公开(公告)号：KR101030017B1

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020080127270

申请日：2008-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  이승윤 ,  윤성민 ,  정순원 ,  유병곤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 본 발명의 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에서 제1 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 절연층을 포함한다. 콘택홀에는 발열 전극이 매립되어 있다. 발열 전극 상에는 상변화층이 형성되어 있다. 상변화층의 양쪽 측면에 접촉된 금속층이 형성되어 있다. 상변화층과 연결되고 금속층과는 절연된 제2 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 일측부와 연결되어 제3 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 타측부와 연결되어 제4 전극이 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100990215B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080069493

申请日：2008-07-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  유병곤 ,  정순원 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  이준석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료층이 서로 다른 조성의 다층 구조로 형성되는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 형성된 발열성 전극층; 상기 발열성 전극층 상에 형성되고, 상기 발열성 전극층의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 절연층; 상기 포어를 매립하는 형태로 형성되어 상기 발열성 전극층의 일부와 접촉하는 상변화 재료층; 및 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 제 2 전극층으로 구성된다. 본 발명은 메모리 동작영역으로서 뛰어난 안정성을 가지는 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료를 사용하여 메모리 동작의 안정성을 보장함과 동시에, 상기 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료의 상하부에 Ge
2 Sb
2 Te
5 조성의 상변화 재료로 구성되는 보조 영역을 배치함으로써 전극을 통한 열에너지의 누설을 방지하여 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 상변화 메모리, 칼코게나이드, 안티몬

公开(公告)号：KR100968889B1

公开(公告)日：2010-07-09

申请号：KR1020080047400

申请日：2008-05-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  정순원 ,  유병곤 ,  이승윤 ,  박영삼

IPC: H01L27/115 ,  H01H36/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 상변화 물질을 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전극 간에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 홈을 기준으로 두 개의 영역으로 분리되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층의 각 영역의 상부에 형성되는 제 2 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 제 1 전극층의 절단면 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어로 구성된다. 본 발명은 칼코게나이드 나노와이어로 구성되는 스위치 소자를 제공함으로써, 종래의 스위치 소자와 달리 비휘발성의 프로그래머블 스위치 소자를 제공할 수 있다.
재구성형 LSI, 프로그래머블 스위치, 상변화 메모리, 비휘발성

公开(公告)号：KR1020100068794A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：KR1020080127270

申请日：2008-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  이승윤 ,  윤성민 ,  정순원 ,  유병곤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/128 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile programmable switch device and a method for manufacturing the same are provided to reduce an area in which the device is occupied by maintaining the property of the programmable switch device without a static random access memory device. CONSTITUTION: A first electrode(102) is formed on a semiconductor substrate(100). An insulating layer(104) comprises a contact hole(106) which exposes a part of the first electrode. A heat-generating electrode(108) is buried in the contact hole. A phase-changing layer(118) is formed on the heat-generating electrode. A metal layer(112) is contacted with both sides of the phase-changing layer. A second electrode(130) is connected to the phase-changing layer.

Abstract translation: 目的：提供一种非易失性可编程开关装置及其制造方法，以通过维持可编程开关装置的特性而无需静态随机存取存储装置来减少装置占用的区域。 构成：第一电极（102）形成在半导体衬底（100）上。 绝缘层（104）包括暴露第一电极的一部分的接触孔（106）。 发热电极（108）埋在接触孔中。 在发热电极上形成相变层（118）。 金属层（112）与相变层的两侧接触。 第二电极（130）连接到相变层。

公开(公告)号：KR1020100000174A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080059573

申请日：2008-06-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전종흥 ,  이승윤 ,  이강찬 ,  김성한 ,  이원석 ,  인민교

IPC: G06F3/03 ,  G06F3/01

CPC classification number: G06K9/6255 ,  G06F3/017 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/04883 ,  G06K9/00355

Abstract: PURPOSE: A driving method of a mobile terminal for activating a mobile application by providing an interface using a user gesture is provided to increase the convenience of the user by driving a plurality of application functions. CONSTITUTION: A gesture image is collected through a camera(S102). A gesture data is generated within the gesture image(S103). The gesture data includes motion information. The location change of an identifier is recorded in the motion information. The application function is searched after the identification of gesture data(S105). The application function is performed(S109). The application function is mapped in gesture data.

Abstract translation: 目的：提供通过使用用户手势提供接口来激活移动应用的移动终端的驱动方法，以通过驱动多个应用功能来增加用户的便利性。 构成：通过相机收集手势图像（S102）。 手势图像内生成手势数据（S103）。 手势数据包括运动信息。 标识符的位置变化被记录在运动信息中。 在识别手势数据之后搜索应用功能（S105）。 执行应用功能（S109）。 应用功能被映射到手势数据中。

公开(公告)号：KR100932896B1

公开(公告)日：2009-12-21

申请号：KR1020060125026

申请日：2006-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이강찬 ,  이원석 ,  전종홍 ,  이승윤

IPC: G06Q50/10 ,  G06F17/00

CPC classification number: H04L67/02 ,  G06F17/3089 ,  H04L67/32

Abstract: Provided is a device for storing a rule describing an event, a condition to be satisfied by the event, and an action to be executed when the condition is satisfied and executing the action of the rule in an expended structure for using web services so as to effectively process the web services in various devices as well as a computer. In addition, a global rule manager for inspecting the validity of the rule when the rule is stored and executed is provided. Accordingly, the web services can be effectively used in a ubiquitous environment.

Abstract translation: 提供了一种用于存储描述事件的规则，由事件满足的条件以及当条件满足时要执行的动作并且执行规则在用于使用web服务的扩展结构中的动作以便 有效地处理各种设备以及计算机中的Web服务。 此外，还提供了一个全球规则管理器，用于在规则存储和执行时检查规则的有效性。 因此，网络服务可以在无处不在的环境中有效地使用。

公开(公告)号：KR1020090053014A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070119623

申请日：2007-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  이승윤 ,  윤성민 ,  정순원 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 본 발명의 고체 전해질 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극층과, 제1 전극층 상에 은(Ag)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)-질소(N) 합금 또는 구리(Cu)--안티몬-텔레륨-질소 합금으로 구성된 고체 전해질층과, 고체 전해질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하여 이루어진다. 고체 전해질층을 구성하는 은-안티몬-텔레륨-질소 합금은 은(Ag) 15-90 원자(atomic)%, 안티몬(Sb) 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨(Te) 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가질 수 있다. 고체 전해질층을 구성하는 구리-안티몬-텔레륨-질소 합금은 구리 15-90 원자(atomic)%, 안티몬 4-30 원자(atomic)%, 텔레륨 5-30 원자(atomic)% 및 질소 1-25(atomic)%의 조성을 가질 수 있다.

公开(公告)号：KR100869246B1

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：KR1020070068990

申请日：2007-07-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성한 ,  전종홍 ,  이승윤

IPC: H04W8/24 ,  H04W8/22

CPC classification number: H04W8/22

Abstract: A method for managing mobile device profile information in the mobile radio communications network is provided to support a new application service to a user under optimum environment by simultaneously managing static profile and dynamic profile information. An arbitrary mobile terminal device(100) newly registers in a local device DB. The profile information of the mobile terminal device which is newly registered is statically and dynamically managed. An exterior device DB is searched and registered. The profile information of the mobile terminal device is statically and dynamically managed. The information is registered according to the profile format of the exterior device DB and the profile information of the mobile terminal device and is statically and dynamically managed.

Abstract translation: 提供了一种用于管理移动无线电通信网络中的移动设备简档信息的方法，以通过同时管理静态简档和动态简档信息来在最佳环境下向用户支持新的应用服务。 任意的移动终端装置（100）新登记在本地装置DB中。 新注册的移动终端设备的简档信息被静态和动态地管理。 搜索并注册外部设备DB。 移动终端设备的简档信息是静态和动态管理的。 信息根据外部设备DB的简档格式和移动终端设备的简档信息进行注册，并被静态和动态地管理。

公开(公告)号：KR100819061B1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070021967

申请日：2007-03-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  충북대학교 산학협력단

Inventor： 유병곤 ,  양병도 ,  이승윤 ,  윤성민 ,  박영삼 ,  이남열

IPC: G11C13/02 ,  G11C7/10 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5647 ,  G11C5/14 ,  G11C7/1096

Abstract: An apparatus and a method for writing data in a phase change memory by using write power calculation and data inversion function are provided to reduce power consumption for writing data on the phase change memory, by storing data with lower power consumption between write power in case of storing input data and write power in case of inverting and storing the input power. An input part(101) receives data to be written into a phase change memory. A read part(104) reads data stored on a cell position(110) of the phase change memory. An original data power calculation part(102) calculates total power consumption value for writing bits different from the previously stored data among the inputted data on the basis of power consumption value according to each bit value of the phase change memory, by comparing the inputted data with the read-out data per bit. An inversion data power calculation part(103) calculates total power consumption value for writing bits different from the previously stored data among the inverted data on the basis of the power consumption value according to each bit value of the phase change memory, by inverting the inputted data and then comparing the inverted data with the previously stored data per bit. A write part(105) stores smaller total power consumption value, by comparing the total power consumption value for the inputted data with the total power consumption value for the inverted data on the cell position of the phase change memory to be written.

Abstract translation: 提供一种通过使用写功率计算和数据反转功能在相变存储器中写入数据的装置和方法，以通过在写入功率之间存储具有较低功耗的数据来减少在相变存储器上写入数据的功耗 在反相和存储输入功率的情况下存储输入数据和写入功率。 输入部（101）接收要写入相变存储器的数据。 读取部分（104）读取存储在相变存储器的单元位置（110）上的数据。 原始数据功率计算部分（102）通过比较输入的数据，根据相位变换存储器的每个位值，根据功耗值计算输入的数据中不同于先前存储的数据的总功耗值 每位读出数据。 反转数据功率计算部（103）通过根据输入的相位变换存储器的每个比特值，根据功耗值来计算在反转数据中写入与先前存储的数据不同的比特的总功耗值 然后将反相数据与先前存储的每位数据进行比较。 写入部分（105）通过将输入数据的总功耗值与反相数据的总功耗值比较来写入相变存储器的单元位置来存储较小的总功耗值。

公开(公告)号：KR100809437B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020070019902

申请日：2007-02-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  이남열 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: A phase change memory device having a blocking layer between an upper electrode layer and a phase change layer and a method for manufacturing the same are provided to reduce power consumption by forming the blocking layer with a silicon-based material layer and a metal oxide layer having low thermal conductivity. A lower electrode layer(102) is formed on a substrate(100). A heating electrode layer(104) is formed on the lower electrode. A phase change layer(110) is formed on the heating electrode layer. A blocking layer(112) is formed on the phase change layer. The blocking layer is made of a silicon-based material layer or a metal oxide layer. A tunneling current flows electrically and directly through the blocking layer. An upper electrode layer(118) is formed on the blocking layer. The blocking layer formed between the phase change layer and the upper electrode layer shields the phase change layer from the upper electrode layer, physically and chemically. The silicon-based material layer of the blocking layer is made of a silicon-based oxide layer or a silicon-based nitride layer.

Abstract translation: 提供了具有上电极层和相变层之间的阻挡层的相变存储器件及其制造方法，以通过用硅基材料层和金属氧化物层形成阻挡层来降低功耗，所述硅基材料层和金属氧化物层具有 导热系数低 在基板（100）上形成下电极层（102）。 在下电极上形成加热电极层（104）。 在加热电极层上形成相变层（110）。 在相变层上形成阻挡层（112）。 阻挡层由硅基材料层或金属氧化物层制成。 隧道电流电流并直接通过阻挡层。 在阻挡层上形成上电极层（118）。 形成在相变层和上电极层之间的阻挡层物理和化学地将相变层从上电极层屏蔽。 阻挡层的硅基材料层由硅基氧化物层或硅基氮化物层制成。