公开(公告)号：KR1020100097556A

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020090016552

申请日：2009-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김용태 ,  이우황 ,  김두식 ,  이현주 ,  권영욱

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2201/07 ,  B81B2207/056 ,  B82B3/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858 ,  H01F1/0063 ,  H01F1/0081 ,  H01F1/009 ,  H01F41/34

Abstract: PURPOSE: A magnetic nanoparticle array, a manufacturing method thereof, a magnetic storage medium using thereof, and a nanolaminate structure including thereof are provided to obtain a magnetic nanoparticle through an electro-deposition process using a mesoporous thin film. CONSTITUTION: A nanolaminate structure comprises a substrate(2), and a monocrystal magnetic nanoparticle array including a vertical magnetic anisotropy formed on the substrate. A manufacturing method of the nanolaminate structure comprises the following steps: forming a mesoporous thin film(1) on the substrate; electrodepositing a magnetic nanoparticle inside mesopores of the thin film; and etching the mesoporous thin film.

Abstract translation: 目的：提供磁性纳米颗粒阵列，其制造方法，使用其的磁性存储介质和包括其的纳米级氨基酸结构，以通过使用介孔薄膜的电沉积方法获得磁性纳米颗粒。 构成：纳米材料结构包括基材（2）和包含在基材上形成的垂直磁各向异性的单晶磁性纳米颗粒阵列。 所述纳米材料结构的制造方法包括以下步骤：在所述基材上形成介孔性薄膜（1） 将磁性纳米颗粒电沉积在薄膜的介孔内; 并蚀刻介孔薄膜。

公开(公告)号：JP2006501056A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004539937

申请日：2003-09-24

Applicant: カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー

Inventor： ステファン アール． クエイク， ,  ヴィンセント スツューダー， ,  トッド エー． トーセン， ,  シャオヤン バオ， ,  セバスチャン ジェイ． メイルクル，

IPC: B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/04 ,  F15C3/04 ,  F15C5/00 ,  F16K11/20 ,  F16K99/00

CPC classification number: C12Q1/28 ,  B01L3/5025 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L2300/0861 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0655 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/054 ,  B81B2201/07 ,  B81C1/00119 ,  F15C5/00 ,  F16K11/20 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0059 ,  F16K2099/0074 ,  F16K2099/0076 ,  F16K2099/0078 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  F16K2099/0094 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T137/2224 ,  Y10T137/85938 ,  Y10T137/87249

Abstract: 高密度ミクロ流体チップは、数千個のミクロメカニカルバルブおよび数百個の個別アドレス可能なチャンバを有する配管ネットワークを含む。 これらの流体装置は大規模集積法を用いて作製される電子集積回路（ＬＳＩ）に類似している。 これらのネットワークの一つの構成部品は流体マルチプレクサである。 流体マルチプレクサは、最小限の入力数を用いて複雑な流体操作を可能にすることによってネットワークの処理能力を指数関数的に増大する二進バルブパターンのコンビナトリアルなアレイである。 これらの集積ミクロ流体ネットワークを用いて高度に複雑なさまざまなミクロ流体装置、例えばコンパレータアレイのミクロ流体類似物、および電子ランダムアクセスメモリに類似するミクロ流体メモリ貯蔵素子を構築することができる。

公开(公告)号：JP2003340798A

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：JP2003100068

申请日：2003-04-03

Applicant: Hewlett Packard Co ,  ヒューレット・パッカード・カンパニー

Inventor： IVES THOMAS WAYNE

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/042 ,  B81B2201/07 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MEMS (microelectromechanical system) device in which the comparative size of a movable mass is large.
SOLUTION: A microelectronic machine device 110 comprises the movable mass 112, a frame 114 supporting the movable mass 112, and a flexure 10 extending between the movable mass 112 and the frame 114. The flexure 10 includes an integrated actuator 18 moving the movable mass 112 relatively to the frame 114.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种MEMS（微机电系统）装置，其中可移动质量块的尺寸比较大。 解决方案：微电子机器装置110包括可移动质量块112，支撑可移动质量块112的框架114以及在可移动质量块112和框架114之间延伸的挠曲件10.挠曲件10包括一体的致动器18， 可移动块体112相对于框架114。版权所有（C）2004，JPO

公开(公告)号：KR101062676B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020090016552

申请日：2009-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김용태 ,  이우황 ,  김두식 ,  이현주 ,  권영욱

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2201/07 ,  B81B2207/056 ,  B82B3/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858 ,  H01F1/0063 ,  H01F1/0081 ,  H01F1/009 ,  H01F41/34

Abstract: 본 발명은 수직 자기이방성을 가지는 자성 나노 입자를 포함하는 나노 적층 구조물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기저장매체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다공성 박막을 주형으로 하고 전기적 증착 방법을 통해 자성 나노 입자를 상기 박막의 동공 내에 증착시켜 나노 적층물을 제조함으로써, 상기 나노 입자의 간격이 균일하고 크기가 작으며, 나노 입자 간의 극성상호작용을 받지 않아 각각 자성을 가지뿐만 아니라 수직방향의 자성 특성을 구현할 수 있는 자성 나노 입자를 포함하는 나노 적층 구조물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기저장매체에 관한 것이다.
박막 나노 적층 구조물, 자성 나노 입자, 메조 동공 박막, 나노자성체, 자기저장매체

公开(公告)号：TW200946443A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW097116328

申请日：2008-05-02

Applicant: 國立中正大學

Inventor： 鄭友仁 ,  譚仲明

IPC: B81C

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2201/07 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本發明係揭露一種於材料表面上產生奈米圖案之方法，其步驟至少包含覆上一可控制晶格方向之薄膜，提供一奈米壓痕動作，係作用於可控制晶格方向之薄膜上，以及於可控制晶格方向之薄膜上一特定位置產生一壓痕，致使於一特定方向上產生至少一突點，其突點可為一圖案，可用於資料儲存等應用。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种于材料表面上产生奈米图案之方法，其步骤至少包含复上一可控制晶格方向之薄膜，提供一奈米压痕动作，系作用于可控制晶格方向之薄膜上，以及于可控制晶格方向之薄膜上一特定位置产生一压痕，致使于一特定方向上产生至少一突点，其突点可为一图案，可用于数据存储等应用。

公开(公告)号：TW200603322A

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：TW094117644

申请日：2005-05-30

Applicant: 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： 陳清華 CHEN, CHIEN-HUA ,  陳 約翰 CHEN, JOHN ,  瑞瑪穆思 斯里蘭 RAMAMOORTHI, SRIRAM

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/07

Abstract: 所揭係為一種用來在一基材上製成一單晶懸臂與尖梢的方法。該方法可包括以一層光阻在該基材上界定一植入區的操作。再一操作係將氧植入該植入區內的基材中至一預定深度來形成一埋入氧化物層。該埋入氧化物層會形成該單晶懸臂與尖梢的底部。另一操作包括由該埋入氧化物層上方的基材來成形該單晶懸臂與尖梢。

Abstract in simplified Chinese: 所揭系为一种用来在一基材上制成一单晶悬臂与尖梢的方法。该方法可包括以一层光阻在该基材上界定一植入区的操作。再一操作系将氧植入该植入区内的基材中至一预定深度来形成一埋入氧化物层。该埋入氧化物层会形成该单晶悬臂与尖梢的底部。另一操作包括由该埋入氧化物层上方的基材来成形该单晶悬臂与尖梢。

公开(公告)号：TWI405711B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW097116328

申请日：2008-05-02

Applicant: 國立中正大學 ,  NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY

Inventor： 鄭友仁 ,  JENG, YEAU REN ,  譚仲明 ,  TAN, CHUNG MING

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2201/07 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/149 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49155