公开(公告)号：JP2015019310A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2013146346

申请日：2013-07-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： SANO TAKAHIRO ,  NAONO TAKAYUKI

IPC: H03H9/17 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01L9/08 ,  G01P15/09 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176 ,  G01C19/56 ,  G01P15/09 ,  G01P2015/084 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/319 ,  H03H9/17 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0414 ,  H04R17/10 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 【課題】共振周波数安定性を高めるダイアフラム型共振MEMSデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の第1の面に、熱酸化により、又は900℃以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第1のシリコン酸化膜、絶対値が100[MPa]以下の応力を有する第2のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層し、シリコン基板の第1の面の反対側の面を深堀り反応性イオンエッチングにより第1のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成する。第1のシリコン酸化膜の膜厚をt1、第2のシリコン酸化膜の膜厚をt2、第1のシリコン酸化膜と第2のシリコン酸化膜における第2のシリコン酸化膜の厚さの割合t2/(t1+t2)をR2とすると、0.10[μm]≦̸t1≦̸2.00[μm]、かつ、R2≧0.70を満たす。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高谐振频率稳定性的膜片式共振MEMS器件，以及制造隔膜式谐振MEMS器件的方法。解决方案：通过热氧化形成的第一氧化硅膜或包括热处理的工艺 900℃以上，绝对值为100 [MPa]以下的应力的第二氧化硅膜，下电极，压电膜和上电极依次层叠在硅基板的第一面上 并且通过深反应离子蚀刻蚀刻在与第一表面相对的一侧上的硅衬底的表面，直到到达第一氧化硅膜，从而形成凹部。 当第一氧化硅膜的厚度定义为t时，第二氧化硅膜的厚度被定义为t，并且第二氧化硅膜的厚度相对于第二氧化硅膜的厚度的比率t /（t + t） 第一氧化硅膜和第二氧化硅膜的厚度定义为R2，0.10 [μm]≤t≤2.00[μm]，R≥0.70。

公开(公告)号：JP2014531614A

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：JP2014529775

申请日：2012-08-30

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： チュアン・プ ,  イ・タオ ,  チャンドラ・エス・トゥペリ ,  コスタディン・ディー・ドョルディエフ ,  ファン・ジョン ,  リフイ・ヒ ,  ウェンユエ・チャン

IPC: G02B26/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H02N11/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/019 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017

Abstract: 本開示は、可動層を制御するためのシステム、方法、および装置を提供する。一態様では、電気機械システムデバイスは、基板と、ギャップを画定するために基板の上に配置された可動層とを含む。可動層は、ギャップ中で作動位置と緩和位置との間で可動であり、ミラー層と、キャップ層と、ミラー層とキャップ層との間に配設された誘電体層とを含む。可動層は、可動層が緩和位置にあるとき、基板から離れる方向に湾曲を有するように構成される。いくつかの実施態様では、可動層は、犠牲層が除去されるときに可動層の湾曲を上方へ向けることができる、基板のほうへ向けられた正の応力勾配を有するように形成され得る。

Abstract translation: 本发明提供了一种系统，用于控制可移动层，方法，和装置。 在一个实施例中，机电系统器件包括衬底，位于所述衬底以界定间隙在可移动层。 可移动层是在工作位置和在所述间隙中的松弛位置，包括一个反射镜层，和盖层，以及设置在所述反射镜层和覆盖层之间的电介质层之间移动。 所述可移动层时所述可移动层处于松弛位置，配置成具有的方向上的曲率远离衬底。 在一些实施例中，可移动层可以被引导向上当牺牲层被移除所述可移动层的弯曲，也可以形成为具有朝向基底引导的正应力梯度。

公开(公告)号：JP4535547B2

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：JP2000031704

申请日：2000-02-09

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： パオロ・フェラーリ ,  ピエトロ・モンタニーニ ,  ベネデット・ヴィーニャ ,  マルコ・フェルレア ,  ローラ・カストルディ

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/017 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

公开(公告)号：JP2007165927A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：JP2007029141

申请日：2007-02-08

Applicant: Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw ,  アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェInteruniversitair Micro−Elektronica Centrum Vzw

Inventor： FIORINI PAOLO ,  SEDKY SHERIF ,  CAYMAX MATTY ,  BAERT CHRISTIAAN

IPC: G01J1/02 ,  H01L37/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/20 ,  H01L21/205 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C2201/017 ,  G01J5/20 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of controlling internal stress in a polycrystalline silicon-germanium layer laminated on a substrate.
SOLUTION: The method of controlling internal stress in a polycrystalline silicon-germanium layer laminated on a substrate includes a step of selecting a range of internal stress in the silicon-germanium layer, a step of selecting evaporation pressure, and a step of evaporation temperature; and at least one of evaporation pressure and evaporation temperature is selected so that internal stress in the silicon-germanium layer becomes within the selected range.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种控制层压在基板上的多晶硅锗层中的内应力的方法。 解决方案：层压在基板上的多晶硅锗层中控制内部应力的方法包括选择硅锗层内部应力范围的步骤，选择蒸发压力的步骤，以及步骤 蒸发温度; 并且选择蒸发压力和蒸发温度中的至少一个，使得硅 - 锗层中的内应力在所选择的范围内。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR1020140068167A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147009204

申请日：2012-08-30

Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.

Inventor： 푸,찬 ,  타오,이 ,  투펠리,찬드라에스. ,  드조르제브,코스타딘디. ,  종,판 ,  헤,리후이 ,  장,웬유

IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/019 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017

Abstract: 본 개시내용은 이동가능 층을 제어하기 위한 시스템들, 방법들 및 장치를 제공한다. 일 양상에서, 전기기계 시스템 디바이스는 갭을 정의하기 위하여 기판 및 기판위에 배치된 이동가능 층을 포함한다. 이동가능 층은 작동 위치와 릴랙스 위치 사이의 갭내에서 이동가능하며, 미러층, 캡층, 및 미러층과 캡층 사이에 배치된 유전체층을 포함한다. 이동가능 층은 이동가능 층이 릴랙스 위치에 있을때 기판으로부터 멀어지는 방향의 만곡부를 가지도록 구성된다. 일부 구현들에서, 이동가능 층은 희생층이 제거될때 이동가능 층을 위쪽으로 향해 이동가능 층의 만곡부를 유도할 수 있는, 기판쪽으로 향하는 양의 응력 기울기를 가지도록 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090101231A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020097014579

申请日：2007-12-10

Applicant: 엔엑스피 비 브이

Inventor： 스티네켄피터지

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/016 ,  B81C2201/017 ,  Y10T29/49105

Abstract: The present invention relates to MEMS device that comprises a first electrode, and a second electrode suspended with a distance to the first electrode with the aid of a suspension structure. The MEMS device further comprises at least one deformation electrode. The second electrode or the suspension structure or both are plastically deformable upon application of an electrostatic deformation force via the deformation electrode. This way, variations in the off-state position of the second electrode that occur during fabrication of different devices or during operation of a single device can be eliminated.

Abstract translation: 本发明涉及一种MEMS器件，其包括第一电极和借助于悬挂结构悬挂至第一电极一定距离的第二电极。 MEMS器件还包括至少一个变形电极。 当通过变形电极施加静电变形力时，第二电极或悬架结构或两者均可塑性变形。 这样，可以消除在制造不同装置期间或在单个装置的操作期间发生的第二电极的截止状态位置的变化。

公开(公告)号：JP6180211B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2013146346

申请日：2013-07-12

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 佐野 貴洋 ,  直野 崇幸

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10 ,  G01P15/09 ,  G01L9/08 ,  H03H9/17

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C1/00666 ,  G01C19/56 ,  G01P15/09 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/319 ,  H03H9/17 ,  H04R17/10 ,  H04R31/00 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176 ,  G01P2015/084 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0414 ,  H04R2201/003

公开(公告)号：JPWO2013011864A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013524661

申请日：2012-07-10

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 圭一 梅田 ,  圭一 梅田

IPC: H01G5/011 ,  H01G5/00 ,  H01G5/04

CPC classification number: H01B1/02 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C1/00698 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0181 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  H01G4/33 ,  H01G5/16 ,  H03H9/131 ,  H03H9/173 ,  H03H9/2457 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2009/02291

Abstract: タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層(7A)と、下地層(7A)の上に形成された主電極層(7B)とを有する薄膜電極(7)を備え、下地層(7A)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層(7B)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス(1)。

Abstract translation: 在薄膜器件，其包括一个薄膜电极，包括由钨制成的主电极层时，要认识到，薄膜电极具有低电阻率。 底层和（7A），设置有薄膜电极（7）具有形成在基底层（7A）（图7B）时，基极层（7A）上的主电极层时，晶体结构的表面形态是波纹状 由具有主电极层（7B），钨的具有晶体结构，该结构是波纹形的表面形态钛 - 钨合金制成，薄膜器件（1）。

公开(公告)号：JP5084841B2

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：JP2009540933

申请日：2007-12-10

Applicant: エヌエックスピー ビー ヴィNxp B.V.

Inventor： ヘー スティネケン ペーター

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/016 ,  B81C2201/017 ,  Y10T29/49105

公开(公告)号：JP2010512253A

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：JP2009540933

申请日：2007-12-10

Applicant: エヌエックスピー ビー ヴィNxp B.V.

Inventor： ヘー スティネケン ペーター

IPC: B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/016 ,  B81C2201/017 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本発明は、第１電極、及び懸架構造を利用して第１電極から少し離れて懸架された第２電極を具えたＭＥＭＳデバイスに関するものである。 このＭＥＭＳデバイスはさらに、少なくとも１つの変形電極を具えている。 第２電極または懸架構造、あるいはその両方は、変形電極を介して静電変形力を加えると塑性変形可能である。 このようにして、異なるデバイスの製造中あるいは単一デバイスの動作中の、第２電極のオフ状態位置の変動を解消することができる。