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公开(公告)号：WO2014027854A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/007375
申请日：2013-08-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD形成介电层的方法。 根据本发明，使用iCVD在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以通过单体的链聚合形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。 根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且显示非常低的漏电流 在各种厚度下，通过高介电常数具有显着的电性能，并且器件的制造成品率高。 此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。
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公开(公告)号：KR101363255B1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020110140896
申请日：2011-12-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/05 , H01L29/786
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조방법은 게이트상에 형성된 베이스 게이트 유전층; 상기 베이스 게이트 유전층 상에 위치한 소수성층을 사이에 두고 상기 베이스 게이트 유전층 상에 형성된 소스 및 드레인; 및 상기 소스 및 드레인, 그리고 상기 소수성층 상에 형성된 유기 반도체층을 포함하며, 상기 베이스 게이트 유전층과 상기 소수성층은 이층형 게이트 유전층을 구성한다.
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公开(公告)号：KR1020110097113A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016768
申请日：2010-02-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0587 , H01L51/102
Abstract: 본 발명은 유기 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전하이동도가 높은 n형 유기 반도체와 p형 금속 산화물 반도체를 이용하여 저전압에서 동작 가능하며 높은 순방향 전류와 낮은 역방향 전류 특성을 갖도록 한 유기 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층, 및 상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전하의 이동 방향이 기판에 대하여 수직 방향인 MIM 구조를 가지면서도 종래의 유기 다이오드와 비교시에 높은 순방향 전류와 매우 낮은 역방향 전류를 갖는 것이 가능한 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020140023114A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120089899
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: The present invention relates to a method for forming an insulating film using an iCVD process. More specifically, a method for manufacture an insulating film in an organic thin film transistor according to the present invention comprises the steps of forming a free radical by pyrolyzing an initiator by heat injected in the organic thin film transistor; using the free radical to activate a monomer and chain polymerization reacting the monomer to form a polymer; and depositing the polymer in the organic thin film transistor to form a polymeric insulating film. According to the present invention, the iCVD process has effects of resolving a weakness of narrowing the manufacturing width of the insulating film manufactured in a PECVD process or a CVD process, allowing uniform deposition relatively to the existing process and having an excellent electric characteristic and a high manufacturing yield of an element through a high insulating rate by showing very low leakage currents in various thicknesses. Furthermore, the present invention can deposit the targeted polymeric insulating film by the monomer and the initiator under weather condition without using a solvent, in particular, an organic solvent, thereby preventing a deposition medium from being damaged due to the solvent. [Reference numerals] (S200) Step of supplying a monomer and an initiator; (S210) Step of injecting heat; (S220) Step of forming a free radical; (S230) Step of forming a polymer; (S240) Step of forming a polymeric insulating film
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD工艺形成绝缘膜的方法。 更具体地，根据本发明的有机薄膜晶体管中的绝缘膜的制造方法包括以下步骤：通过在有机薄膜晶体管中注入的热量将引发剂热解而形成自由基; 使用自由基来活化单体和使单体反应的链聚合反应形成聚合物; 并将聚合物沉积在有机薄膜晶体管中以形成聚合物绝缘膜。 根据本发明，iCVD工艺具有解决在PECVD工艺或CVD工艺中制造的绝缘膜的制造宽度变窄的弱点的效果，允许相对于现有工艺均匀沉积并且具有优异的电特性和 通过显示出各种厚度的非常低的漏电流，通过高绝缘速率的元件的高制造产量。 此外，本发明可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的情况下，通过单体和引发剂在目标条件下沉积目标聚合物绝缘膜，从而防止沉积介质被溶剂损坏。 （S200）供给单体和引发剂的工序; （S210）注入热量的步骤 （S220）形成自由基的工序; （S230）形成聚合物的工序; （S240）形成聚合物绝缘膜的工序
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102051209B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020180027642
申请日：2018-03-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/788 , H01L27/11524
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公开(公告)号：KR101716851B1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150163401
申请日：2015-11-20
Abstract: 용액재료를이용한미세패턴제조방법에서, 베이스기판상에친수성막및 소수성막을포함하는제1 층을형성한다. 베이스몰드상에제1 패턴을형성하여임프린팅몰드를제작한다. 상기제1 패턴을포함한임프린팅몰드로상기제1 층을패터닝한다. 상기패터닝으로제2 패턴이형성된상기기판상에용액을도포한다. 상기도포된용액을건조한다.
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公开(公告)号：KR101370305B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020110140897
申请日：2011-12-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 본 발명의 박막 전자소자는 기판, 상기 기판상에 위치하는 소수성 패턴, 상기 기판상에 위치하고, 제1박막층 및 제2박막층을 포함하는 자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 전극, 및 상기 전극상에 위치하는 반도체층을 포함하고, 상기 자기 정렬형 다층 박막은: 선택적 젖음 현상을 통해 상기 소수성 패턴이 형성된 상기 기판상의 친수성 표면에만 상기 제1박막층을 형성하는 단계; 및 선택적 젖음 현상을 통해 상기 제1박막층 상에 제2박막층을 형성하는 단계를 통하여 제조되고, 상기 제1박막층의 전기 전도성이 상기 제2박막층의 전기 전도성보다 높고 그리고 상기 제2박막층의 전자 또는 정공 주입 능력이 상기 제1박막층의 전자 또는 정공 주입 능력보다 높다.
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公开(公告)号：KR102031825B1
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：KR1020180027089
申请日：2018-03-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , C09D175/14 , C09D167/06 , C09D4/06 , C09D171/00 , C09D7/40
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公开(公告)号：KR101401601B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120089899
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
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