公开(公告)号：KR100119223B1

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：KR1019930027342

申请日：1993-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01L31/10 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR1019970031119A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950042115

申请日：1995-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만

IPC: H01S3/10

Abstract: 본 발명은 광통신용 반도체 레이저의 구동회로에 관한 것으로 특히, 상기 반도체 레이저에서 출력되는 광신호를 검출하는 광검출기에서 발생되는 광전류를 입력받아 소정치로 증폭출력하는 제 1 연산증폭기와; 제 1 연산증폭기에서 출력되는 신호를 분배하여 두군데로 출력하는 신호분배수단; 및 신호분배수단에 의해 분배되어 출력되는 전압신호과 바이어스 전류 기준전압과 변조전류 기준전압을 각각 입력받아 바이어스 및 변조전류 진폭을 조정하는 제2, 3 연산증폭기로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 광출력 안정화 회로를 제공하여 모니터 광검출기와 비교적 간단한 궤환회로에 의해 반도체 레이저의 평균 광출력과 소광비를 일정하게 유지시킨다.

公开(公告)号：KR1019970004495B1

公开(公告)日：1997-03-28

申请号：KR1019930018267

申请日：1993-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: A semiconductor light-switch manufacturing method using band rate change to light waveguide by current infusion. In case of previouse light-switch having to Zn spreading inside of waveguide line, by making P electrode inside of Zn spreading area, in production limitation was given in decreasing waveguide width and minus contact area. The purpose of this invention is providing method of manufacturing semiconductor light-switch in order to design waveguide line width freely. The said method comprising the steps of : on the n type InP board using epitecthing method orderly growing n type waveguide line layer and n type InP, spreading Zn at front side, spreading P type electrode at reflecting sife depositing n typr electrode after etching each layer on the waveguide line layer.

Abstract translation: 一种半导体光开关制造方法，其通过电流注入对光波导进行带隙变化。 在Zn扩散到波导线内部的先行光开关的情况下，通过使P电极在Zn扩散区域内部，在波导宽度和负接触面积减小的情况下进行限制。 本发明的目的是提供制造半导体光开关的方法，以便自由地设计波导线宽度。 所述方法包括以下步骤：在n型InP板上，使用具有顺序生长的n型波导线层和n型InP的n型InP板，在正面扩展Zn，在蚀刻每层之后扩散P型电极以反射生长n型电极 在波导线层上。

公开(公告)号：KR1019960005133A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019940016753

申请日：1994-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 주관종 ,  이상환 ,  박기성 ,  김홍만 ,  김동구

IPC: G02B6/24

公开(公告)号：KR1019950009632B1

公开(公告)日：1995-08-25

申请号：KR1019920023359

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만 ,  오대곤

IPC: H01L33/00

Abstract: The device consists of a p-type optical waveguide layer which is formed on a substrate, a cladding layer and a cap layer which are formed sequentially on the optical waveguide layer, the first electrode and a p-type electrode which are formed on the bottom of the substrate and on the cap layer respectively, the second electrode which are formed on the cap layer, and the third electrode which are similar to the first electrode formed on the part of the second electrode.

Abstract translation: 该器件由形成在基板上的p型光波导层，覆盖层和盖层依次形成在光波导层上，第一电极和p型电极形成在底部 分别形成在盖层上的第二电极和与形成在第二电极的部分上的第一电极相似的第三电极。

公开(公告)号：KR1019940016971A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920023359

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만 ,  오대곤

IPC: H01L33/00

公开(公告)号：KR1019910013515A

公开(公告)日：1991-08-08

申请号：KR1019890020674

申请日：1989-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  이용탁

IPC: H01L21/82

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100243411B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970053151

申请日：1997-10-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  주관종 ,  김정수 ,  조호성 ,  김홍만

IPC: H01S5/026

Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019990079071A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980011463

申请日：1998-04-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박기성 ,  김홍만

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 단일 전원으로 동작하는 양방향 광소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 n-InP 반도체 기판(4)과, 상기 기판(4) 위에 형성되며, 활성층(6)과, 그 활성층(6)의 양옆에 형성된 전류 차단층(8, 9, 10)과, 상기 활성층(6) 및 전류 차단층(8, 9, 10) 상부에 형성된 p-클래드층(11) 및 p-저항성 접촉층(12)으로 구성된 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1)와, 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1) 상부의 소정 영역에 수직으로 집적되며, n-InP층(16)과, 광흡수층(14)과, p-저항성 접촉층(17)으로 구성된 광 검출기(3)로 구성되어, 상기 광소자에 전원을 인가하면, 상기 반도체 레이저 구조(1)와 상기 광검출기(3) 사이에, 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조(1)의 p-클래드층(11) 및 p-저항성 접촉층(12)과 p층을 공유하고, 상기 � �� 검출기(3)의 n-InP층(16)과 n층을 공유하여 상기 평면 매립형 이종 접합 반도체 레이저 구조에 순방향 바이어스(26)가 걸리고, 상기 광 검출기에 역방향 바이어스가 걸리도록 하는 pn 다이오드가 형성됨으로써, 단일 전원 전압 만으로 양방향 광 송수신 모듈 구성에 필요한 모든 회로 요소들을 구동시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100216522B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960054415

申请日：1996-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김홍만 ,  이상환

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 광소자와 광섬유 사이의 광결합 효율을 증대시킬 수 있는 광결합 장치와 그의 제조방법 및 광소자와 광섬유의 광결합방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광결합장치는, 실리콘 기판(11) 상의 일측에 V-홈(12)이 형성되고, 상기한 V-홈(12)에는 상기한 V-홈(12)보다 폭이 좁고 상기한 V-홈(12)으로부터 소정간격 상향으로 위치하며 광섬유(16)의 정렬시 광섬유(16)가 상하좌우로 움직일 수 있는 중심축으로의 기능을 수행하는 V-홈(19)이 형성된 피벗 지지부(18)가 돌출 설치되고, 상기한 실리콘 기판(11) 상의 타측에는 상기한 실리콘 기판(11)의 V-홈(12)에 고정된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 실리콘 기판 위에 형성된 V-홈과 광소자 플립칩 본딩을 이용한 수동 정렬방식과 광결합장치에 있어서 가장 큰 단점인, 정렬오차에 따른 광결합 효율의 감소문제를 피벗 지지부를 구비한 새로운 구조의 V-홈 실리콘 기판과 V-홈 내에서의 능동 정렬방식을 사용하여 해결함으로써, 최적의 광결합 효율을 얻을 수 있는 효과가 있다.