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公开(公告)号：KR1019950017858A
公开(公告)日：1995-07-20
申请号：KR1019930028086
申请日：1993-12-16
IPC: C04B41/81
Abstract: 본 발명은 평면 도파로형 광수동부품 제조를 위해 염화물 원료 기체를 산수소화염에 열분해 및 가수 분해시켜 실리콘 기판위에 수트(soot)상태의 실리카 박막을 형성시키는 고균질 실리카 박막 형성 장치에 있어서 :각각의 원료기체 라인(80)과 수소라인(70)을 통해 주입되는 기체를 혼합하는 원료기체 혼합낭(31), 상기 흔합낭(31)배출단에 형성되어 수소로 밸런스된 원료기체를 넓게 분포시키는 금속망(32), 금속망(32)하단에 구성되어 화염을 발생시키는 산소를 공급하는 산소라인(90), 혼합기체의 화염 형성이 균일하게 유지하도록 산소의 노즐 역활을 하는 세라믹망(32)으로 구성되는 토치(30)와 ;상기 토치(30)의 외벽에 형성되어 외부로 부터의 불순물 혼입을 막아주며 화염의 접속을 높혀주는 아르곤 라인(100)와 : 실리콘 기관(200)을 평면 및 회전이동시켜 균 한 막의 형성을 돕는 기판이동장치(62), 기판에 고온으로 형성된 온도구배에 따른 응력영향을 제거하는 기판가열장치(61)로 구성되어 상기 토치(37)에 하부에 떨어져 형성된 기판장착장치(60)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고균질 실리카 박막 형성 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019940011744B1
公开(公告)日：1994-12-23
申请号：KR1019910008667
申请日：1991-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: This invent is about the sample holder for CBE/ALE systems which is able easily to heat samples, to move toward all directions, and to rorate by 360 degree. The suggested sample holder is composed of a long manipulator (1) moving by 100 cm, a sample carrier holder (3), a sample fixing board (2), a heating plate (9), a reflecting plate (10), a fixed screws(11), a bearing (12), and a bevel gears (13) as shown in the figure, and is designed to increase the temperature of the sample fixing board to 200 through 1100 deg.C. This sample holder is useful especially when the compound semiconductor is grown epitaxially by CBE/ALE systems.
Abstract translation: 本发明涉及用于CBE / ALE系统的样品架，其能够容易地加热样品，向各个方向移动，并且360度旋转。 建议的样品架由100cm移动的长操纵器（1），样品载体保持架（3），样品固定板（2），加热板（9），反射板（10），固定 螺钉（11），轴承（12）和锥齿轮（13），并且被设计成将样品固定板的温度提高到200至1100℃。 当化合物半导体由CBE / ALE系统外延生长时，该样品保持器是有用的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100395500B1
公开(公告)日：2003-08-25
申请号：KR1020010063931
申请日：2001-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/136
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a planar lightwave circuit type optical amplifier using glass sputtering is provided to obtain low waveguiding loss and good gain characteristics by depositing a glass containing a high density rare-earth element. CONSTITUTION: According to the method for fabricating a planar lightwave circuit type optical amplifier, a silica clad layer(401) is formed on a silicon substrate. The silica clad layer is etched in intaglio. A glass film(404) containing a rare-earth element is deposited on the intaglio-etched silica clad layer. And a top clad layer(405) is formed on the glass film containing a rare-earth element. The above silica clad layer is formed as thick as 15-20 micro meter using FHD(Flame Hydrolysis Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or HIPOX. And the etching of the silica clad layer is performed using an ICP(Inductively Coupling Plasma) etching method with a metal mask.
Abstract translation: 目的：提供一种使用玻璃溅射制造平面光波电路型光放大器的方法，以通过沉积含有高密度稀土元素的玻璃获得低波导损耗和良好的增益特性。 构成：按照制造平面光波电路型光放大器的方法，在硅衬底上形成二氧化硅包层（401）。 二氧化硅包覆层以凹板蚀刻。 包含稀土元素的玻璃膜（404）沉积在凹版蚀刻的二氧化硅包覆层上。 并且在含有稀土元素的玻璃膜上形成顶部包覆层（405）。 上述二氧化硅包覆层使用FHD（火焰水解沉积），PECVD（等离子体增强化学气相沉积）或HIPOX形成为15-20微米厚。 并且使用具有金属掩模的ICP（电感耦合等离子体）蚀刻方法来执行二氧化硅包覆层的蚀刻。
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公开(公告)号：KR100304361B1
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：KR1019980042782
申请日：1998-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/39
Abstract: 본 발명은 어븀(Er)-도우프트(doped) 코아층과 어븀-언도우프트(undoped) 코아층을 실리카 기판 또는 단결정 실리콘 단일 기판 상에 형성하여 광증폭(optical amplification을) 이루는 평면형 광증폭기 및 그를 이용한 광소자 제조 방법을 제공한다. 예로서, 동일한 기판 상에 입출력측의 도파로를 어븀-언도우프트 코아층으로 형성하고 광증폭영역의 도파로를 어븀-도우프트 코아층으로 형성한 후 이를 패터닝하여 입력광(980/1480/1550nm)의 감쇄(damping)를 낮추고 효율적인 증폭이 일어나도록 하고, 입력부에는 파장 다중화기(WDM)를 구성하여 신호광과 펌핑광을 입력하고 출력부에는 파장 분리기(wavelength separator)를 구성하여 펌핑광을 분리함으로써 광분배기의 분배에 따른 신호광의 감쇄를 보상시킨 다채널 무손실 광분배기 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100328132B1
公开(公告)日：2002-03-12
申请号：KR1020000002255
申请日：2000-01-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 본 발명은 신호광이 입사/출사되는 광도파로와 펌핑광이 입사되는 광도파로 및 증폭용 광도파로를 동일한 기판 상에 구현하는 평면형 광증폭기에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘 기판 위에 희토류 금속 성분이 첨가되지 않은 유리막을 형성하고, 그 내부에 신호광 입력/출력 도파로, 펌핑광 입력 도파로, 및 신호광과 펌핑광을 결합시키는 파장다중화기와 같은 부속 광회로를 구성하는 저손실 광도파로를 형성하며; 상기 저손실 광도파로가 형성된 유리막 위에 희토류 금속 성분이 첨가된 유리막을 형성하고, 그 내부에 광증폭 회로를 구성하는 증폭용 광도파로를 형성하며; 상기 증폭용 광도파로의 시작부분이 하단에 위치한 신호광 입력 도파로의 끝부분과 일부 겹쳐지며, 상기 증폭용 광도파로의 끝부분이 하단에 위치한 신호광 출력 도파로의 시작부분과 일부 겹쳐져지고, 또 상기 펌핑광 입력 도파로의 끝부분이 신호광 입력도파로의 중간부분에 연결되어 파장다중화기를 구성하며, 광도로파들은 굴절률을 증가시키거나 광증폭에 기여하는 금속 성분이 용해되어 있는 용액 또는 콜로이드 졸을 다공성 유리막에 함침시켜 형성하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100289041B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019970071655
申请日：1997-12-22
Abstract: PURPOSE: A method of making erbium-doped flat fluorescent optical amplifier is provided to lower transmission loss of input and output stages below 0.05dB/cm and amplification threshold power below 20mW by forming a wavelength division multiplex(WDM) structure and an optical amplifier region on a single substrate. CONSTITUTION: An undoped core layer(6) is formed on a silica substrate on which a lower clad layer is formed. A metal mask is formed by depositing and patterning aluminum on the undoped core layer, and an exposed undoped core layer is etched. After removing a remaining metal mask, a flowing process is carried out in an electric furnace of 1180 to 1230 deg.C. An alignment mark is formed on a region where the undoped core layer is removed. An erbium-doped core layer is deposited on the region where the undoped core layer is removed. An etch mask pattern of the same as a waveguide shape is formed on the undoped core layer and the erbium-doped core layer. The undoped core layer and the erbium-doped core layer exposed through the etch mask pattern are etched, so that a waveguide(6a) made of the undoped core layer and a waveguide(8a) made of the erbium-doped core layer. An upper clad layer is deposited on an entire surface of the substrate on which the waveguides(6a, 8a) are formed.
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公开(公告)号：KR1019990051086A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070325
申请日：1997-12-19
IPC: G02B6/126
Abstract: 본 발명은 평면도파로형 격자 광필터의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 평면도파로상에 격자 광필터를 형성하기 위해, 하부 클래드층상에 코아층을 형성하고, 이 코아층을 패터닝하여 평면도파로를 형성하는 동시에 이 평면도파로의 임의의 부분에 소정의 격자 필터용 평면도파로 패턴을 형성하고, 평면도파로와 평면도파로 패턴의 전면을 덮도록 상부 클래트층을 증착하는 것에 의해 격자 광필터를 형성한다.
본 발명은 평면도파로를 패터닝하는 공정과 동시에 격자 광필터를 형성하기 위한 평면도파로 패턴을 형성하므로 공정을 간단화할 수 있으며, 평면도파로와 격자 광필터를 동일기판상에 형성함으로서 광집적회로를 고집적화할 수 있다.
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