公开(公告)号：KR100133469B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019940010638

申请日：1994-05-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30617

公开(公告)号：KR1019970052065A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052635

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  노정래 ,  박성주 ,  이일항

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR100101602B1

公开(公告)日：1996-07-04

申请号：KR1019920024319

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재기 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/18

公开(公告)号：KR100101599B1

公开(公告)日：1996-07-04

申请号：KR1019920024318

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  박성주 ,  심재기 ,  이일항

IPC: C30B29/42

公开(公告)号：KR1019960004904B1

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：KR1019920024318

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노정래 ,  박성주 ,  심재기 ,  이일항

IPC: C30B29/42

Abstract: The method of growing GaAs on a porous silicon substrate includes the steps of forming a porous layer(2) on a silicon substrate(1) containing impurities, and trimethyl gallium and AsH3 gas are alternately sprayed to the porous layer(2) on the silicon substrate(1) using ALE and UHVCVD apparatuses, thereby forming a GaAs thin film(3) which is an epitaxial layer.

Abstract translation: 在多孔硅衬底上生长GaAs的方法包括在含有杂质的硅衬底（1）上形成多孔层（2）的步骤，并将三甲基镓和AsH 3气体交替地喷射到硅上的多孔层（2）上 基板（1）使用ALE和UHVCVD装置，从而形成作为外延层的GaAs薄膜（3）。

公开(公告)号：KR1019960004590B1

公开(公告)日：1996-04-09

申请号：KR1019920024319

申请日：1992-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재기 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/18

Abstract: The surface stabilizing method of a porous silicon substrate is characterized by forming a porous layer on the other side of the silicon substrate doped with an impurity and formed with a positive electrode on the one side of the substrate, (b) removing the positive electrode, (c) spraying a trimethyl gallium and an arsine gas to the other side of the substrate at 400˜500deg. C, and (d) depositing a surface stabilizing layer of gallium arsenic(GaAs) compound on the other side of the substrate by the automatic layer epitaxy(ALE) process.

Abstract translation: 多孔硅衬底的表面稳定化方法的特征在于在掺杂有杂质的硅衬底的另一侧上形成多孔层，并在衬底一侧形成正极，（b）去除正极， （c）以400〜500度将三甲基镓和胂气体喷射到基材的另一侧。 C，和（d）通过自动层外延（ALE）工艺在衬底的另一侧上沉积砷化镓（GaAs）化合物的表面稳定层。