Abstract:
A method for forming a cadmium sulfide thin film and a cadmium sulfide diode by using chemical bath deposition is provided to form a Cd(Cu)S thin film and a CdS thin film in thick and uniform by additionally using ammonium chloride and triethylamine. A substrate(11) is immersed in a solution containing at least one Cd salt, at least one Cu salt, at least one sulphur source, ammonia, ammonium chloride and triethylamine to form a Cd(Cu)S thin film. The Cd salt comprises cadmium chloride(CdCl2), cadmium sulfide(CdSO4) or cadmium acetate(Cd(CH3COO)2). The Cu salt comprises copper sulfate(CuSO4). The solution is stored in a reactor, and the reactor is heated by a temperature of 45 to 65 °C during 20 to 60 minutes.
Abstract:
A multi-layer anode and a top emission organic light emitting diode including the multi-layer anode are provided to manufacture a conductive metal thin film as an anode electrode of the top emission organic light emitting diode. A top emission organic light emitting diode(10) includes a substrate(11), an anode(12), a hole injection layer(13a), a hole transporting layer(13b), a light emitting layer(14), an electron transporting layer(15a), an electron injection layer(15b), a cathode, a buffer layer(16), and a passivation layer(17). The anode is formed on the substrate. The hole transporting layer and the hole injection layer are formed on the anode. The cathode is formed on the electron injection layer. The buffer layer is formed on the cathode. The anode has a multi-layer structure. The anode includes a lower conduction layer(12a), a reflective conduction layer(12b), and an upper conductive layer(12c). The lower conductive layer is in direct contact with the substrate. The reflective layer is formed on the lower conduction layer. The upper conduction layer is formed on the reflective conduction layer.
Abstract:
A method for selectively forming an encapsulation layer and an organic light emitting diode and an organic thin film transistor using the same are provided to perform the coating without a pinhole by depositing gas evaporated from powder at a vacuum state by the high adhesive force between a parylene thin film and the organic light emitting diode. A substrate(10) is treated with an inhibitor(20), and a device having an organic material layer is formed on the substrate. A passivation(40) is formed by reaction of the inhibitor to selectively cover the device. The inhibitor is a liquid containing iron ions, and a solvent of the liquid is a mixture of alcohols or water and polar solvent. The step of treating the substrate with the inhibitor is executed after a lower electrode is formed on the substrate.
Abstract:
A white organic electroluminescence device and a fabricating method thereof are provided to maintain a color balance of red and blue colors by forming a thin red light emitting layer between blue light emitting layers. A first electrode(32) is formed on a substrate(31), and a first blue light emitting layer(35a) is formed on the first electrode. A red light emitting layer(35b) is formed on the first blue light emitting layer, and a second blue light emitting layer(35c) is formed on the red light emitting layer. A second electrode(38) is formed on the second blue light emitting layer, and a hole injection layer(33) is formed on the first electrode. A hole transfer layer(34) is formed on the hole injection layer. An electron transfer layer(36) is formed on the second blue light emitting layer, and an electron injection layer(37) is formed under the second electrode.
Abstract:
A white organic light emitting device is provided to improve efficiency to emit red, green, blue colors by using a phosphor as a light emitting assist layer obtaining a green or red color by energy transition from a light emitting layer. A white organic light emitting device(100) includes a first electrode(120) on a substrate(110). A hole transport layer(140) is formed on the first electrode(120). A light emitting layer(160) is formed on the hole transport layer(140). An electron transport layer(170) is formed on the light emitting layer(160). A light emitting assist layer(150) is formed on at least one of the hole transport layer(140), the light emitting layer(160), and the electron transport layer(170), and emits green or red light by energy transition from the light emitting layer(160).
Abstract:
본 발명은 플라스틱 기판을 기반으로 하며, 투명전극의 직렬 저항을 감소시키기 위해 보조전극이 적용된 전기발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보조전극을 형성하기 전에 화소영역의 투명전극 상에 보호막을 형성하여 보조전극을 형성하는 과정에서 발광영역의 투명전극이 식각용액에 노출되지 않도록 함으로써 투명전극의 손실이 방지되어 발광 특성이 균일하게 유지되고 제조 수율이 향상될 수 있다. 플라스틱 기판, 투명전극, 보조전극, 보호막, 습식식각
Abstract:
본 발명은 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode, 이하, 'OLED'라 함) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 일정한 간격으로 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 사이의 기판 상에 형성되며, 소정의 이온빔을 이용하여 그 표면이 경화된 유기 절연막과, 상기 애노드 전극 상에 형성되며, 발광층을 포함한 유기 다층막과, 상기 유기 다층막 상에 형성된 캐소드 전극을 포함함으로써, OLED의 대조비를 향상시킬 수 있으며, 유기 절연막의 표면을 경화시킴에 따라 유기 절연막으로부터 유기물 가스가 새어나오는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 투습도 및 투산소도를 높일 수 있는 효과가 있다. 유기발광소자, 유기 절연막, 이온빔 조사, 대조비
Abstract:
본 발명은 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode, 이하, 'OLED'라 함) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 일정한 간격으로 형성된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극 사이의 기판 상에 형성되며, 소정의 이온빔을 이용하여 그 표면이 경화된 유기 절연막과, 상기 애노드 전극 상에 형성되며, 발광층을 포함한 유기 다층막과, 상기 유기 다층막 상에 형성된 캐소드 전극을 포함함으로써, OLED의 대조비를 향상시킬 수 있으며, 유기 절연막의 표면을 경화시킴에 따라 유기 절연막으로부터 유기물 가스가 새어나오는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 투습도 및 투산소도를 높일 수 있는 효과가 있다. 유기발광소자, 유기 절연막, 이온빔 조사, 대조비
Abstract:
본 발명은 플라스틱 기판을 기반으로 하며, 투명전극의 직렬 저항을 감소시키기 위해 보조전극이 적용된 전기발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 보조전극을 형성하기 전에 화소영역의 투명전극 상에 보호막을 형성하여 보조전극을 형성하는 과정에서 발광영역의 투명전극이 식각용액에 노출되지 않도록 함으로써 투명전극의 손실이 방지되어 발광 특성이 균일하게 유지되고 제조 수율이 향상될 수 있다. 플라스틱 기판, 투명전극, 보조전극, 보호막, 습식식각
Abstract:
본 발명은 유기 발광 소자 상에 화학기상증착, 스퍼터링, 이온빔 증착법 또는 전자빔 증착법을 이용하여 무기물 버퍼층을 증착하는 단계, 무기물 버퍼층 상에 원자층 증착법으로 20 내지 100℃ 미만의 온도에서 무기 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법을 제공한다. 상술한 구성을 통하여, 원자층 증착법을 이용하여 저온에서 박막을 성장시 사용가능한 전구체로부터 유기발광소자가 손상받는 것을 피할 수 있어 소자의 수명을 향상시킬 수 있고, 공정 시간도 단축하여 대량 생산에 적용가능하게 된다. 유기발광소자, 원자층 증착법, 무기 절연막