Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of an organic solar cell module and the organic solar cell module manufactured by the same are provided to easily integrate the organic solar cell module by forming a photoelectric conversion layer and a second electrode without a special patterning process through oblique deposition. CONSTITUTION: Multiple first electrodes (210) separated from each other are formed on a substrate (100). A separation protrusion part (300) is formed on a part of each first electrode. The separation protrusion part includes one of an ultraviolet hardener, epoxy resin or a photosensitive polymer. A photoelectric conversion layer (220) is formed on each of the first electrode. A second electrode (230) is formed on each of the photoelectric conversion layer.
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PURPOSE: A photovoltaic module with a light emitting device is provided to shorten a process time by simultaneously forming a solar cell and the light emitting device on one substrate. CONSTITUTION: A first electrode(210) is formed on a substrate(100). A photoelectric conversion layer(230) converts incident light into electric energy. A common electrode(400) is formed on the photoelectric conversion layer. A light emitting layer(320) emits light by converting the electric energy generated in the photoelectric conversion layer into light energy. A second electrode(340) is formed on the light emitting layer.
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본 발명은 투명 디스플레이 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 투명 유기 발광 다이오드를 이용한 투명 디스플레이 장치의 시인성을 향상시키는 것이 가능한 투명 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명은 투명 재질로 형성된 소자를 이용해 영상을 디스플레이하는 영상 표시부; 및 상기 영상 표시부 하부에 결합되는 블라인드 패널을 포함하고, 상기 블라인드 패널은 상기 영상 표시부를 통과한 후 상기 블라인드 패널 측으로 조사되는 광 중 가시광 대역의 광을 투과시키거나 또는 상기 영상 표시부 측으로 반사시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 영상 표시부 하부에 콜레스테릭 액정 기반의 블라인드 패널을 결합하여 가시광 대역의 광을 선택적으로 투과 또는 반사시킴으로써 영상 표시부와 주변 배경과의 이미지 중첩을 방지하고 영상 표시부 측으로 조사되는 광량을 늘리므로 투명 디스플레이 장치의 시인성 향상이 가능한 효과를 갖는다.
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PURPOSE: An organic light emitting device and a display device including the same are provided to improve the transmittance and electric conductivity of a metal thin film by forming a thin film forming active layer on the lower side of a metal thin film. CONSTITUTION: A first electrode(120) is formed on a substrate(110). An organic light emitting layer(130) is formed on the first electrode. A thin film forming active layer(140) is formed on the organic light emitting layer. A metal thin film(150) that is a second electrode is formed on the thin film forming active layer. The thin film forming active layer improves the transmittance and electric conductivity of the metal thin film.
Abstract:
본 발명은 유기 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전하이동도가 높은 n형 유기 반도체와 p형 금속 산화물 반도체를 이용하여 저전압에서 동작 가능하며 높은 순방향 전류와 낮은 역방향 전류 특성을 갖도록 한 유기 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층, 및 상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전하의 이동 방향이 기판에 대하여 수직 방향인 MIM 구조를 가지면서도 종래의 유기 다이오드와 비교시에 높은 순방향 전류와 매우 낮은 역방향 전류를 갖는 것이 가능한 효과를 갖는다.
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휨 특성이 뛰어난 투명 전도막, 및 그것을 이용한 투명 전극 및 유기 전자 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 투명 전도막은, 기판; 상기 기판 상에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 위에 적층된 제1 절연체/반도체 층; 상기 절연체 또는 반도체 층 위에 적층된 금속 박막 층; 및 상기 금속 박막 층 위에 적층된 제2 절연체/반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 투명 전도막, 투명 전극, 휨 특성, 기판, 평탄화, 절연체, 반도체
Abstract:
태양전지를 구비한 투명 유기발광다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기발광다이오드 디스플레이 장치는 투명 유기발광다이오드(OLED) 디스플레이 및 구동 회로를 포함하는 디스플레이부; 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이 직하단에 형성되어, 빛을 전기로 변환시켜 기기의 전력을 보조하는 태양전지; 및 상기 투명 유기발광다이오드 디스플레이와 상기 태양전지 사이에 형성되어 절연 기능을 수행하고, 상기 태양전지 상부에 도달하는 빛의 투과도를 조절하는 투명 중간층을 포함할 수 있으며, 상기 투명 중간층은 다층 구조로 형성되거나 상기 빛의 투과도를 전기적으로 조절할 수 있는 투과도 조절 소자를 포함할 수 있다. 투명 유기발광다이오드(OLED), 투명 중간층, 태양전지, 디스플레이
Abstract:
PURPOSE: A transparent conductive layer, a transparent electrode thereof, and an organic electronic device thereof are provided to remarkably improve a light transmittance property by using a multilayer thin film structure which includes a metal thin film layer. CONSTITUTION: A planarization layer(20) is formed on a substrate(10). The planarization layer planarizes the surface of the substrate. A first insulator/semiconductor layer(30) is formed on the planarization layer. A metal thin film layer(40) is formed on the first insulator/semiconductor layer. A second insulator/semiconductor layer(50) is formed on the metal thin film layer.
Abstract:
산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조를 개시한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판상에 다결정 또는 비정질 산화티타늄을 이용하여 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 절연막을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 제조 방법은 기판을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 다결정 내지 비정질의 산화티타늄을 이용하여 활성층을 형성하는 단계, 및 상기 활성층 상에 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 이를 통해, 본 발명은 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 저비용으로 제조가 가능하고, 환경 문제가 적으며, 특정 유형의 전자 기기에 널리 적용될 수 있는 효과가 있다. 박막 트랜지스터, 활성층, 산화티타늄, MISFET, MESFET, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, MOxTFT