公开(公告)号：KR1020110097113A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100016768

申请日：2010-02-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유승협 ,  임동모 ,  문한얼

IPC: H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0587 ,  H01L51/102

Abstract: 본 발명은 유기 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전하이동도가 높은 n형 유기 반도체와 p형 금속 산화물 반도체를 이용하여 저전압에서 동작 가능하며 높은 순방향 전류와 낮은 역방향 전류 특성을 갖도록 한 유기 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층, 및 상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전하의 이동 방향이 기판에 대하여 수직 방향인 MIM 구조를 가지면서도 종래의 유기 다이오드와 비교시에 높은 순방향 전류와 매우 낮은 역방향 전류를 갖는 것이 가능한 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR101087702B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020100016768

申请日：2010-02-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유승협 ,  임동모 ,  문한얼

IPC: H01L51/54

Abstract: 본 발명은 유기 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게는 전하이동도가 높은 n형 유기 반도체와 p형 금속 산화물 반도체를 이용하여 저전압에서 동작 가능하며 높은 순방향 전류와 낮은 역방향 전류 특성을 갖도록 한 유기 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 형성되며 풀러린(Fullerene)을 포함하는 전자 수송층, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 상기 전자 수송층과 정류 접합이 이루어지는 제1 전극층, 및 상기 전자 수송층 상부에 형성되며 상기 전자 수송층과 오믹(Ohmic) 접합이 이루어지는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전하의 이동 방향이 기판에 대하여 수직 방향인 MIM 구조를 가지면서도 종래의 유기 다이오드와 비교시에 높은 순방향 전류와 매우 낮은 역방향 전류를 갖는 것이 가능한 효과를 갖는다.