고밀도 나노패턴 형성방법
    41.
    发明公开
    고밀도 나노패턴 형성방법 有权
    用于制备具有高密度的纳米图案的方法

    公开(公告)号:KR1020130090708A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:KR1020120012040

    申请日:2012-02-06

    CPC classification number: G03F7/0002 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A formation method of a high density nanopattern is provided to form a nanopattern which has minute line width with the high density through repeated process by reusing an imprinting stamp which is finally manufactured after a step of forming the nanopattern. CONSTITUTION: A formation method of a high density nanopattern comprises the following steps. Multiple convex portions (131) which are protruded from a substrate (110) are formed. Multiple nanopatterns which are deposited in both wall sides of the multiple convex portions and installed to be separated to each other are formed. An imprinting stamp (S) which has a depressed pattern which corresponds to the nanopattern is manufactured by having the substrate in which the nanopattern is formed as the mold. A separation distance between the neighboring dent patterns is reduced by increasing the width of dent pattern which is formed on the imprinting stamp. The high density nanopattern is formed by re-performing the step of forming the convex portions and the step of forming the nanopattern with the imprinting stamp in which the dent pattern is controlled.

    Abstract translation: 目的:提供高密度纳米图案的形成方法,通过重复使用最终在形成纳米图案的步骤后制造的印记印模,通过重复处理形成具有高密度的细线宽度的纳米图案。 构成:高密度纳米图案的形成方法包括以下步骤。 形成从基板(110)突出的多个凸部(131)。 形成沉积在多个凸部的两个壁侧并被安装成彼此分离的多个纳米图案。 通过使具有形成有纳米图案的基板作为模具来制造具有与纳米图案相对应的凹陷图案的印记印模(S)。 通过增加形成在压印印模上的凹痕图案的宽度来减小相邻凹痕图案之间的间隔距离。 高密度纳米图案通过重新进行形成凸部的步骤和形成具有凹痕图案被控制的印记印模的纳米图案的步骤而形成。

    나노 금속패턴 형성방법
    42.
    发明公开
    나노 금속패턴 형성방법 有权
    制作纳米金属图案的方法

    公开(公告)号:KR1020130087237A

    公开(公告)日:2013-08-06

    申请号:KR1020120008386

    申请日:2012-01-27

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a nano metal pattern is provided to easily form a uniform recessed metal pattern by a planarization process to remove a protrusive pattern. CONSTITUTION: A substrate is preprocessed (S110). An imprinting resist is laminated on the substrate (S120). A thin film is laminated on the imprinting resist (S130). A first pattern and a second pattern are alternatively formed by patterning the imprinting resist with an imprinting stamp (S140). The first pattern is more protrusive than the second pattern. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Finish; (S110) Preprocess; (S120) Imprinting resist is laminated; (S130) Thin film is laminated; (S140) Imprinting

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成纳米金属图案的方法,以通过平坦化处理容易地形成均匀的凹入金属图案以去除突出图案。 构成:对基底进行预处理(S110)。 在基板上层压抗蚀剂(S120)。 在印刷抗蚀剂上层压薄膜(S130)。 通过用压印印模图案化印刷抗蚀剂,交替形成第一图案和第二图案(S140)。 第一种模式比第二种模式更突出。 (附图标记)(AA)开始; (BB)完成; (S110)预处理; (S120)层压抗蚀剂; (S130)层压薄膜; (S140)压印

    사이드 본딩에 의한 대면적 나노템플레이트 제작 방법
    43.
    发明授权
    사이드 본딩에 의한 대면적 나노템플레이트 제작 방법 有权
    使用侧面接合制造大面积纳米片的方法

    公开(公告)号:KR101284113B1

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:KR1020110003659

    申请日:2011-01-13

    Abstract: 본 발명은 복수 개의 유닛 스탬프를 사이드 본딩하여 대면적 나노템플레이트를 제작함으로써 특히 디스플레이용 기판에 나노임프린트 기술을 적용함에 있어서 공정의 양산성을 향상시킬 수 있도록 하는 사이드 본딩에 의한 대면적 나노템플레이트 제작 방법에 관한 것으로, 패턴면에 대향하는 면에서 다이싱되는 복수 개의 유닛 스탬프를 제작하는 준비단계; 상기 복수 개의 유닛 스탬프를 패턴면이 하방을 향하도록 기판상에 배치하고 옆면이 맞닿게 정렬하는 정렬단계; 상기 패턴면을 진공펌핑하여 기판의 판면에 형성되는 다수의 관통공을 통하여 유닛 스탬프가 기판에 흡착되도록 하는 흡착단계; 상기 유닛 스탬프들 사이의 홈에 본딩용 레진을 주입하고 경화시켜 유닛 스탬프를 접합하는 본딩단계; 사이드 본딩된 스탬프에 대해 폴리머 복제하여 대면적 템플레이트를 완성하는 복제단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    미세 패턴을 가지는 세라믹 템플릿의 제조 방법
    44.
    发明授权
    미세 패턴을 가지는 세라믹 템플릿의 제조 방법 有权
    具有精细图案的陶瓷模板的制造方法

    公开(公告)号:KR101235360B1

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:KR1020100130785

    申请日:2010-12-20

    CPC classification number: B32B3/30 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F7/0002 G03F7/165

    Abstract: 미세 패턴을 가지는 세라믹 템플릿의 제조 방법이 개시된다. 세라믹 템플릿의 제조 방법은 돌출부를 포함하는 유연 몰드를 제조하는 단계와, 기판 상에 금속-유기물 전구체 용액을 도포하여 코팅층을 형성하고, 유연 몰드로 코팅층을 가압한 상태에서 코팅층을 경화시킨 후 유연 몰드를 제거하여 제1 오목부를 포함하는 금속산화물 패턴을 형성하는 단계와, 적어도 2개의 반복 단위로 이루어진 블록 공중합체를 포함하는 블록 공중합체 코팅층을 제1 오목부에 채우는 단계와, 블록 공중합체 코팅층을 소결하여 반복 단위들을 미세 상 분리시킴으로써 복수의 고분자 블록으로 이루어진 자기 조립 구조를 형성하는 단계와, 복수의 고분자 블록 중 일부의 고분자 블록을 제거하여 제2 오목부를 포함하는 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

    그래핀 패턴 형성방법 및 이를 이용하는 전계효과 트랜지스터 제작방법
    45.
    发明授权
    그래핀 패턴 형성방법 및 이를 이용하는 전계효과 트랜지스터 제작방법 失效
    用于制造石墨图案的方法和使用其制造场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:KR101228992B1

    公开(公告)日:2013-02-01

    申请号:KR1020120075652

    申请日:2012-07-11

    CPC classification number: H01L29/1606 C01B32/194

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene pattern and a method for manufacturing a field effect transistor using the same are provided to improve a semiconductor property by using a physical process method. CONSTITUTION: A flexible support layer made of polymeric materials is laminated on a substrate(S110). A graphene layer is laminated on the flexible support layer(S120). The stamp in contact with the graphene is pressurized(S130). The stamp is released from a graphene pattern(S140). An insulation layer is laminated on a part of the upper side of the graphene pattern. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Support layer lamination step; (S120) Graphene layer lamination step; (S130) Pressurization step; (S140) Release step

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成石墨烯图案的方法和使用其制造场效应晶体管的方法,以通过使用物理处理方法来改善半导体特性。 构成:将由聚合材料制成的柔性支撑层层合在基板上(S110)。 在柔性支撑层上层压石墨烯层(S120)。 与石墨烯接触的印模被加压(S130)。 邮票从石墨烯图案中释放(S140)。 绝缘层层叠在石墨烯图案的上侧的一部分上。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S110)支撑层层压步骤; (S120)石墨烯层层压步骤; (S130)加压工序; (S140)释放步骤

    플라즈모닉 메타표면 제작방법

    公开(公告)号:KR1020180066308A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:KR1020160165806

    申请日:2016-12-07

    CPC classification number: G02B5/008 C09K13/00 C23F1/02 C23F1/12

    Abstract: 본발명은대면적제작및 롤스탬프를이용한연속공정이가능하며, 식각공정을거치지않고메타표면을구현할수 있는전사공정을이용한플라즈모닉메타표면제작방법에관한것이다. 이를위해, 본발명은형성하고자하는기능층의패턴에대응되도록일면에나노구조체가가공된스탬프를준비하는스탬프준비단계; 그리고상기일면에액상물질의도포또는이방성진공증착을통해상기기능층을형성하는기능층형성단계;를포함하며, 상기기능층이증착된상기스탬프는플라즈모닉메타표면으로구현되는것을특징으로하는플라즈모닉메타표면제작방법을제공한다.

    나노박막의 레이저 가공을 이용한 3차원 구조체의 제조방법
    49.
    发明公开
    나노박막의 레이저 가공을 이용한 3차원 구조체의 제조방법 审中-实审
    利用纳米薄膜激光加工制造三维结构的方法

    公开(公告)号:KR1020170119775A

    公开(公告)日:2017-10-30

    申请号:KR1020160047582

    申请日:2016-04-19

    Abstract: 본발명은필름형태의가공필름에결합되는가공층을레이저빔으로가공하고, 가공된가공층을다수적층고정시킴으로써, 고강도이고, 초경량이며, 고기능성인 3차원구조체를쉽고용이하게형성할수 있는나노박막의레이저가공을이용한 3차원구조체의제조방법에관한것이다. 이를위해나노박막의레이저가공을이용한 3차원구조체의제조방법은가공층이결합된가공필름을롤러유닛에설치한상태에서롤러유닛을동작시켜가공필름을가공영역에정위치시키는제1정위치단계와, 가공영역에서기설정된패턴에대응하여레이저유닛을동작시켜레이저빔으로가공층을가공하는패터닝단계와, 롤러유닛을동작시켜패터닝단계를거쳐가공된가공층을적층스테이지또는적층스테이지에안착된기판상에정위치시키는제2정위치단계및 가공된가공층이적층스테이지또는기판상에적층되도록스퀴지유닛을동작시켜가공필름을적층스테이지쪽으로가압하는적층단계를포함하고, 상술한단계를순차적으로반복실시하여나노박막으로 3차원구조체를제조할수 있다.

    Abstract translation: 在本发明中的纳米薄膜,通过该处理,连接到具有用激光束的薄膜形式的处理膜处理层,所述多个层叠固定研磨处理层,一种高强度,并且重量轻,它可以容易地形成并且有利于高性能成人三维结构 三维结构采用激光加工的三维结构。 采用纳米薄膜的激光加工为具有包括所述第一位置制造这种三维结构的方法,包括:通过在安装操作所述辊单元hansangtae处理膜加工联接到滚子单元中的位置层在处理区域处理该膜 中,基板安放一组图形化步骤中,处理层通过图案化步骤操作所述辊单元处理,其响应于所述预定图案通过操作激光器单元处理与从处理区域的激光束,以在层压阶段或层叠阶段的一部分层 并且,使刮板单元动作,以使加工后的加工层层叠在层叠工作台或基板上,并将加工后的膜向层叠工序推压,并依次重复上述工序 三维结构可以使用纳米膜来制造。

    양자점 플라즈모닉 필름 및 이의 제조 방법
    50.
    发明公开
    양자점 플라즈모닉 필름 및 이의 제조 방법 审中-实审
    Qdot等离子体薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170091406A

    公开(公告)日:2017-08-09

    申请号:KR1020160012389

    申请日:2016-02-01

    Abstract: 양자점플라즈모닉필름과이의제조방법을제공한다. 양자점플라즈모닉필름의제조방법은, 고분자수지에복수의양자점이분산된기재필름을제조하는단계와, 임프린트몰드로기재필름을가압하여기재필름의일면에나노미터크기의오목패턴을형성하는단계와, 기재필름의일면에금속을나노미터두께로증착하여오목패턴내부에위치하는제1 금속층및 오목패턴사이에위치하는제2 금속층을형성하는단계와, 제2 금속층을제거하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 量子点等离子体激元膜及其制造方法。 一种制造量子点等离激元膜的方法,该方法包括以下步骤:制备多个量子点的基膜的分散在聚合物树脂,通过在压印模具和加压支持膜,形成纳米尺寸的基材膜的一个表面上的凹陷图案 ,它包括通过在纳米厚度的基材膜的一个表面上沉积金属,以形成位于所述第一金属层和位于该凹图案内的凹图案之间的第二金属层去除第二金属层的步骤。

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