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公开(公告)号：KR101077547B1
公开(公告)日：2011-10-28
申请号：KR1020090057731
申请日：2009-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 본발명은태양전지를구성하는기판, 박막층등의구성층상에표면요철을형성함에있어서표면요철의형태및 그거칠기정도를제어하여적정수준의안개율을용이하게달성할수 있는태양전지및 태양전지의표면요철형성방법에관한것으로서, 본발명에따른태양전지는태양전지의구성층및 상기구성층상에요철구조로구비되며, 금속의산화, 질화, 불화, 황화중 어느한 반응또는이들의복합반응에의해형성된금속화합물층을포함하여이루어지며, 상기구성층은태양전지의기판또는태양전지를구성하는박막층인것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101052504B1
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：KR1020080119075
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/552 , G01N21/25 , G01N21/00 , G01N33/50
CPC classification number: G01N21/553
Abstract: 신호빔이 입사되어 소산장을 형성하는 광 전달부; 및 상기 형성된 소산장에 의해 표면 플라즈몬을 여기시키고, 표면 플라즈몬 공진을 일으키는 표면 플라즈몬 여기부를 포함하며, 상기 표면 플라즈몬 여기부의 금속층 사이에 유전체 층이 삽입되어 있고, 분석의 대상에 의해 표면 플라즈몬 공진 특성이 변하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공진 센서가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공진 센서를 사용하면, 날카로운 공진곡선과 국부전기장 증진효과에 의해 주변환경의 굴절율 변화, 특히 금속층 표면부에 인접한 국소환경변화에 대한 분해능이 월등히 향상됨은 물론 센서의 동적영역이 확장되고 열, 화학 및 기계적 안정성이 현저히 개선되는 이점이 있다.
표면 플라즈몬 공진 센서, 이중 금속층, 고 분해능Abstract translation: 光传输单元，用于接收信号光束以形成干燥场; 并且所形成的，并且其中通过渐逝场的表面等离振子，待分析包括，其中被物体插入的金属层，所述表面等离振子的共振特性的激发表面等离子体激元部分之间的表面等离子体激元产生表面等离子体共振，以及介电层的部分 提供表面等离子体共振传感器。
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公开(公告)号：KR100956750B1
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020080028816
申请日：2008-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 신호빔이 전파되는 광 전달부; 및 상기 광 전달부에 광학적으로 연결되어 상기 광 전달부로부터 도파모드 각도로 전파된 상기 신호빔이 입사되며, 상기 신호빔이 입사된 지점과 동일한 지점에 펌프빔이 입사되는 광도파로를 포함하되, 상기 신호빔의 파장과 상기 펌프빔의 파장은 서로 상이하며, 상기 펌프빔에 의하여 상기 광도파로의 도파모드 각도가 결정되는 광소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 및 그 작동 방법을 사용하면, 비선형 광학재료의 굴절율 변화 자체에 의존하는 광 스위칭 동작 방식을 적용하므로 공진형 나노복합체의 우수한 비선형 광학특성은 최대로 이용하면서 이에 수반되는 흡수 손실을 감소시켜 소자응답특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
광소자, 비선형, 도파로, 표면플라즈몬, 나노복합체-
公开(公告)号：KR1020090112333A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：KR1020080038154
申请日：2008-04-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/1343 , B32B15/00
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/13471 , H01L21/02554 , H01L31/1884
Abstract: PURPOSE: A transparent conducting thin film consisting of a zinc oxide and a fabricating method for the same are provided to obtain improved electric characteristics by providing a higher free charge mobility than a doped zinc oxide transparent conductive thin film. CONSTITUTION: A method for fabricating a transparent conducting thin film consisting of a zinc oxide comprises the steps of doping a halogen anionic element and a hydrogen onto a zinc oxide or doping a halogen anionic element, a hydrogen and group III cationic metal element on a zinc oxide, wherein the doped halogen anionic element is 0.05~2.5at%.
Abstract translation: 目的：提供由氧化锌组成的透明导电薄膜及其制造方法，以通过提供比掺杂的氧化锌透明导电薄膜更高的自由电荷迁移率来获得改善的电特性。 构成：用于制造由氧化锌组成的透明导电薄膜的方法包括将卤素阴离子元素和氢掺杂到氧化锌上或掺杂卤素阴离子元素，锌和III族阳离子金属元素在锌上的步骤 氧化物，其中掺杂的卤素阴离子元素为0.05〜2.5原子％。
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公开(公告)号：KR1020090102354A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020080027741
申请日：2008-03-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B7/24073 , G11B7/243
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24065 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2432
Abstract: PURPOSE: An optical recording medium having a super-resolution structure for improvement of reproduction stability and low band noise characteristic are provided to prevent degradation of reproduction characteristic resulting from the diffusion of gas which forms a bubble recording mark. CONSTITUTION: An optical recording medium having a super-resolution structure comprises a plurality of layers formed on the top of a substrate, including a recorded layer(308) and a super-resolution layer(318). The recorded layer contains a material whose decomposition temperature is higher than regeneration temperature and does not form a bubble recording mark in recording. The super-resolution layer is composed of chalcogenide semiconductor material containing one or more selected from nitrogen(N), oxygen(O), carbon(C) and boron(B).
Abstract translation: 目的：提供具有用于提高再现稳定性和低频带噪声特性的超分辨率结构的光记录介质，以防止由形成气泡记录标记的气体的扩散引起的再现特性的劣化。 构成：具有超分辨率结构的光学记录介质包括形成在衬底的顶部上的多个层，包括记录层（308）和超分辨率层（318）。 记录层包含分解温度高于再生温度并且在记录中不形成气泡记录标记的材料。 超分辨率层由含有选自氮（N），氧（O），碳（C）和硼（B））中的一种或多种的硫族化物半导体材料组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100852756B1
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020070026186
申请日：2007-03-16
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F1/35 , G02B5/20 , G02F1/3517 , G02F1/3551
Abstract: A nonlinear optical material and an optical device are provided to achieve a transmissive operation at a near infrared communication wavelength band, to increase an entire interaction length, and to improve nonlinear phase shift by increasing a size of an electric field applied into a metal layer. A transparent layer(2) receives circularly-polarized pump beams and transmits pump beams of a near infrared communication wavelength band. A metal-transparent layer multilayered structure receives each movement amount of the pump beams transmitting the transparent layer, and arranges a spin direction of free electrons to be parallel to a progress direction of light. In the metal-transparent layer multilayered structure, metal layers(1) for forming a vector magnetic field are alternatively arranged.
Abstract translation: 提供非线性光学材料和光学装置以实现近红外通信波长带的透射操作，以增加整个相互作用长度，并且通过增加施加到金属层中的电场的尺寸来改善非线性相移。 透明层（2）接收圆偏振的泵浦光束并透射近红外通信波长带的泵浦光束。 金属透明层多层结构接收透射透明层的泵浦光束的每个运动量，并且将自由电子的自旋方向排列成与光的行进方向平行。 在金属透明层多层结构中，交替布置用于形成矢量磁场的金属层（1）。
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公开(公告)号：KR1020080051061A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070122771
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/253
CPC classification number: G11B7/24 , G02F1/3523 , G11B7/252 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: A super-resolution material and a high density optical information storage medium using the same are provided to include at least one selected from a group consisting of a semiconductor material, nitrogen, oxygen, carbon, and boron. A super-resolution material for playing and recording optical information includes more than one selected from a group consisting of a semiconductor material by which light is absorbed in a wavelength range of incident light so that light transmission is increased according to heat, nitrogen, oxygen, carbon, and boron.
Abstract translation: 提供超分辨率材料和使用其的高分辨率光学信息存储介质以包括从由半导体材料，氮，氧，碳和硼组成的组中选择的至少一种。 用于播放和记录光学信息的超分辨率材料包括多个选自由在入射光的波长范围内吸收光的半导体材料组成的组，以使得透光率根据热，氮，氧， 碳和硼。
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公开(公告)号：KR100699072B1
公开(公告)日：2007-03-27
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질Abstract translation: 本发明涉及具有优异的热稳定性和化学稳定性的氧化锌基透明导电膜，
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公开(公告)号：KR1020070016203A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020050070480
申请日：2005-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2307/202 , B32B2307/412
Abstract: 본 발명은 열적 안정성 및 화학적 안정성이 우수한 산화아연계 투명 도전막에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 산화아연계 투명 도전막은 결정질 산화아연계 박막과, 상기 산화아연계 박막의 상부 또는 하부면 중 적어도 한 면 이상에 적층된 산화주석계 비정질 보호막을 포함하여 이루어지며, 상기 산화주석계 비정질 보호막은 산화아연(ZnO), 산화인듐(In
2 O
3 ), 산화카드뮴(CdO) 중 적어도 하나 이상이 산화주석(SnO
2 )과 혼합된 혼합물로 구성되고, 산화주석계 비정질 보호막 내에서 전체 금속 성분 중 상기 주석의 원자비율은 50∼90 at% 이다.
투명전극, 산화아연, 산화주석, 비정질-
公开(公告)号：KR100651657B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050056892
申请日：2005-06-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/10
Abstract: A phase change material for a high-integrated non-volatile memory is provided to reduce writing current and heat interference between cells by reducing a melting temperature and improving a crystallization temperature and by improving a joule heating characteristic and a heat radiation characteristic of a memory material. A phase change material is a substitutional solid solution that has a congruent melting composition or eutectic melting composition having a minimum melting temperature in an equilibrium state diagram or a composition in which the composition displacement of an individual constituting element has an atomic mole fraction of plus and minus 0.15 or lower with respect to the congruent melting composition of the eutectic melting composition. The phase change material is formed by adding at least one non-metal element to a base material whose melting temperature is not higher than 600 deg.C such that the non-metal element is selected from B, C, N and O. The base material has Sb-Te binary alloy as a main component and is a solid solution to which at least one element selected from Ge, Ag, In and Ga is added.
Abstract translation: 提供用于高集成度非易失性存储器的相变材料以通过降低熔化温度和改善结晶温度并通过改善存储材料的焦耳加热特性和热辐射特性来减小单元之间的写入电流和热干扰 。 相变材料是具有在平衡状态图中具有最小熔化温度的一致熔融组成或共晶熔融组成的组合物置换固体溶液，或者其中组成元素的组成置换具有正的原子摩尔分数的组合物和 相对于共晶熔融组合物的一致熔融组成，减少0.15或更低。 所述相变材料通过向熔化温度不高于600℃的基材添加至少一种非金属元素而形成，使得所述非金属元素选自B，C，N和O.所述基材 材料具有Sb-Te二元合金作为主要成分，并且是添加了选自Ge，Ag，In和Ga中的至少一种元素的固溶体。
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