公开(公告)号：KR1020100097715A

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020107014004

申请日：2007-12-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C2013/0073

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a programming method thereof are provided to increase durability by applying a reverse recovery pulse. CONSTITUTION: A phase change memory array(24) comprises a plurality of phase change memory devices. A pulse generator(22) comprises a write current pulse, an erase current pulse, and a reverse recovery current pulse for the phase change memory device of a phase change memory array. The direction of the reverse recovery pulse is opposite to the direction of the write current pulse and the erase current pulse of the phase memory device. The pulse generator includes a bidirectional pulse generator which flows a current in both directions of the phase change memory device.

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其编程方法，以通过施加反向恢复脉冲来提高耐久性。 构成：相变存储器阵列（24）包括多个相变存储器件。 脉冲发生器（22）包括用于相变存储器阵列的相变存储器件的写入电流脉冲，擦除电流脉冲和反向恢复电流脉冲。 反向恢复脉冲的方向与相位存储器件的写入电流脉冲和擦除电流脉冲的方向相反。 脉冲发生器包括在相变存储器件的两个方向上流过电流的双向脉冲发生器。

公开(公告)号：KR100961488B1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020070134376

申请日：2007-12-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이경석 ,  김원목 ,  이택성 ,  정병기 ,  변지영

IPC: G02B1/10 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/552

Abstract: 본 발명은 금속 나노복합체 코팅층 및 이의 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 나노미터 크기의 금속 입자가 광학적으로 흡수가 적은 기지상 내에 분산되어 있는 금속 나노복합체 광학 코팅층에 관한 것이다. 본 발명의 광학 코팅층은 금속 나노입자가 주변 기지상과 작용하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 일으켜 미려한 색상을 나타낼 수 있으므로 표면 장식 코팅에 유용하다.
표면 플라즈마 공진, 나노복합체 코팅, 표면 장식

公开(公告)号：KR100930079B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020080027741

申请日：2008-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황욱연 ,  김주호 ,  김중현 ,  이택성 ,  정병기 ,  이현석 ,  이수연 ,  김원목 ,  정증현

IPC: G11B7/24073 ,  G11B7/243

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: A super-resolution optical recording medium includes a reflective layer formed on a substrate, a recording layer for recording information thereon, a super-resolution layer made of a chalcogenide semiconductor material, and a first and a second dielectric layers laminated on upper and lower surfaces of the super-resolution layer. The recording layer is made of a material that has a decomposition temperature higher than an information reproduction temperature and does not form bubble recording marks during recording, and the super-resolution layer contains one or more elements selected from the group consisting of nitrogen, oxygen, carbon, and boron.

Abstract translation: 超分辨率光学记录介质包括形成在衬底上的反射层，用于在其上记录信息的记录层，由硫属化物半导体材料制成的超分辨率层以及层叠在上表面和下表面上的第一和第二介电层 的超分辨率层。 记录层由分解温度高于信息再现温度的材料制成，并且在记录期间不形成气泡记录标记，并且超分辨率层包含选自氮，氧，硫和氮的一种或多种元素。 碳和硼。

公开(公告)号：KR100682741B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050052647

申请日：2005-06-17

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이전국 ,  김원목 ,  김인호

IPC: H01L21/20

Abstract: 평판 디스플레이 등에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로 알루미늄과 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제공한다. 상대적으로 산소 안정성이 좋고 에칭 특성 개선이 예상되는 갈륨을 동시 도핑함으로써 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO) 박막의 산화반응에 의한 물성 저하 및 에칭 속도가 빠른 문제점을 개선하였다. 알루미늄이 포함된 산화아연 타겟과 갈륨이 포함된 산화아연 타겟을 경사지도록 배치하고 스퍼터링 파워를 조절하여 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절하였으며, 제조된 산화아연 박막의 전기적 특성, 경시(aging) 특성, 에칭 특성 등이 향상된 것을 확인하였다.
투명 전도성 산화물 박막, 알루미늄/갈륨 도핑된 산화아연 박막, 에칭 특성, 전기 비저항, 이동도, 캐리어 농도, 광 투과율

公开(公告)号：KR1020060058563A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097647

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  이경석

IPC: H01B1/08

Abstract: 본 발명은 가시광 영역에서의 우수한 광 투과성 및 우수한 도전성이 필요한 TFT-LCD, PDP, FED, LED, OLED와 같은 평판 디스플레이 및 태양전지에 사용되는 투명한 전극막 또는 전자기파 차폐를 위한 필터에 사용되는 투명 도전성 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주성분인 산화아연에 3족의 양이온성 금속 도핑원소와 할로겐족 음이온성 도핑원소가 동시에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막에 관한 것이다. 본 발명의 산화아연계 투명도전성 박막에 의하면 3족 양이온성 금속 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막이나 할로겐족 음이온성 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막보다 높은 이득 지수(Figure of merit, 전기전도도/광흡수계수)를 제공하는 효과를 달성한다.
투명도전산화물, 박막, 평판 디스플레이, 산화아연, 도핑.

公开(公告)号：KR1020050046460A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：KR1020030080725

申请日：2003-11-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택성 ,  이경석 ,  김원목 ,  정병기 ,  김인호

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02F1/3517 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/3521

Abstract: 본 발명은 거대 3차 비선형 광학 현상에 따르는 비선형 굴절률을 이용하는 도파로형 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도파로형 광소자는 신호빔이 전파되는 신호빔 도파로와, 펌프빔이 전파되는 펌프빔 도파로로 구성되며, 상기 펌프빔 도파로는 상기 펌프빔이 상기 신호빔 도파로에 커플링이 일어날 수 있도록 근접 배치되고, 상기 신호빔 도파로와 상기 펌프빔 도파로는 이종의 재료로 구성되고, 그리고 상기 신호빔과 상기 펌프빔은 서로 다른 파장 영역을 갖는다.
이러한 구성에 따라, 신호빔 도파로에 펌프빔이 커플링되어 신호빔이 지나가는 도파로 상에서 3차 비선형 현상을 유발시킴으로써, 광소자로서 작동이 되도록 하는 전광(all-optical) 통신 소자의 구현을 가능하게 하며, 소자의 집적화가 가능한 도파로형 광소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019960015544B1

公开(公告)日：1996-11-18

申请号：KR1019930026815

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김순광 ,  이세광 ,  김원목 ,  윤종식 ,  이면학 ,  박병완

IPC: C23C16/30

Abstract: This film for decoration provides a good wear resistance, reflection spectro-graphic property similar to pure gold, and gold color. This gold film is produced by the processes of ion plating using gold alloy in the vacuum evaporation apparatus under inert gas including nitrogen or nitrogen gas. The evaporation sources of gold are gold alloy of Au/Ti, Au/Zr, Au/Hf, and the compositions of Au/Ti, Au/Zr and Au/Hf. The gradient of the Au/nitride volume fraction increases at nearer surface of film. The ion plating apparatus includes stainless vacuum bath(1), heating device(2), tungsten filament(6) for emission of thermal electron, the source of electricity(7)(8) for filaments and heating of resistor, heating boat(9), regulator(11), vacuum pump(12), gas inlet(13), and the evaporation source of gold alloy(16).

Abstract translation: 这款装饰膜提供了良好的耐磨性，反射光谱性质与纯金相似，而且金色。 该金膜通过在含氮或氮气的惰性气体下在真空蒸发装置中使用金合金进行离子镀处理而制造。 金的蒸发源是Au / Ti，Au / Zr，Au / Hf的金合金，Au / Ti，Au / Zr和Au / Hf的组成。 Au /氮化物体积分数的梯度在膜的更靠近的表面处增加。 离子镀设备包括不锈钢真空槽（1），加热装置（2），用于发射热电子的钨丝（6），用于灯丝的电源（7）（8）和加热电阻器 ），调节器（11），真空泵（12），气体入口（13）和金合金（16）的蒸发源。

公开(公告)号：KR101919487B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020170117578

申请日：2017-09-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101909944B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020170096384

申请日：2017-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김원목 ,  정증현

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 레이저가공이용이한후면전극을가지는박막태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기박막태양전지는기판상에배치되는후면전극을포함하고, 상기후면전극은상기기판쪽계면에위치하고제1 구조를갖는제1 부분영역(first domain); 상기기판쪽계면과반대쪽에위치하고제2 구조를갖는제2 부분영역(second domain); 및상기제1 부분영역과상기제2 부분영역사이에존재하고, 상기제1 부분영역으로부터상기제2 부분영역으로향하는방향으로구조가상기제1 구조에서상기제2 구조로점진적으로변하는제1 구배부분영역(first gradient domain);을포함한다. 상기박막태양전지는박막태양전지의스크라이빙공정에서후면전극의레이저스크라이빙공정에의한가공성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101773951B1

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020160074557

申请日：2016-06-15

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  정두석 ,  이도권 ,  천시은 ,  최경진 ,  김주영

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67098 ,  H01L29/0665 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.

Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。