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公开(公告)号：CN101569529B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910139337.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号：CN101499391B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810066038.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J2203/0232 , H01J2329/463
Abstract: 一种电子发射装置，包括一阴极装置及一栅极，该栅极与该阴极装置间隔设置并与该阴极装置电绝缘，其中，所述栅极为一碳纳米管层。一种采用上述电子发射装置的显示装置，包括一阴极装置，一与阴极装置相对设置的阳极装置，一栅极设置在该阴极装置与该栅极装置之间，并与该阴极装置和该阳极装置间隔，其中，所述栅极包括一碳纳米管层。
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公开(公告)号：CN101952926A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980101926.7
申请日：2009-01-08
Applicant: 埃克西可集团公司
Inventor： 马克西姆·马卡罗夫
CPC classification number: H01J3/021 , H01J33/00 , H01S3/0959 , H01S3/09707
Abstract: 本发明涉及一种脉冲电子源(1)，包括：电离室(4)；加速室(2)，所述加速室(2)具有用于吸引并加速一次离子和形成二次电子束的电极(3)，所述脉冲电子源(1)的特征在于：所述脉冲电子源(1)包括电源(11)，该电源(11)适于施加正电压到所述电极(3)以将一次等离子体(17)驱动出所述加速室(2)，以及施加负电压脉冲到所述电极(3)以吸引并加速所述一次离子和形成二次电子束。
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公开(公告)号：CN1737984B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510087859.1
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供了一种具有优秀的电子束聚焦的场发射装置以及使用该场发射装置的场发射显示器。该场发射装置包括：基板；第一阴极电极，形成在基板上；绝缘层，形成在基板和第一阴极电极上，并具有暴露第一阴极电极部分的凹进部分；第二阴极电极，形成在绝缘层上，并电连接到第一阴极电极；电子发射器，形成在第一阴极电极由绝缘层暴露的部分上；栅极绝缘层，形成在第二阴极电极上，并具有暴露凹进部分的空腔；以及栅极电极，形成在栅极绝缘层上，并具有与空腔对齐的栅极孔。
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公开(公告)号：CN101636810A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200680056928.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 塞莱斯系统集成公司
Inventor： 弗朗西斯卡·布伦尼蒂 , 阿尔多·迪卡罗 , 马西密利亚诺·卢奇 , 西尔维亚·奥兰杜奇 , 里卡多·里奇泰利 , 马利亚·莱蒂西亚·特伦诺瓦
IPC: H01J29/46
Abstract: 本发明公开了一种高频冷阴极三极型场发射真空管，包括阴极结构(12)、与阴极结构(12)间隔开的阳极结构(13)以及控制栅极(15)，其中，阴极结构(12)和阳极结构(13)被分别形成，且通过插入隔离件(14)被结合在一起，其中，控制栅极(15)集成在阳极结构(12)中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100583350C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610061707.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：h＜e，其中，h为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；e为电子在惰性气体环境中的自由程。
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公开(公告)号：CN100565751C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510074150.8
申请日：2005-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李相辰
IPC: H01J1/30 , H01J9/02 , G02F1/1343
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/02 , H01J29/481
Abstract: 通过对包括至少一下介质子层和一上介质子层的介质层进行蚀刻形成阴极孔。下介质子层和上介质子层具有基本相同的介电常数，下介质子层具有高于上介质子层的蚀刻速度。形成在上、下介质子层中的阴极孔具有带有从下介质子层和上介质子层之间的至少一界线突出的突出部分的蚀刻轮廓。利用本发明公开的多种实施例，可以确保阴极和栅极之间的电阻从而防止发生电弧和信号失真。
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公开(公告)号：CN100477060C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510051826.1
申请日：2005-03-01
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J31/127
Abstract: 一种阴极基板及其制造方法。该阴极基板包括在处理基板(11)上依次层叠的阴极电极层(12)、绝缘层(14)和栅电极层(15)，在此绝缘层上形成的孔(14a)的底部中设置发射极(E)，同时在上述栅电极层中形成栅极孔开口部(16)。此时，由具有比绝缘层的孔的开口面积更小的面积的多个开口(16a)构成栅极孔开口部，并且与发射极相对地将各个开口密集在绝缘层的孔的正上方。
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公开(公告)号：CN100399495C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510064092.0
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射装置，包括第一基板和第二基板，彼此相对且二者之间具有一间隔。阴极在第一基板上形成。绝缘层覆盖阴极且具有孔。栅极在绝缘层上形成，且在对应绝缘层孔的位置处具有孔，以便露出阴极。电子发射区在孔中在阴极上形成。阳极在第二基板上形成。电子发射区的外表面形成的形状类似于孔中没有电子发射区，预定的驱动电压施加到电极上时所形成的等电位线的形状。
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公开(公告)号：CN101110306A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610061707.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：，其中，h为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；为电子在惰性气体环境中的自由程。
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