 -쪽으로 필요에 따라 손쉽게 이동시킬 수 있는 장점을 지니고 있다.-
公开(公告)号：KR1019960004282A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018290
申请日：1994-07-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 주로 마이크로파를 이용한 위성통신용 수신기, 고주파용 센서, 스피드 건(speed gun)의 레이저 디텍트 등에 사용되는 (Zr,Sn)Tio
4 계 고주파용 유전체 재료에 관한 것이다. 본 발명의 고주파용 유전체 (Zr,Sn)Tio
4 계를 기본조성으로 하여 여기에 소결조제로서의 B
2 O
3 , P
2 O
5 은 소결온도를 낮추는 역할과 함께 소결도중 휘발이 발생하지 않아 균일한 유전특성을 나타내도록 하며, NiO, La
2 O
3 의 첨가로 우수한 유전특성을 나타내는 고주파용 유전체를 대량 생산 가능하게 하는 장점이 있다.
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