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公开(公告)号：CN1495293A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: PTS公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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公开(公告)号：CN1160186C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3)，包含在连续空隙中的硅柱网络，可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙-柱形态可以用沉积条件控制，孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN1379712A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3),包含在连续空隙中的硅柱网络,可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙－柱形态可以用沉积条件控制,孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN103373700A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310133319.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 , 安德烈亚斯·贝伦特 , 索克拉蒂斯·斯古里迪斯 , 伯恩哈德·温克勒 , 马丁·泽加加
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2203/033 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0139 , H01L21/3063
Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。
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公开(公告)号：CN103373700B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310133319.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 凯-亚历山大·施雷贝尔 , 安德烈亚斯·贝伦特 , 索克拉蒂斯·斯古里迪斯 , 伯恩哈德·温克勒 , 马丁·泽加加
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2203/033 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0139 , H01L21/3063
Abstract: 一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1495293B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 阿尔特拉公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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7.发明申请公开(公告)号：US20160118265A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：US14988895
申请日：2016-01-06
Inventor： Lynford Goddard , Kaiyuan Wang , Chris Edwards , Lonna Edwards , Xin Yu , Gang Logan Liu , Samuel Washington , Shailendra Srivastava , Terry Koker , Julianne Lee , Catherine Britt Carlson
IPC: H01L21/306 , H01L31/0236 , H01L21/768 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L21/30604 , B81C1/00103 , B81C1/00111 , B81C1/00119 , B81C1/00214 , B81C1/00484 , B81C1/00539 , B81C1/00595 , B81C2201/0114 , B81C2201/0139 , B81C2201/0157 , C25F3/12 , C25F3/14 , G01B11/2441 , H01L21/30617 , H01L21/3063 , H01L21/76886 , H01L22/12 , H01L31/02327 , H01L31/02363
Abstract: Methods and apparatus for subtractively fabricating three-dimensional structures relative to a surface of a substrate and for additively depositing metal and dopant atoms onto the surface and for diffusing them into the bulk. A chemical solution is applied to the surface of the semiconductor substrate, and a spatial pattern of electron-hole pairs is generated by projecting a spatial pattern of illumination characterized by a specified intensity, wavelength and duration at each pixel of a plurality of pixels on the surface. An electrical potential is applied across the interface of the semiconductor and the solution with a specified temporal profile relative to the temporal profile of the spatial pattern of illumination. Such methods are applied to the fabrication of a photodetector integral with a parabolic reflector, cell size sorting chips, a three-dimensional photonic bandgap chip, a photonic integrated circuit, and an integrated photonic microfluidic circuit.
Abstract translation: 用于相对于衬底的表面相对地制造三维结构并用于在表面上相加地沉积金属和掺杂剂原子并将其扩散到本体中的方法和装置。 将化学溶液施加到半导体衬底的表面，并且通过将在特定强度，波长和持续时间上的特定的照明的空间图案投影在多个像素的每个像素上来产生电子 - 空穴对的空间图案 表面。 相对于照明的空间模式的时间分布，电势跨越半导体和解决方案的界面以特定的时间分布被施加。 这种方法适用于与抛物面反射器，单元尺寸分选芯片，三维光子带隙芯片，光子集成电路和集成光子微流体电路集成的光电检测器的制造。
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8.发明公开Surfactant-enhanced protection of micromechanical components from galvanic degradation 审中-公开通过使用表面活性剂从电分解改进的保护微机械元件
公开(公告)号：EP1403211A2
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：EP03255693.8
申请日：2003-09-11
Applicant: PTS Corporation
Inventor： Staple, Bevan , Buriak, Jilian
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
Abstract: A microelectromechanical structure is formed by depositing sacrificial and structural material over a substrate to form a structural layer on a component electrically attached with the substrate (step 102). The galvanic potential of the structural layer is greater than the galvanic potential of the component. At least a portion of the structural material is covered with a protective material that has a galvanic potential less than or equal to the galvanic potential of the component (step 104 or 106). The sacrificial material is removed with a release solution (step 108 or 110). At least one of the protective material and release solution is surfactanated, the surfactant functionalizing a surface of the component.
Abstract translation: 形成微机电结构涉及沉积牺牲和结构材料在底物，至少覆盖所述结构层的一部分与保护性材料，其中所述保护性材料构成的电势小于或等于所述组件的电势，并 用剥离溶液除去牺牲材料。 形成微机电结构涉及沉积牺牲和结构材料在基材以形成与基材，其中，所述结构层构成的电势比所述部件的电势更高的电连接的部件上的结构层; 至少覆盖有保护性材料，其中所述保护性材料构成的电势小于或等于所述组件的电势，所述结构层的一部分; 并用剥离溶液，其中该释放溶液和保护材料中的至少一个被surfactanated除去牺牲材料。 因此独立claimsoft被包括为用于制造装置，其包括沉积材料在基板的层的方法，至少覆盖材料层的一部分与保护材料，浸渍基材电解质在一个，以及将 电解质和基板之间的电势差。
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公开(公告)号：US09708182B2
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：US14838988
申请日：2015-08-28
Applicant: Infineon Technologies AG
Inventor： Andreas Behrendt , Kai-Alexander Schreiber , Sokratis Sgouridis , Martin Zgaga , Bernhard Winkler
IPC: H01L21/00 , B81C1/00 , B81B3/00 , H01L21/3063
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B3/0021 , B81B3/0094 , B81B2203/033 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C2201/0139 , H01L21/3063
Abstract: A method for producing at least one cavity within a semiconductor substrate includes dry etching the semiconductor substrate from a surface of the semiconductor substrate at at least one intended cavity location in order to obtain at least one provisional cavity. The method includes depositing a protective material with regard to a subsequent wet-etching process at the surface of the semiconductor substrate and at cavity surfaces of the at least one provisional cavity. Furthermore, the method includes removing the protective material at least at a section of a bottom of the at least one provisional cavity in order to expose the semiconductor substrate. This is followed by electrochemically etching the semiconductor substrate at the exposed section of the bottom of the at least one provisional cavity. A method for producing a micromechanical sensor system in which this type of cavity formation is used and a corresponding MEMS are also disclosed.
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公开(公告)号：US08426235B2
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：US13319970
申请日：2010-05-13
Applicant: Chienliu Chang
Inventor： Chienliu Chang
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/0127 , B81C1/00476 , B81C2201/0139
Abstract: A capacitive electromechanical transducer includes a substrate, a cavity formed by a vibrating membrane held above the substrate with a certain distance between the vibrating membrane and the substrate by supporting portions arranged on the substrate, a first electrode whose surface is exposed to the cavity, and a second electrode whose surface facing the cavity is covered with an insulating film, wherein the first electrode is provided on a surface of the substrate or a lower surface of the vibrating membrane and the second electrode is provided on a surface of the vibrating membrane or a surface of the substrate so as to face the first electrode. In this transducer, fine particles composed of an oxide film of a substance constituting the first electrode are arranged on the surface of the first electrode, and the diameter of the fine particles is 2 to 200 nm.
Abstract translation: 一种电容式机电换能器，包括基板，由振动膜形成的空腔，该振动膜通过支撑布置在基板上的部分而在振动膜和基板之间具有一定距离而保持在基板上方，其表面暴露于空腔中的第一电极， 面向空腔的表面的第二电极被绝缘膜覆盖，其中第一电极设置在基板的表面或振动膜的下表面上，第二电极设置在振动膜的表面上或 基板的表面以面对第一电极。 在该换能器中，由构成第一电极的物质的氧化物膜构成的微粒子配置在第一电极的表面上，微粒的直径为2〜200nm。
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