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公开(公告)号：CN104885186A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。
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公开(公告)号：CN102983052B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210326111.2
申请日：2012-09-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/321 , H01J37/32816 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种用于在等离子体处理腔室中在形成晶片上的堆叠的多个硅基双层上蚀刻特征的方法。使主蚀刻气体流入所述等离子体处理腔室中。使主蚀刻气体形成等离子体，同时提供第一压强。保持晶片温度低于20℃。当所述等离子体蚀刻穿所述多个硅基双层中的多个时，压强渐降到低于所述第一压强的第二压强。在所述多个双层中的第一多个被蚀刻后停止所述主蚀刻气体的流动。
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公开(公告)号：CN102165565B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200980133906.8
申请日：2009-08-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔恩·法尔 , 夏尔马·帕马斯 , 科哈利德·西拉朱迪茵
IPC: H01L21/3065 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/02057 , H01L21/31138 , H01L21/76898 , Y10T428/24479
Abstract: 一种利用反应等离子体研磨使蚀刻特征部的侧壁光滑化的方法。该光滑化方法降低侧壁凹坑的深度，而侧壁凹坑是造成特征部壁表面上的粗糙度的原因。该方法包括以下步骤：从含硅特征部的内表面及外表面去除残留的聚合材料，并且在以脉冲RF功率使含硅特征部偏压的同时，利用从源气体产生的反应等离子体对含硅特征部的内表面进行处理。该源气体包含惰性气体以及会与硅发生反应的反应剂。该方法提供了内表面上约500纳米或更小的凹坑深度。
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公开(公告)号：CN102737941B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210089311.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山泽阳平
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/02 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32137 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/327 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在电感耦合型等离子体处理中有效且任意地控制在腔室内形成的环状等离子体内的等离子体密度分布。在该电感耦合型等离子体处理装置中，为了生成电感耦合等离子体而设置在介电窗(52)上的RF天线(54)在径向上被分割为内侧线圈(58)、中间线圈(60)和外侧线圈(62)。在设置在高频供电部(66)的高频传输路径上的第一节点NA与第二节点NB之间，对中间线圈(60)和外侧线圈(62)分别串联电连接可变的中间电容器(86)和外侧电容器(88)，对内侧线圈(58)不连接任何电抗元件。
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公开(公告)号：CN104658846A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410653462.3
申请日：2014-11-17
Applicant: PSK有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。
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公开(公告)号：CN102598219B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN104599929A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601584.8
申请日：2014-10-31
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置；更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明一实施例的基板处理装置包括：腔室、支撑单元、电介质组件以及等离子体源。本发明的基板处理装置通过采用非金属加热器，能够使施加于上部天线的RF耦合效应最小化；并且能够考虑到天线的形状，而对加热区域进行个别的体现，从而具有能够使天线下部的发热部位和其它区域的温度梯度相适应的极佳的效果。
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公开(公告)号：CN104412717A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033928.3
申请日：2013-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·恩盖耶 , K·S·柯林斯 , K·拉马斯瓦米 , S·拉乌夫 , J·D·卡达希 , D·A·布齐伯格 , A·阿加瓦尔 , J·A·肯尼 , L·多尔夫 , A·巴拉克利斯纳 , R·福韦尔
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: C23F1/08 , B01J12/002 , C23C14/28 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32733 , H01J37/32834 , H05H1/46
Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源及对称腔室排气，该等离子体源具有对称射频馈电，该腔室排气具有数个支柱穿过排气区域提供出入口至所局限的工作件支座。可包括用于自处理区域遮蔽支柱的空间效应的栅格。
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公开(公告)号：CN104412364A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032575.5
申请日：2013-06-14
Applicant: 株式会社EUGENE科技
IPC: H01L21/205 , H05H1/30
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01L21/68792 , H05H2001/463 , H05H1/30
Abstract: 根据本发明的一个实施方式的基板处理装置包括：腔室，其具有开放的上侧，所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道；腔室盖，其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间，所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔；上天线，其设置在所述腔室盖的上中央部分上，以在所述内部空间的中央部分内生成电场，所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体；侧天线，其设置为围绕所述腔室盖的侧部，以在所述内部空间的边缘部分内生成电场，所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体；以及气体供应管，其连接至所述气体供应孔，以将所述源气体供应到所述内部空间中，其中，所述气体供应孔设置在所述上天线外侧。
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公开(公告)号：CN104362066A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410459032.8
申请日：2008-06-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H05H1/46
Abstract: 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。
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