-
1.发明专利
公开(公告)号：KR102233750B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140078173A
申请日：2014-06-25
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
-
2.发明专利
公开(公告)号：KR20210027220A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020200111756A
申请日：2020-09-02
CPC classification number: A61B5/6821 , A61B3/10 , A61B5/398 , G02C7/04 , A61B2562/12 , A61B2562/16
Abstract: 본 발명은 망막 전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈로서, 광원; 상기 광원으로부터의 빛을 산란하는 산란 물질; 및 상기 광원으로부터의 자극에 의한 망막 전위도 변화를 측정하기 위한 전극;을 포함하는 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：WO2021045509A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/KR2020/011793
申请日：2020-09-02
Abstract: 본 명세서는 망막 전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈로서, 광원; 상기 광원으로부터의 빛을 산란하는 산란 물질; 및 상기 광원으로부터의 자극에 의한 망막 전위도 변화를 측정하기 위한 전극;을 포함하는 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：WO2021091008A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/KR2019/016755
申请日：2019-11-29
IPC: A61M21/00 , A61B5/0484 , A61N5/06
Abstract: 가시광선을 이용하여 감마 대역의 뇌파를 활성화하는 방법 및 이를 위한 시각 자극 제공 장치가 제공된다. 이 방법은 소정의 주파수를 가지는 점멸 빛 자극(Flickering Light Stimulus, FLS)을 통하여 인간의 최소한 하나의 뇌 영역에서 동기화된 감마 진동을 유도하고, 상기 점멸 빛 자극(FLS)은, 적어도 하나의 가시광원을 통하여 제공되고, 자극 시간, 파장, 주파수 및 빛 세기 중 적어도 하나의 빛 신경 변조(photobiomodulation) 조건을 가질 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2013073769A1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/KR2012/007159
申请日：2012-09-06
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/072 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명에 따르면, 경사 증착을 이용하여 광전변환층의 나노 구조 상에 전극을 나노미터 단위의 간격으로 형성할 수 있으며, 이에 따라 전자, 정공 이동도가 낮은 태양전지에 대해서도 후면 전극형 구조를 적용할 수 있게 된다. 또한, 후면 전극형 구조를 사용하기 때문에 투명 전극의 필요가 없어지게 되며, 이에 따라 박막 태양전지에서의 단위 셀의 크기 제한이 제거되고 사 영역이 사라지게 된다. 투명 전극의 필요를 없앰으로써 태양전지의 제조 단가를 절감할 수 있고, 사 영역 감소로 태양전지의 효율이 향상될 수 있다. 또한, 결정질 실리콘 외의 태양전지에도 후면 전극형 구조가 적용될 수 있기 때문에, 실리콘 잉곳으로 인한 크기 제한을 없앨 수 있고, 이에 따라 대면적화된 후면 전극형 태양전지가 얻어질 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，通过使用斜角沉积，可以在光电转换层的纳米结构上形成电极，其能够即使在具有低电子和空穴迁移率的太阳能电池上也可以应用后电极型结构。 此外，由于背面型结构，透明电极变得不必要，这消除了单元电池尺寸的限制和薄膜太阳能电池中的死区。 通过不需要透明电极，可以降低太阳能电池的制造成本，并且减小死区可以提高太阳能电池的效率。 此外，后电极型结构可以应用于除了晶体硅太阳能电池之外的太阳能电池，从而消除由于硅锭引起的尺寸的限制，从而获得具有大表面积的背面电极型太阳能电池。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014027854A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/007375
申请日：2013-08-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD形成介电层的方法。 根据本发明，使用iCVD在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以通过单体的链聚合形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。 根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且显示非常低的漏电流 在各种厚度下，通过高介电常数具有显着的电性能，并且器件的制造成品率高。 此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。
-
-
公开(公告)号：KR102031825B1
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：KR1020180027089
申请日：2018-03-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , C09D175/14 , C09D167/06 , C09D4/06 , C09D171/00 , C09D7/40
-
公开(公告)号：KR1020150095164A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140078173
申请日：2014-06-25
IPC: H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用气相印刷法形成金属氧化物薄膜的方法和金属氧化物薄膜印刷装置。 形成金属氧化物薄膜的方法包括：蒸发第一金属氧化物前体; 通过使用第一载气将蒸发的第一金属氧化物前体引入混合室; 通过将第一金属氧化物前体通过连接到混合室的底部的微型喷嘴注入到基板上而在基板上形成第一金属氧化物前体层; 以及通过用电磁波照射所述第一金属氧化物前体层来形成第一金属氧化物层。
-
公开(公告)号：KR101448084B1
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020080043644
申请日：2008-05-09
Applicant: 주성엔지니어링(주) , 한국과학기술원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 화학 증착법으로 제작된 금속 산화물 활성층과, 상기 금속 산화물 활성층에 적어도 일부가 중첩된 게이트 전극과, 적어도 상기 금속 산화물 활성층과 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연막 및 적어도 그 일부가 상기 금속 산화물 활성층에 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 이의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같이 금속 산화물 박막을 화학 증착법으로 제작하여 공정을 단순화시킬 수 있고, 생산성 향상은 물론 생산 비용을 절감시킬 수 있으며, 금속 산화물 박막 상에 오믹 접촉층을 형성하여 금속 산화물 박막의 막질 변화를 방지하고, 소스 및 드레인 전극과의 접촉 면저항을 줄일 수 있다.
금속 산화물, 활성층, 오믹 접촉층, 박막 트랜지스터, 전구체
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
80
records
(took 0.021 seconds)
