公开(公告)号：KR200118433Y1

公开(公告)日：1998-04-27

申请号：KR2019940032939

申请日：1994-12-06

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 박정희

IPC: B60J1/02

Abstract: 본 고안은 갈고리형 몰딩부재에 관한 것으로서, 특히 차량의 후미문(tail gate)에서 용이하게 설치가능한 갈고리형 몰딩부재에 관한 것으로, 본 고안은 전술한 문제점을 해결하고자 안출한 것으로, 판넬의 심한 만곡진 부분에서도 몰딩부재의 단부와 만곡진 부분사이의 들뜸현상을 제거하고, 주행시 심한 충격을 흡수하며, 미관을 향상시키는 것이 그 목적이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 판유리가 내부에 삽입가능하고, 오메가(Ω)단면의 외형을 갖는 경질러버와, 오메가(Ω)단면의 내향을 갖는 갈고리형 연질레버가 서로 부착되고, 상기 갈고리형 연질러버의 단부가 판넬의 만곡부 후방면에 위치하는 갈고리형 몰딩부재를 제공한다.

公开(公告)号：KR2019970016728U

公开(公告)日：1997-05-23

申请号：KR2019950029082

申请日：1995-10-17

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 박정희

IPC: B60J1/08

公开(公告)号：KR2019960020939U

公开(公告)日：1996-07-18

申请号：KR2019940032939

申请日：1994-12-06

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 박정희

IPC: B60J1/02

公开(公告)号：KR2019960010381U

公开(公告)日：1996-04-12

申请号：KR2019940022908

申请日：1994-09-06

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 박정희

IPC: B60H1/34

公开(公告)号：KR101875638B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020160133554

申请日：2016-10-14

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 천대환 ,  정영균 ,  주낙용 ,  박정희 ,  이종석

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+형탄화규소기판, n-형층, n형층, 복수개의트렌치, p형영역, n+형영역, 게이트절연막, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극및 채널을포함하고, 상기복수개의트렌치는평면상매트릭스형상으로위치하고, 상기 n+형영역은평면상개구부를가지는메쉬형태로위치하고, 상기각 트렌치를둘러싸며, 평면상대각선방향으로서로인접한상기트렌치사이에서상기소스전극과접촉하고, 상기 p형영역은평면상메쉬형태의상기 n+형영역의개구부내에위치한다.

公开(公告)号：KR101875634B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020160141195

申请日：2016-10-27

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 주낙용 ,  정영균 ,  박정희 ,  이종석 ,  천대환

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L21/761 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는통전영역및 상기통전영역이끝나는부분에위치하는종단영역을포함한다. 상기종단영역은 n+형탄화규소기판의제1면에위치하는 n-형층, 상기 n-형층에위치하는 p형종단구조, 상기 p형종단구조와중첩하며, 상기 p형종단구조위에위치하는하부게이트러너를포함한다.

公开(公告)号：KR1020180037389A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：KR1020160127467

申请日：2016-10-04

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 김현유 ,  박정희

IPC: H01M8/04089 ,  H01M8/04119 ,  H01M8/04291

CPC classification number: H01M8/04089 ,  H01M8/04149 ,  H01M8/04291 ,  Y02E60/50 ,  Y02E60/521

Abstract: 공기차단밸브가개시된다. 개시된공기차단밸브는, 가습기에서가습된공기를연료전지스택으로공급하기위한공기공급라인에설치되는것으로서, ⅰ)밸브회전축을통해회전가능하게설치되며, 밸브통로를개폐하는밸브플레이트와, ⅱ)밸브회전축에설치되며, 밸브플레이트의밸브통로오픈시, 밸브통로를통해연료전지스택으로유입되는응축수를분산시키는응축수분산부재를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种空气截流阀。 所公开的空气截止阀是，如在空气供应管线，用于从加湿器向燃料电池堆供给加湿空气提供，ⅰ）枢转地安装至所述阀的旋转轴，所述阀板和，ⅱ用于打开和关闭所述阀通道） 以及冷凝水分散构件，其安装在阀旋转轴上，用于在阀板的阀门通道打开时分散通过阀通道流入燃料电池堆的冷凝水。

公开(公告)号：KR101836258B1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR1020160084838

申请日：2016-07-05

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 주낙용 ,  정영균 ,  박정희 ,  이종석 ,  천대환

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/861

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+형탄화규소기판의제1면에위치하는 n-형층, 상기 n-형층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 상기제2 트렌치의측면사이에위치하며, 상기 n-형층위에위치하는 n+형영역, 상기제1 트렌치의내부에위치하는게이트절연막, 상기제2 트렌치의내부에위치하는소스절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막, 상기 n+형영역, 및상기소스절연막위에위치하는소스전극, 그리고상기 n+형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170027611A

公开(公告)日：2017-03-10

申请号：KR1020150124459

申请日：2015-09-02

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 정영균 ,  박정희 ,  천대환 ,  이종석

IPC: H01L29/10 ,  H01L21/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7828

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자의제조방법은 n+형탄화규소기판의제1면에 n-형에피층및 n+형영역을순차적으로형성하는단계, 상기 n+형영역위에제1 마스크패턴을형성한후, 상기제1 마스크패턴을마스크로하여상기 n-형에피층및 상기 n+형영역을식각하여복수의제1 트렌치및 복수의제2 트렌치를형성하는단계, 상기복수의제1 트렌치내에제1 감광막패턴을형성한후, 상기제1 감광막패턴을마스크로하여상기제1 마스크패턴을식각하여홈을형성하는단계, 상기제1 감광막패턴을제거한후, 상기홈이형성된상기제1 마스크패턴을마스크로하여상기복수의제2 트렌치내에 p 이온을주입하여 p형영역을형성하는단계, 상기홈이형성된상기제1 마스크패턴을제거한후, 복수의제1 트렌치내에게이트절연막을형성하는단계, 상기게이트절연막위에게이트전극을형성하는단계, 상기게이트전극위에보호막을형성하는단계, 상기복수의제2 트렌치내에소스전극을형성하는단계, 그리고상기 n+형탄화규소기판의상기제1면에대해반대측인제2면에드레인전극을형성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：在n +型碳化硅衬底的第一表面上依次形成n型外延层和n +型区域; 通过在n +型区域上形成第一掩模图案之后，使用第一掩模图案作为掩模蚀刻n型外延层和n +型区域，形成多个第一沟槽和多个第二沟槽; 通过在所述多个第一沟槽中形成所述第一感光膜图案之后，使用第一感光膜图案作为掩模蚀刻所述第一掩模图案来形成沟槽; 通过在除去第一感光膜图案之后，使用具有沟槽作为掩模的第一掩模图案，在多个第二沟槽中注入p离子来形成p型区域; 在用所述槽除去所述第一掩模图案之后，在所述多个第一沟槽中形成栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成栅电极; 在栅电极上形成钝化层; 在所述多个第二沟槽中形成源电极; 以及在与n +型碳化硅衬底的第一表面相反的一侧的第二表面上形成漏电极。

公开(公告)号：KR1020170013107A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020150106106

申请日：2015-07-27

Applicant: 현대자동차주식회사

Inventor： 정영균 ,  박정희 ,  천대환 ,  이종석

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 쇼트키배리어다이오드및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른쇼트키배리어다이오드는 n+형탄화규소기판; 상기 n+형탄화규소기판의일면에형성되는 n-형에피층; 상기 n-형에피층내부에형성되는복수의 p+ 영역; 상기전극영역의 n-형에피층상부에형성되는쇼트키전극; 및상기 n+형탄화규소기판의타면에형성되는오믹전극을포함하고, 상기복수의 p+ 영역은상기 n-형에피층내부에서일정각격이격되도록형성된다. 또한, 본발명의실시예에따른쇼트키배리어다이오드의제조방법은 n+형탄화규소기판의일면에 n-형에피층을형성하는단계; 상기 n-형에피층의상면에일정간격이격되도록복수의트렌치를패터닝하는단계; 상기복수의트렌치내부에제1 차단부를형성하는단계; 상기 n-형에피층상단에서일정간격이격되도록복수의제2 차단부를형성하는단계; 상기제1 차단부및 제2 차단부를마스크로하여상기 n-형에피층에 p+ 이온주입으로 p+ 영역을형성하는단계; 상기복수의제1 차단부및 제2 차단부를제거하는단계; 상기 p+ 영역을감싸도록상기 n-형에피층을성장시키는단계; 상기성장된 n-형에피층상부에쇼트키전극을형성하는단계; 및상기 n+형탄화규소기판의타면에오믹전극을형성하는단계로이루어진다.

Abstract translation: 肖特基势垒二极管包括：n +型碳化硅衬底; 在n +型碳化硅衬底的第一表面上形成的n型外延层; 形成在n型外延层内的多个p +区; 形成在电极区域的n型外延层的上部的肖特基电极; 以及形成在所述n +型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中所述多个p +区形成为在所述n型外延层内以预定间隔彼此间隔开。