公开(公告)号：CN107610994B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201710680517.3

申请日：2017-08-10

Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司

Inventor： 李娜 ,  胡冬冬 ,  刘训春 ,  许开东

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明公开一种离子束刻蚀系统，包括刻蚀腔体和刻蚀电极，还包括电极变位装置，用于使所述电极在所述刻蚀腔体内变化工作位置，所述电极变位装置包括动密封机构、电极动平衡配重机构、电极变位传动机构、以及电极变位驱动机构，所述刻蚀腔体包括腔室以及与所述腔室相连接的腔盖，所述腔室呈不规则形状。本发明的优点在于，可以实现对晶片的多角度刻蚀。另外，通过对刻蚀腔体的腔室形状进行特殊设计，能够节省占地空间，方便与其他外界设备连接，大幅度提高刻蚀工作效率。

公开(公告)号：CN107768223A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710556214.0

申请日：2017-07-10

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： V.斯维达 ,  L.诺瓦克 ,  V.斯特帕内克 ,  P.保罗乌舍克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32871 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/02 ,  H01J37/26 ,  H01J37/30 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/028 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/335

Abstract: 本发明涉及与等离子清洁机一起使用的磁体。等离子体发生器位于真空室外侧并生成中性活性粒子和带电粒子。定位在等离子体发生器外侧的磁体使带电粒子偏转，从而防止其中的一些或全部进入真空室，由此防止在真空室中形成二次等离子体源，同时允许中性活性粒子进入真空室以减少污染物。

公开(公告)号：CN103198990B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310005725.5

申请日：2013-01-08

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： L.W.斯万森 ,  G.A.施温德 ,  S.克罗格 ,  刘坤

IPC: H01J9/44

CPC classification number: H01J37/00 ,  G01T1/29 ,  H01J37/02 ,  H01J37/073 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。

公开(公告)号：CN102870503B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180021881.X

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  卡洛·贝拉 ,  拉瑞·D·艾利萨迦

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/02 ,  F28D2021/0028 ,  F28F7/02 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或腔室部件温度的部件和系统。第一传热流体通道设置于部件中、等离子体处理腔室内设置的工作表面下方，使得该第一通道在该工作表面的第一温度区域下方的第一长度可包括与该第一通道在该工作表面的第二温度区域下方的第二长度不同的传热系数(h)或传热面积(A)。在实施例中，不同的传热系数或传热面积设置成温度区域的函数，以使对该第一温度区域与该第二温度区域的温度控制更为独立。

公开(公告)号：CN102737941B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210089311.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/02 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在电感耦合型等离子体处理中有效且任意地控制在腔室内形成的环状等离子体内的等离子体密度分布。在该电感耦合型等离子体处理装置中，为了生成电感耦合等离子体而设置在介电窗(52)上的RF天线(54)在径向上被分割为内侧线圈(58)、中间线圈(60)和外侧线圈(62)。在设置在高频供电部(66)的高频传输路径上的第一节点NA与第二节点NB之间，对中间线圈(60)和外侧线圈(62)分别串联电连接可变的中间电容器(86)和外侧电容器(88)，对内侧线圈(58)不连接任何电抗元件。

公开(公告)号：CN104599930A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410820278.3

申请日：2011-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大矢欣伸 ,  田边明良 ,  安田吉纪

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12)施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz)、(RFL2(13MHz)。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

公开(公告)号：CN104409307A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410635896.0

申请日：2014-11-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 许波涛 ,  彭立波 ,  易文杰 ,  钟新华

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/02 ,  H01J37/023

Abstract: 本发明公开了一种离子注入机扫描装置及扫描方法。所述扫描装置包括固定座，装在固定座上可沿着固定座竖直上下运动的垂直扫描机构，装在垂直扫描机构上可水平旋转的水平旋转机构，以及装在水平旋转机构上的扫描轴；所述扫描轴顶端装有可随扫描轴转动的用于装夹晶片的靶台，该靶台上装有调整所述晶片倾斜度的角度调整机构，以对离子注入角度进行校正。所述扫描方法先设置注入角度θ，计算扫描行程s和扫描次数n，然后使靶台4旋转角度α进行角度校正，靶台4倾斜到注入角度θ，最后完成扫描。本发明可以实现靶台垂直方向的扫描运动，同时还可以通过水平旋转机构使靶台绕扫描轴旋转，进行角度校正，能够实现更精确的注入角度控制。

公开(公告)号：CN104103480A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410132480.7

申请日：2014-04-03

Applicant: FEI公司

Inventor： J.J.L.穆德斯 ,  R.T.J.P.格尔特斯 ,  P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 ,  E.G.T.博世

IPC: H01J37/08

CPC classification number: C23C14/48 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31742 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明通过在GIS的毛细管（201）与样本（200）之间施加电压差并将离子或电子束（206）引导到气体喷射（207）来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离，其中（当在样本与GIS之间使用低电压时）发生低能量铣削，并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。

公开(公告)号：CN103930829A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055389.9

申请日：2012-09-12

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： J.J.M.佩杰斯特 ,  D.G.F.维比克

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70891 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/709 ,  H01J37/02 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/28

Abstract: 本发明涉及基板处理装置(10)，其包括支撑框架(60)，用于将辐射投射至待处理基板上的辐射投射系统(20)，用于支撑基板的基板支撑结构(30)，和流体输送系统(150)。该辐射投射系统包括冷却装置(130)，且由支撑框架支撑并与其振动解耦，使得支撑框架的在预定最大频率之上的振动基本从辐射投射系统分离。该流体输送系统包括固定在两点(151，152)处的至少一个管(140)，并包括挠性部分。挠性部分的主要部分在与基板支撑结构表面基本平行的平面上延伸。挠性部分的刚性适于将第二固定点处的高于预定最大频率的振动从第一固定点基本解耦。

公开(公告)号：CN108962713A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710380285.X

申请日：2017-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 李萌 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  刘菲菲 ,  李冬冬 ,  陈鹏

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02046

Abstract: 本发明提供了一种工艺腔室及半导体处理设备。本发明的工艺腔室用于对晶片进行去气和预清洗，包括：腔体、电极板、设置于腔体内顶部的热源、设置于腔体内底部的基座；其中，基座和热源相对设置，电极板可旋转；电极板中设置有输气通道；当电极板旋转至基座的上方时，工艺气体经输气通道输送至基座的上方，对晶片进行预清洗工艺；当电极板旋转离开基座的上方时，接通热源对晶片进行去气工艺。本发明的半导体处理设备包括本发明的工艺腔室。本发明的工艺腔室，当进行预清洗时，通过电极板将工艺气体直接输送至基座的上方,工艺气体利用率高；且工艺气体到达晶片的路径长短一致，使得等离子体能量均匀，预清洗的效果好。