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公开(公告)号：KR100223024B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970041696
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01H17/00
Abstract: 본 발명은 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전자의 측면 양자 구속에 의한 에너지 양자화 효과를 이용한 고효율 마이크로파 및 밀리미터파의 검출기와 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체에서 전자의 운동 방향이 어느 한 방향으로 상기 전자의 드브로이파장 정도의 길이에 구속되면 그 방향에 해당되는 전자의 에너지는 양자화 된다. 따라서 상기 양자화된 에너지 준위는 구속 길이와 직접적인 관계가 있으므로 상기 구속길이를 변화시켜 양자화된 에너지 준위의 간격을 조절한다. 조절된 에너지 준위를 마이크로파 및 밀리미터파에 해당되는 에너지와 일치시키므로써 마이크로파 및 밀리미터파의 흡수를 유도하고 이에 따르는 광전효과로 마이크로파 및 밀리미터파를 검출한다.
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파의 에너지 양을 검출하거나, 초고주파 대역의 무선이동통신 시그널의 고효율 수신 및 필터링에 이용된다.-
公开(公告)号：KR1019990042174A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970062897
申请日：1997-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 금속 망 게이트 구조를 갖는 발광 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체의 PN 접합 부분을 발광 영역으로 이용하는 본 발명에 따른 발광 다이오드는, 발광 영역의 상부에 금속의 그물 망 게이트를 형성하고 이 게이트에 음전압을 인가함으로써, 게이트 밑 부분의 발광을 제한하여 PN 접합의 발광 영역의 크기를 극한적으로 구속한다. 이러한 발광 영역의 극한적 구속에 따른 양자 구속 효과에 의하여, 반도체의 밴드갭이 증가하게 되어 PN 접합에서 발광하는 빛의 에너지가 변화하게 된다. 즉, 한 개의 발광 다이오드로 게이트의 전압에 의하여 발광하는 빛의 파장을 변화하는 발광 다이오드에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990030559A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970050803
申请日：1997-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화 및 실리콘 산화를 이용한 단전자 트랜지스터 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판위에 전자빔 레지스트를 입히는 제 1 공정과, 전자빔 묘화에 의해 게이트, 소스, 양자점 및 드레인 영역을 노광하되, 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 소정폭의 공백을 두고 전자빔 묘화를 행하여 전자빔의 2차 전자의 근접효과에 의해 소스와 양자점 및 양자점과 드레인 사이에 각각 소스와 드레인의 선폭보다 좁은폭의 가는 세선이 노광되게하는 제 2 공정과, 묘화된 부분에 실리콘 산화막을 입히고 이 산화막을 마스크로 사용하여 실리콘을 에칭하는 제 3 공정과, 실리콘 열적 산화를 수행하여 상기 가는 허리모양의 가는 세선을 절연하여 소스와 양자점 및 양자점과 드레인간에 전기적으로 절연된 터널 링 접합이 이루어지게하는 제 4 공정을 포함하여, 단전자 트랜지스터의 구조에서 가장 중요한 터널 접합을 전자빔의 2차 전자의 근접효과를 이용한 묘화와 실리콘 산화 공정을 이용하여 제작할 수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019990025505A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047170
申请日：1997-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: 본 발명은 양자세선(quantum wire)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘산화층과 실리콘질화층으로 둘러싸인 실리콘 양자세선 제조 방법에 관한 것이다.
기존의 전자빔 리소그라피 방법에 의해 제조된 양자세선은 선폭이 수십 ㎚ 이하의 초미세 구조일 경우 직선성이 우수한 양자세선을 재현성 있게 제조하는 것이 쉽지 않았고, 또한 기존의 양자세선 구조에서는 주로 정전기장을 이용하여 전자를 1 차원 구조로 구속하여 전자 이동에 관한 양자 현상을 연구해 왔으나 정전기장에 의한 전자 구속은 전자가 점유할 수 있는 에너지 준위의 간격이 좁아서 양자 현상을 관측하기 위해 극저온에서 측정이 요구되었다.
본 발명은 SIMOX 기판의 실리콘층 상부의 선택된 영역에 실리콘질화층을 형성하여 상기 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층 성장시 실리콘 양자세선의 산화 확산을 막고 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층을 성장시켜 양자세선의 폭을 조절하므로써 두께와 폭이 작은 양자세선을 재현성있게 제조할 수 있어 높은 온도에서도 양자 현상 관측이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1019980031223A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050772
申请日：1996-10-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/22
Abstract: 본 발명은 2차원 전자 기체계에서 관측되는 양자 홀 효과를 이용한 스위칭 소자에 관한 것으로서, 현재 대부분의 스위칭 소자가 집적도가 높아질수록 단위 면적당 소비 전력 역시 증가하여 집적 기술 발전의 한계점을 갖고 있기 때문에, 본 발명은 2차원 전자 기체가 폐곡선을 이루는 고리모양으로 제작하고 고리의 폭을 가로 지르는 게이트 전극을 부착한 후, 이를 양자 홀 조건에 놓고, 게이트 단자을 입력단자로, 안쪽 경계면에 출력단자로, 그리고 바깥쪽 경계면을 공통으로 한 양자 홀 스위칭 소자 및 그 개념을 확장한 소자로서, 구멍이 2개 이상의 2차원 전자 기체에서의 다수개의 입출력단자를 가진 저전력 소자이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980029652A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960048947
申请日：1996-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: 본 발명은 여러개의 온/오프(on/off) 상태를 갖는 다기능 트랜지스터 소자를 제작하기 위해 전자의 회절성을 2차원 전자 기체에 구현하는 것으로, 특히 전자의 통로에 반사 회절 그레이팅(grating) 모양의 구조를 삽입함으로써, 전자의 회절 현상을 이용하여 드레인 전류의 크기를 조절하고, 여러개의 온/오프 상태를 갖는 양자 회절 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970054592A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047862
申请日：1995-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 초 박막의 금속합금층으로 형성되는 Mo-C의 압 저항체와 이 압 저항체의 양단에 접촉되어 형성되는 제1전극 및 제2전극과 상기 압 저항체의 표면과 제1전극과 제2전극의 일부표면을 덮는 Si-C 절연막으로 된 보호절연막이 형성된 구조를 갖는 압 저항소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 이러한 구성을 갖는 본 발명은 압 저항소자는 단원자층으로 이루어지는 초 박막의 압 저항체를 사용함으로써 매우 미소한 압력을 감지하여 계측할 수 있으며 종래의 기술에서 압 저항체로 사용한 반도체 재료에 비하여 소자의 성능히 현저히 향상된다.
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公开(公告)号：KR1019960019799A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032100
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 전자 통로의 재료로서 Mo-C 초박막을 사용한 금속 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. Mo-C는 전기적으로 연속적인 초박막의 형태로 쉽게 만들어진다. 또한, Mo-C는 높은 용융점 및 강도 등의 재질 뿐 아니라, 초박막구조의 안정성 때문에 손쉽게 상온에서 초박막으로 만들 수 있는 성질들을 가지고 있기 때문에 초박막 금속 전계효과 트랜지스터의 금속 재료로서 아주 적합하다.
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公开(公告)号：KR1019960005821A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940016751
申请日：1994-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 GaAs 화합물 반도체를 전자소자로 응용하는데 거침돌이 되어 온 GaAs의 표면상태를 안정화시키고 표면상태 밀도로 낮출 수 있는 표면처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 GaAs를 500℃이상의 온도로 가열할 때 GaAs의 표면으로부터 As원자가 빠져 나오는 현상을 이용하고, 이 상황에서 NH
3 가스를 플라즈마로 이온화시키는 과정에서 생성되는 여기된 질소 원자를 이용하여, As이 빠져 나온 GaAs 표면을 N원자로 치환시켜 밴드 갭이 큰 GaN를 GaAs 표면에 얇게 형성시킨다.-
公开(公告)号：KR1019960001927B1
公开(公告)日：1996-02-06
申请号：KR1019920023352
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/38
Abstract: The growth method for gallium nitride single crystalline semiconductor thin film comprises (a) immersing gallium arsenide substrate into trichloroethylene,acetone and methyl alcohol for 5 min., respectively, (b) immersing this GaAs substrate into the mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide and water in the ratio of 1:1:25 for 30 sec., and into the solution of NH4OH and H2O of 1:15 for 15 sec. in turn, and washing it with deionized water, (c) putting GaAs substrate into the growing chamber in plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD system, and after maintaining vacuum state of 10exp(-8) torr, filling this chamber with NH3 plasma gas of 800-1,000 torr partial pressure, (d) producing GaN on the surface of GaAs after maintaining more than 400 deg.C of GaAs substrate temperature.
Abstract translation: 氮化镓单晶半导体薄膜的生长方法分别包括（a）将砷化镓衬底浸入三氯乙烯，丙酮和甲醇中5分钟，（b）将该GaAs衬底浸入氨水，过氧化氢 和水的比例为1:1:25，持续30秒，并加入到1:15的NH 4 OH和H 2 O溶液中15秒。 反过来，用去离子水洗涤，（c）将GaAs衬底放入等离子体增强化学气相沉积，PECVD系统的生长室中，并且在保持10exp（-8）托的真空状态之后，用NH 3等离子体气体填充该室 （d）在保持400℃以上的GaAs衬底温度后，在GaAs表面产生GaN。
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