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公开(公告)号:KR1020180020764A
公开(公告)日:2018-02-28
申请号:KR1020160105628
申请日:2016-08-19
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L21/02205 , H01L21/02109 , H01L21/02172 , H01L29/66742 , H01L51/0048 , H01L51/0053 , H01L2924/0635
Abstract: 본발명은반도체전구체용액, 이의제조방법, 이를이용하여제조된반도체층및 박막트랜지스터를제공하는것으로, 본발명의반도체전구체용액은카르복실산기를가지는화합물로개질된탄소나노튜브및 금속산화물전구체를포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种半导体前体溶液,其制备方法,通过提供一种半导体层,并使用此制造的薄膜晶体管,改性用具有羧酸基团的化合物的碳纳米管的半导体前体溶液和金属氧化物前体的本发明 它包括。
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公开(公告)号:KR101785350B1
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:KR1020150101499
申请日:2015-07-17
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전도성금속박막의제조방법은 a)금속코어가유기산을포함하는캡핑층으로캡핑된금속나노입자, 비수계유기바인더및 비수계용매를함유하는전도성잉크조성물을제조하는단계; b) 상기전도성잉크조성물을절연성기판에도포하여도포막을형성하는단계; 및 c) 상기도포막에비수계유기바인더가잔류하는광의강도에서최대광 강도이하로광을조사하여전도성금속박막을제조하는단계;를포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020170109336A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:KR1020160033333
申请日:2016-03-21
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은탄소나노튜브-금속나노와이어복합체에관한것이다. 보다상세하게는아민기와카르복실산으로이중표면기능화된탄소나노구조체를템플레이트로이용하여경제성및 생산성을향상시킬수 있는금속나노와이어의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种碳纳米管 - 金属纳米线复合材料。 更具体地,本发明涉及通过使用具有以胺基和羧酸官能化的双表面作为模板的碳纳米结构体来提高经济效率和生产率的金属纳米线的制造方法。
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公开(公告)号:KR1020170061329A
公开(公告)日:2017-06-05
申请号:KR1020150166206
申请日:2015-11-26
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은아민기로표면기능화된탄소나노튜브가제1분산매에분산된제1분산액; 및카르복실산기로표면기능화된금속나노입자가제2분산매에분산된제2분산액;을혼합하여상기아민기로표면기능화된탄소나노튜브의표면을상기카르복실산기로표면기능화된금속나노입자로코팅하는단계;를포함하는금속-탄소나노튜브복합체나노와이어의제조방법및 이로부터제조되는금속-탄소나노튜브복합체나노와이어에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及第一分散液,其中用胺基表面官能化的碳纳米管分散在第一分散介质中; 和羧酸基团的表面官能化的金属纳米颗粒和分散在该第二分散液的第二分散介质;涂覆有表面官能化的金属纳米颗粒的表面官能化的碳纳米管组以上羧酸基团的胺混合物的表面 以及由金属 - 碳纳米管复合纳米线制备的金属 - 碳纳米管复合纳米线。
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公开(公告)号:KR1020170047936A
公开(公告)日:2017-05-08
申请号:KR1020150148667
申请日:2015-10-26
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기관계식 1을만족하는제1금속코어; 상기제1금속코어를둘러싼제2금속쉘; 및상기제2금속쉘을둘러싼갭핑층;을포함하는코어-쉘나노구조체, 비수계유기바인더및 비수계용매를포함하는광소결용잉크조성물및 이의제조방법에관한것이다. [관계식 1] A/A≤ 0.2 (관계식 1에서, A/A는제1금속코어의표면에있어서의 X-선광전자분광스펙트럼상, 제1금속의산화물의제1금속 2p피크면적(A)을제1금속의제1금속 2p피크면적(A)으로나눈비이다.)
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公开(公告)号:KR101415089B1
公开(公告)日:2014-07-07
申请号:KR1020110128712
申请日:2011-12-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 금속양이온 전구체, 용매, 안정화제 및 첨가제를 포함하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물 및 상기 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 고성능 금속산화물 반도체 잉크 조성물은 화학적 첨가제의 조성에 따라 인쇄공정성이 확보되는 동시에 박막 트랜지스터 소자의 특성이 향상되는 것을 특징으로 한다. 또한, 인쇄공정을 통한 소자제작 접근방법은 기상이 아닌 액상에서 이루어지기 때문에, 환경 친화적이며 저가의 대량생산에 적합한 방법이라는 장점을 가지고 있다.
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