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    EUV-Kollektorsystem mit verbesserter EUV-Strahlungssammlung
    41.
    发明专利
    EUV-Kollektorsystem mit verbesserter EUV-Strahlungssammlung 未知

    公开(公告)号：DE102011015266A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：DE102011015266

    申请日：2011-03-28

    Applicant: MEDIA LARIO SRL

    Inventor： CEGLIO NATALE M ,  VASUDEVAN GOPAL

    IPC: G03F7/20 ,  G02B5/00

    Abstract: Ein Kollektorsystem für Extrem-Ultraviolett(EUV)-Strahlung umfasst einen Kollektorspiegel und eine Strahlungssammlungsverstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet angrenzend an ein Aperturteil eines Beleuchtungsgeräts. Der Kollektorspiegel lenkt die EUV-Strahlung von einer EUV-Strahlungsquelle in Richtung des Aperturteils. Die RCED lenkt einen Teil der EUV-Strahlung um, die ansonsten nicht durch die Apertur des Aperturteils treten würde, oder die keine optimale Winkelverteilung aufweisen würde, um durch die Apertur zu treten und eine verbesserte Winkelverteilung aufzuweisen, die für die Eintrittsspezifikationen eines Beleuchtungsgeräts besser geeignet sind. Dies liefert dem Beleuchtungsgerät eine größere Menge an verwendbarer EUV-Strahlung, als ansonsten vom Kollektorspiegel alleine verfügbar wäre, wodurch die Leistung eines EUV-Lithographiesystems, das ein derartiges Kollektorsystem mit einer RCED verwendet, verbessert wird.

    Quellkollektormodul mit GIC-Spiegel und LPP-EUV-Lichtquelle
    42.
    发明专利
    Quellkollektormodul mit GIC-Spiegel und LPP-EUV-Lichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102010056553B4

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：DE102010056553

    申请日：2010-12-30

    Applicant: MEDIA LARIO SRL

    Inventor： CEGLIO NATALE M ,  NOCERINO GIOVANNI ,  ZOCCHI FABIO

    IPC: H05G2/00 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06

    Abstract: Quellkollektormodul (100) für ein Extrem-Ultraviolett-Lithographiesystem, umfassend:einen Laser (12), der einen gepulsten Laserstrahl (13) entlang einer Quellkollektormodul-Achse (A1) erzeugt;ein festes Laser-erzeugtes Plasma-Target (27) mit einer Fläche (29), die ausgestaltet ist, um den gepulsten Laserstrahl aufzunehmen, und ein Laser erzeugtes Plasma bereitzustellen, das EUV-Strahlung erzeugt, undein Kollektorspiegel mit streifendem Einfall mit einem Eintrittsende (3) und einem Austrittsende (5) und angeordnet, um die EUV-Strahlung am Eintrittsende (3) aufzunehmen und die aufgenommene EUV-Strahlung am Zwischenfokus (IF), angrenzend zum Austrittsende (5), zu fokussieren, und das Quellkollektormodul (100) weiterhin eine Strahlungsverstärkungs-Kollektorvorrichtung , angeordnet zwischen dem Austrittsende (5) des Kollektorspiegels mit streifendem Einfall und dem Zwischenfokus (IF) und aufgebaut, um die EUV-Strahlung zum Fokusfleck (FS) zu lenken, umfasst, wobei der Laserstrahl sich durch den Kollektorspiegel mit streifendem Einfall vom Austrittsende (5) zum Eintrittsende (3) und dann zur LPP- Targetfläche (29) bewegt und die LPP-Targetfläche (29) eine Beschichtung (52) eines LPP-erzeugenden Materials, gebildet auf der obersten Seite eines Substrats (50), umfasst.

    VERDUNSTUNGS-WÄRMEMANAGEMENT VON KOLLEKTOREN MIT STREIFENDEM EINFALL FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE
    43.
    发明专利
    VERDUNSTUNGS-WÄRMEMANAGEMENT VON KOLLEKTOREN MIT STREIFENDEM EINFALL FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE 未知

    公开(公告)号：DE102012008216B4

    公开(公告)日：2017-11-09

    申请号：DE102012008216

    申请日：2012-04-25

    Applicant: MEDIA LARIO SRL

    Inventor： GREK BORIS ,  STEARNS DANIEL ,  CEGLIO NATALE M

    IPC: G02B5/08 ,  G02B5/09 ,  G02B5/10 ,  G03F7/20

    Abstract: Spiegelkühlanordnung (150) für einen Kollektor (100) mit streifendem Einfall (GIC), umfassend: eine GIC-Spiegelschale (110) mit einer reflektiven inneren Fläche (166) und einer entgegengesetzten äußeren Fläche (168); einen Mantel (160) mit einer inneren Fläche und gekoppelt an die GIC-Spiegelschale (110), um eine Kammer (180) mit vorderem und rückwärtigem Ende zu definieren, wobei eine Dampfleitung (240) sich in Flüssigkeitsaustausch-zulassender Verbindung mit der Kammer (180) am rückwärtigen Ende (170L, 170T) befindet; mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J), angeordnet unmittelbar angrenzend und in thermischem Kontakt mit der äußeren Fläche der GIC-Spiegelschale (110); eine Leitung, die mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J) unterstützt und die eine Dampfleitung (240) definiert; und ein Kondensationssystem (250) in Flüssigkeitsaustausch-zulassender Verbindung mit der Leitung und mit der mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J), wobei die mindestens eine Kapillarschicht (200M, 200J) aufgebaut ist, um den Kapillarfluss einer Kühlflüssigkeit (172) vom Kondensationssystem (250) durch die Leitung und durch die Kammer (180) sowie einen Gegenstrom des Kühlflüssigkeitsdampfes (174) durch die Kammer (180), durch die Dampfleitung (240) und zum Kondensationssystem (250) zu unterstützen.

    QUELL-KOLLEKTOR-MODULE FÜR EUV-LITHOGRAPHIE UNTER VERWENDUNG EINES GIC-SPIEGELS UND EINER LPP-QUELLE
    48.
    发明专利
    QUELL-KOLLEKTOR-MODULE FÜR EUV-LITHOGRAPHIE UNTER VERWENDUNG EINES GIC-SPIEGELS UND EINER LPP-QUELLE 未知

    公开(公告)号：DE102013002064A1

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：DE102013002064

    申请日：2013-02-07

    Applicant: MEDIA LARIO SRL

    Inventor： CEGLIO NATALE M ,  STEARNS DANIEL ,  KOOLS JACQUES ,  VALSECCHI GUISEPPE ,  ZOCCHI FABIO ,  BINDA RICCARDO

    IPC: H05G2/00

    Abstract: Quell-Kollektormodul(SoCoMo)-Vorrichtung für ein Extrem-Ultraviolett(EUV)-Lithographiesystem, umfassend: einen Kollektor mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector) mit einer optischen Achse, einem Eintrittsende und einem Austrittsende, mit einem Zwischenfokus angrenzend an das Austrittsende; ein Target mit geringer Masse, das sich entlang der optischen GIC-Achse bei einer ersten Position befindet; mindestens einen ersten Laser, funktionsbereit angeordnet, um mindestens einen ersten Lichtpuls von erster Infrarot(IR)strahlung an die erste Position zu erzeugen, um das Target mit geringer Masse zu bestrahlen, um das Target mit geringer Masse zu verdampfen und zu ionisieren, um ein anfängliches Plasma zu bilden, während ein Teil der ersten IR-Strahlung reflektiert wird, um erste reflektierte IR-Strahlung zu bilden; mindestens einen zweiten Laser, funktionsbereit angeordnet, um mindestens einen zweiten Lichtpuls zu erzeugen, um das anfängliche Plasma zu bestrahlen, um ein endgültiges Plasma zu bilden, das EUV-Strahlung im Wesentlichen isotrop emittiert, und während ein Teil der zweiten IR-Strahlung reflektiert wird, um zweite reflektierte IR-Strahlung zu bilden; und wobei der mindestens erste und der mindestens zweite Laser relativ zum Target mit geringer Masse und dem GIC-Spiegel derart angeordnet sind, dass mindestens die zweite reflektierte IR-Strahlung im Wesentlichen vom GIC-Spiegel nicht gesammelt wird.

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