公开(公告)号：EP0998597A4

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：EP98906269

申请日：1998-02-10

Applicant: CANDESCENT TECH CORP

Inventor： PORTER JOHN D ,  CHAKAROVA GABRIELA S ,  KNALL N JOHAN ,  SPINDT CHRISTOPHER J

IPC: C25F3/02 ,  B81C1/00 ,  C25F3/14 ,  H01J9/02 ,  C25D5/02 ,  B23H3/00 ,  B44C1/22 ,  C25D5/48 ,  H01J1/02 ,  H01J1/62

CPC classification number: H01J9/025

Abstract: A method for forming a field emitter structure in which a cavity (208) is formed into an insulating layer (206) overlaying a first electrically conductive layer (202). A second electrically conductive layer (210) with an opening (212) is formed above the cavity. Electron emissive material (214) is deposited directly onto the second electrically conductive layer without first depositing an underlying lift-off layer. Electron emissive material covers the opening in the second electrically conductive layer and forms an electron emissive element (216) within the cavity. A first potential is imparted to the electron emissive element. A second open circuit potential is imparted to the closure layer of electron emissive material. The field emitter structure is exposed to an electrochemical etchant (220) wherein the electrochemical etchant etches electron emissive material which is biased at open circuit potential. Electron emissive material is removed from above the second electrically conductive layer without etching the electron emissive element.

Abstract translation: 一种形成场致发射结构的方法。 在一个实施例中，本发明产生了一种结构，其具有形成为覆盖在第一导电层上的绝缘层的空腔。 本发明还产生了第二导电层，其具有形成在绝缘层中的空腔上方的开口。 本实施例将电子发射材料层直接沉积到第二导电层上，而不首先沉积下面的剥离层，使得电子发射材料覆盖第二导电层中的开口并在腔内形成电子发射元件 。 本发明将第一电位施加到第一导电层，使得第一电位被赋予形成在空腔内的电子发射元件。 本发明还将第二电位施加到第二导电层，使得第二电位被赋予电子发射材料的封闭层。 在本实施例中，第二电位包括开路电位。 本发明然后将场发射体结构暴露于电化学蚀刻剂，其中电化学蚀刻剂蚀刻电子发射材料，该电子发射材料偏置于开路电位。 在这样做时，电子发射材料层从第二导电层上方去除，而不蚀刻形成在空腔内的电子发射元件。