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公开(公告)号：KR1020080066781A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：KR1020087011016
申请日：2005-10-10
Applicant: 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드
Inventor： 실버브룩키아
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2002/14403 , B41J2002/14475 , B41J2202/11 , B81B2201/032 , B81B2201/052 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0108 , B81C2201/0126
Abstract: A method of forming a suspended beam in a MEMS process is disclosed. In the process a pit (8) is etched into a substrate (5). Sacrificial material (10) is deposited in the pit (8) and on the surrounding substrate surface. The sacrificial material (10) is then removed from the surrounding substrate surface and from the periphery of the pit (8) so that there is a gap between the sacrificial material and at least two sidewalls of the pit. The sacrificial material is then heated so that it reftows such that the remaining sacrificial material contacts the sidewalls of the pit. Material for the beam (12), which is typically a metal, is then deposited on the substrate surface and the reflowed sacrificial material, and the sacrificial material is then removed to form the suspended beam. The beam could be used as the heating element in an inkjet printer.
Abstract translation: 公开了一种在MEMS工艺中形成悬挂梁的方法。 在该过程中，凹坑（8）被蚀刻到衬底（5）中。 牺牲材料（10）沉积在凹坑（8）中和周围的基底表面上。 然后将牺牲材料（10）从周围的衬底表面和凹坑（8）的周边移除，使得在牺牲材料和凹坑的至少两个侧壁之间存在间隙。 然后将牺牲材料加热，使得其牺牲使得剩余的牺牲材料接触凹坑的侧壁。 然后将通常为金属的梁（12）的材料沉积在衬底表面和回流牺牲材料上，然后去除牺牲材料以形成悬挂梁。 该光束可用作喷墨打印机中的加热元件。
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公开(公告)号：JP2015523716A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015513329
申请日：2013-05-21
Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor： リー，ユイチョウ , マルテン ノラー，バスティアン , マルテン ノラー，バスティアン , ジロー，クリストフ , フランツ，ディアナ
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B81C2201/0121 , B81C2201/0123 , B81C2201/0126 , H01L21/02024 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , H01L21/461
Abstract: 【課題】特定の非イオン界面活性剤を含むCMP組成物下で、III−V材料を化学機械研磨(CMP)する、半導体装置の製造方法。【解決手段】(A)無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、(B)少なくとも1種の両親媒性非イオン界面活性剤と、(M)水性媒体とを含む化学機械研磨組成物の存在下で、少なくとも1種のIII−V材料を含む層又は基板を、化学機械研磨する半導体装置の製造方法であって、両親媒性非イオン界面活性剤が(b1)少なくとも1種の疎水性基と、(b2)ポリアルキレン基からなる群より選択される少なくとも1種の親水性基とを持ち、当該ポリオキシアルキレン基が、(b22)オキシエチレン単位以外のオキシアルキレンモノマーを含む。
Abstract translation: 甲在CMP组合物含有特定的非离子表面活性剂，III-V族材料，以化学机械研磨（CMP），一种制造半导体器件的方法。 （A）无机粒子，有机粒子，或它们的混合物或复合物，（B）的化学机械抛光组合物，其包含至少一种两亲性非离子型表面活性剂，和（M）含水介质 在该目的，一个层或衬底包含至少一种III-V族材料，用于半导体装置中，所述两亲性非离子表面活性（b1）中的至少一种化学机械抛光的制造方法的存在 具有疏水性基团，和选自（b2）的聚亚烷基组成的组中选择的至少一种亲水基团，所述聚氧化烯基包括比（B22）氧化乙烯单元以外的氧化烯单体。
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公开(公告)号：JP2012191052A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2011054334
申请日：2011-03-11
Applicant: Toshiba Corp , 株式会社東芝
Inventor： SAITO TOMOHIRO
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/018 , B81B2201/0221 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0126
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS capable of obtaining excellent element characteristics.SOLUTION: A MEMS manufacturing method comprises: a step of forming a lower electrode 12A on a substrate 10; a step of forming an auxiliary structure 13A which is brought into an electrically floating state so as to be adjacent to the lower electrode 12A, on the substrate 10; a step of forming a sacrificial film on the lower electrode 12A, the auxiliary structure 13A, and the substrate 10; a step of forming an upper electrode 16 on the sacrificial film; and a step of removing the sacrificial film and disposing the upper electrode 16 above the lower electrode 12A via a cavity 21A. The sacrificial films formed on the lower electrode 12A and the auxiliary structure 13A have a flat upper surface. The upper electrode 16 formed on the sacrificial film has a flat lower surface.
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够获得优异的元件特性的MEMS。 解决方案：MEMS制造方法包括：在基板10上形成下电极12A的步骤; 在基板10上形成与下部电极12A相邻的电浮动状态的辅助结构13A的工序; 在下电极12A，辅助结构13A和基板10上形成牺牲膜的步骤; 在牺牲膜上形成上电极16的步骤; 以及去除牺牲膜并经由空腔21A将上电极16设置在下电极12A上方的步骤。 形成在下电极12A和辅助结构13A上的牺牲膜具有平坦的上表面。 形成在牺牲膜上的上电极16具有平坦的下表面。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2005538570A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：JP2004538829
申请日：2003-08-22
Inventor： クエンザー，ハンス−ヨアヒム , シュルツ，アルネ，ヴァイト , メルツ，ピーター
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0126 , C03B19/02 , C03B23/02
Abstract: ガラスタイプの材料からなる平面基板の構造化方法が開示されており、この方法は、減厚表面区域に対して盛上った表面区域を得るように、その少なくとも1つの表面区域内で平面半導体基板厚を削減するステップと、平面半導体基板の盛上った表面区域を、盛上った表面区域内に陥凹部を導入するように機械的な方法で局所的に材料を除去することによって構造化するステップと、ガラスタイプの平面基板の少なくとも一部分が、減厚表面区域を覆うように、この平面半導体基板の構造化表面をガラスタイプの平面基板に接続するステップと、陰圧条件で実施される第1加熱段階において、この接続した平面基板が、この減厚表面区域に沿って液密接続を形成し、陰圧条件で液密なかたちで陥凹部を覆い、直後に第2加熱段階において、ガラス状材料の少なくともいくつかの区域がこの平面半導体基板の構造化表面の陥凹部内に流れるように、減厚表面区域を覆うガラスタイプの平面基板を加熱するステップとを特徴とする。 ガラスタイプの平面基板およびその用途も開示されている。
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45.发明公开특정 비이온 계면활성제를 포함하는 화학 기계 연마 (CMP) 조성물의 존재하에서 III-V 재료의 CMP를 포함하는 반도체 디바이스들의 제조 방법 审中-实审在包含特定非离子表面活性剂的CMP组合物存在下，包含III-V材料的化学机械抛光（CMP）的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020150014982A
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020147035824
申请日：2013-05-21
Applicant: 바스프 에스이
IPC: C09K3/14 , H01L21/321 , H01L21/306 , C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , B81C2201/0121 , B81C2201/0123 , B81C2201/0126 , H01L21/02024 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , H01L21/461 , C09K3/1454
Abstract: 반도체 디바이스들의 제조 방법으로서
화학 기계 연마 조성물 (Q1) 의 존재하에서 적어도 하나의 III-V 재료를 함유하는 기판 또는 층을 화학 기계 연마하는 단계를 포함하고, 상기 화학 기계 연마 조성물 (Q1) 은
(A) 무기 입자들, 유기 입자들 또는 이들의 혼합물 또는 복합물,
(B) 적어도 하나의 양친매성 (amphiphilic) 비이온 계면활성제로서
(b1) 적어도 하나의 소수성 기; 및
(b2) 폴리옥시알킬렌 기들로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 친수성 기를 갖고 상기 폴리옥시알킬렌 기들은
(b22) 옥시에틸렌 모노머 단위들 외의 옥시알킬렌 모노머 단위들을 포함하는,
상기 적어도 하나의 양친매성 비이온 계면활성제; 및
(M) 수성 매질
을 포함하는, 반도체 디바이스들의 제조 방법.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100885795B1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070048629
申请日：2007-05-18
Applicant: 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0126 , C09K13/02 , H01L21/32134 , H01L29/6675
Abstract: 본 발명은 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액 및 이 용액을 사용하여 기판 상에 침착된 비정질 실리콘 막을 저온 폴리실리콘(LTPS) 어닐링하여 제조한 폴리실리콘 막의 대체로 평면인 표면으로부터 대체로 위쪽으로 뻗은 돌출부 또는 돌기를 줄이거나 또는 본질적으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 대체로 평면인 폴리실리콘 막의 표면과 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액을, 대체로 평면인 폴리실리콘 막을 현저하게 에칭하지는 않으면서 대체로 평면인 폴리실리콘 막의 표면으로부터 돌출부 또는 돌기를 선택적으로 에칭하기에 충분한 시간 동안 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액은 12 이상의 pH를 가지며, 물, 1종 이상의 강염기, 및 1종 이상의 에칭 속도 조절제를 포함한다.
폴리실리콘 평탄화 용액, 저온 폴리실리콘, 강염기, 에칭 조절제-
公开(公告)号：KR101000212B1
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020087011016
申请日：2005-10-10
Applicant: 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드
Inventor： 실버브룩키아
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2002/14403 , B41J2002/14475 , B41J2202/11 , B81B2201/032 , B81B2201/052 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0108 , B81C2201/0126
Abstract: ＭＥＭＳ공정에서 현수형 빔을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은,
(a) 베이스(base)와 측벽들(sidewalls)을 갖는 피트(pit)를 기판에 에칭하는 단계(etching);
(b) 상기 피트를 채울 수 있도록 상기 기판의 표면에 희생물질(sacrificial material)을 퇴적하는 단계(depositing);
(c) 상기 피트 내의 둘레영역(perimeter region)과 상기 피트를 둘러싸는 기판 표면으로부터 상기 희생물질을 제거하는 단계(removing);
(d) 상기 피트 내의 잔류 희생물질을 역류시켜(reflowing) 상기 잔류 희생물질이 상기 측벽들과 접촉하게 하는 단계;
(e) 상기 기판 표면 및 역류된 희생물질 위에 빔 물질(beam material)을 퇴적하는 단계; 및
(f) 상기 역류된 희생물질을 제거하여 현수형 빔을 형성하는 단계; 를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020080096332A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：KR1020070048629
申请日：2007-05-18
Applicant: 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0126 , C09K13/02 , H01L21/32134 , H01L29/6675
Abstract: A polysilicon planarization solution is provided to etch selectively projections protruded from a surface of polysilicon thin film using the aqueous and strongly base type solution. A method for planarizing low temperature polysilicon thin film panels includes the step of maintaining the state that polysilicon planarization solution and a polysilicon thin film are contacted for a while to etch projections protruded from a surface of the polysilicon thin film. The polysilicon layer is mostly the plane. The polysilicon planarization solution is highly aqueous and strongly base type. The polysilicon planarization solution has more than 12pH. The polysilicon planarization solution comprises water, and at least one etching speed control agent, and at least one strong base.
Abstract translation: 提供多晶硅平坦化溶液以使用水性和强碱型溶液选择性地蚀刻从多晶硅薄膜的表面突出的突起。 用于平面化低温多晶硅薄膜面板的方法包括保持多晶硅平坦化溶液和多晶硅薄膜一段时间接触以蚀刻从多晶硅薄膜的表面突出的突起的状态的步骤。 多晶硅层主要是平面。 多晶硅平坦化溶液是高水性和强碱性的。 多晶硅平坦化解决方案具有12pH以上的优点。 多晶硅平坦化溶液包括水和至少一种蚀刻速度控制剂，以及至少一个强碱。
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公开(公告)号：JP6336009B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2016220903
申请日：2016-11-11
Applicant: キヤノン株式会社
Inventor： クスナトディノフ ニャーズ , ラブレイク エル ドウェイン
IPC: B29C59/02 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0273 , B81C1/00611 , B81C2201/0118 , B81C2201/0121 , B81C2201/0126 , H01L21/28194 , H01L21/30604 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/7684
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公开(公告)号：JP5526061B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2011054334
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社東芝
Inventor： 友博 齋藤
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/018 , B81B2201/0221 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0126
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