DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE

    公开(公告)号:FR2984013A1

    公开(公告)日:2013-06-14

    申请号:FR1161410

    申请日:2011-12-09

    Abstract: Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, qui comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) au moins un premier ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre (PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même premier niveau de métallisation, et un corps électriquement conducteur (CPS), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit corps (CPS) dans l'une des configurations et en contact avec ledit corps et immobilisée par ledit corps (CPS) dans l'autre configuration de façon à pouvoir établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre.

    MEMOIRE A STRUCTURE DU TYPE EEPROM ET A LECTURE SEULE

    公开(公告)号:FR2931289A1

    公开(公告)日:2009-11-20

    申请号:FR0853069

    申请日:2008-05-13

    Inventor: FORNARA PASCAL

    Abstract: L'invention concerne une mémoire non volatile (M) comprenant au moins des première et seconde cellules mémoire (CellB), comprenant chacune un transistor MOS à double grille (21, 23) de mémorisation (TB') ayant une couche isolante (22) interposée entre les deux grilles. La couche isolante (22) du transistor de mémorisation (TB') de la seconde cellule mémoire (CellB) comprend au moins une portion (29) moins isolante que la couche isolante du transistor de mémorisation de la première cellule mémoire.

    ELEMENT CAPACITIF DE PUCE ELECTRONIQUE

    公开(公告)号:FR3087027A1

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:FR1871140

    申请日:2018-10-08

    Abstract: La présente description concerne un élément capacitif comprenant une tranchée (104) et, à l'aplomb de la tranchée, des premières portions d'une première couche (220) en oxyde de silicium et des premières portions de deuxième (240) et troisième (120) couches conductrices comprenant du silicium polycristallin ou amorphe, la première portion de la première couche étant entre et en contact avec les premières portions des deuxième et troisième couches.

    ELEMENT ANTI-FUSIBLE COMPACT ET PROCEDE DE FABRICATION

    公开(公告)号:FR3084771A1

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:FR1857122

    申请日:2018-07-31

    Abstract: Le circuit intégré comporte au moins un élément anti-fusible (10), comprenant un empilement d'une première région conductrice (11), d'une couche diélectrique (13), et d'une deuxième région conductrice (15). La première région conductrice (11) est logée dans une tranchée s'étendant depuis une première face (4) d'un substrat semiconducteur (1) en profondeur dans le substrat (1), tandis que la couche diélectrique (13) repose sur la première face (4) du substrat (1) et la deuxième région conductrice (15) repose sur la couche diélectrique (13).

    PROCEDE DE PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE, ET DISPOSITIF CORRESPONDANT

    公开(公告)号:FR3084520A1

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:FR1856886

    申请日:2018-07-25

    Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant des moyens de protection dudit circuit intégré (CI) comportant un corps électriquement conducteur à potentiel flottant (PC) situé dans le circuit intégré (CI) et ayant une quantité initiale de charges électriques, des moyens de détection (MD) configurés pour détecter une quantité de charges électriques (AC) sur ledit corps (PC) différente de la quantité initiale de charges, et des moyens de commande (MCMD) configurés pour déclencher une action de protection si la quantité de charges détectée (AC) est différente de la quantité initiale.

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