公开(公告)号：EP1208002A4

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：EP00939410

申请日：2000-05-30

Applicant: PENN STATE RES FOUND

Inventor： FONASH STEPHEN J ,  KALKAN ALI KAAN ,  BAE SANGHOON

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/12 ,  G01N27/447 ,  H01J49/04 ,  H01J49/16 ,  B32B3/10 ,  C23C10/06 ,  C23C16/06 ,  H05H1/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/018 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/121 ,  G01N27/44717 ,  G01N30/6095 ,  H01J49/0418 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/249953

Abstract: A novel porous film is disclosed comprising a network of silicon columns in a continuous void which may be fabricated using high density plasma deposition at low temperatures, i.e., less than about 250 ° C. This silicon film is a two-dimensional nano-sized array of rodlike columns. This void-column morphology can be controlled with deposition conditions and the porosity can be varied up to 90%. The simultaneous use of low temperature deposition and etching in the plasma approach utilized, allows for the unique opportunity of obtaining columnar structure, a continuous void, and polycrystalline column composition at the same time. Unique devices may be fabricated using this porous continuous film by plasma deposition of this film on a glass, metal foil, insulator or plastic substrates.

Abstract translation: 公开了一种新颖的多孔膜，其包括在连续空隙中的硅柱网络，其可以在低温即低于约250℃下使用高密度等离子体沉积来制造。该硅膜是二维纳米尺寸阵列 的棒状柱。 这种空隙柱形态可以用沉积条件控制，并且孔隙度可以变化高达90％。 在所采用的等离子体方法中同时使用低温沉积和蚀刻允许在同时获得柱状结构，连续空隙和多晶柱组成的独特机会。 可以使用该多孔连续膜通过将该膜等离子体沉积在玻璃，金属箔，绝缘体或塑料基底上来制造独特的器件。

公开(公告)号：EP1379463A2

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：EP02712794.3

申请日：2002-02-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01F1/699

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).

公开(公告)号：WO2010134302A2

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：PCT/JP2010003253

申请日：2010-05-13

Applicant: CANON KK ,  CHANG CHIENLIU

Inventor： CHANG CHIENLIU

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0139

Abstract: A capacitive electromechanical transducer includes a substrate, a cavity formed by a vibrating membrane held above the substrate with a certain distance between the vibrating membrane and the substrate by supporting portions arranged on the substrate, a first electrode whose surface is exposed to the cavity, and a second electrode whose surface facing the cavity is covered with an insulating film, wherein the first electrode is provided on a surface of the substrate or a lower surface of the vibrating membrane and the second electrode is provided on a surface of the vibrating membrane or a surface of the substrate so as to face the first electrode. In this transducer, fine particles composed of an oxide film of a substance constituting the first electrode are arranged on the surface of the first electrode, and the diameter of the fine particles is 2 to 200 nm.

Abstract translation: 一种电容式机电换能器，包括基板，由振动膜形成的空腔，该振动膜通过支撑布置在基板上的部分而在振动膜和基板之间具有一定距离而保持在基板上方，其表面暴露于空腔中的第一电极， 面向空腔的表面的第二电极被绝缘膜覆盖，其中第一电极设置在基板的表面或振动膜的下表面上，第二电极设置在振动膜的表面上或 基板的表面以面对第一电极。 在该换能器中，由构成第一电极的物质的氧化物膜构成的微粒子配置在第一电极的表面上，微粒的直径为2〜200nm。

公开(公告)号：WO02081363A3

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：PCT/DE0200608

申请日：2002-02-21

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

Inventor： BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT ,  SCHAEFER FRANK

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01F1/699

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component (100; ...; 700), particularly a multilayer semiconductor component, preferably a micromechanical component such as, in particular, a heat-conducting sensor, which has a semiconductor substrate (101), particularly made of silicon, and a sensor area (404). The aim of the invention is to economically produce a thermal insulation between the semiconductor substrate (101) and the sensor area (404). To this end, a porous layer (104; 501) is provided in the semiconductor component (100; ...; 700).

Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。

公开(公告)号：WO2002081363A2

公开(公告)日：2002-10-17

申请号：PCT/DE2002/000608

申请日：2002-02-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0278 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100; ...; 700), insbesondere ein mehrschichtiges Halbleiterbauelement, vorzugsweise ein mikromechanisches Bauelement, wie insbesondere ein Wärmeleitsensor, das ein Halbleitersubstrat (101), wie insbesondere aus Silizium, und einen Sensorbereich (404) aufweist. Zur kostengüngstigen Herstellung einer thermischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat (101) und dem Sensorbereich (404) wird erfindungsgemäss eine poröse Schicht (104; 501) in dem Halbleiterbauelement (100; ...; 700) vorgesehen.

Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种用于制造半导体器件（100; ...; 700），特别是多层半导体元件，优选为微机械部件，特别是传热传感器，包括一个半导体衬底（101），特别是由硅制成的，以及传感器区 具有（404）。 Kostengüngstigen用于制造半导体衬底（101）和根据本发明的传感器区域（404）之间的热绝缘的多孔层（104; 501）中的半导体装置（100; ...; 700）被提供。