公开(公告)号：CN105393332A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480040212.0

申请日：2014-07-15

Applicant: 惠而浦股份有限公司 ,  圣卡塔琳娜州联邦大学

Inventor： R·宾德 ,  A·N·克雷恩 ,  C·宾德 ,  G·海姆斯

IPC: H01J37/32 ,  B22F3/24

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B22F3/003 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/241 ,  B22F2003/248 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719

Abstract: 本申请公开了一种等离子体反应器，包括反应腔室(23)，该反应腔室与可离子化气体源(25)和加热装置(80)可连接，所述反应器(10)进行加热阶段(A)、清洁阶段(L)和/或表面处理阶段(S)、冷却阶段(R)、以及金属零件的卸载阶段(D)和装载阶段(C)。设备包括：至少两个反应器(10)，各反应器可选择地和交替地与相同的可离子化气体源(25)、相同的真空源(60)、相同的电能量源(50)和相同的加热装置(80)连接，该加热装置(80)可在操作位置之间移动，在各操作位置中，它在侧部和上部包围设备的相应反应器(10)，同时所述反应器处于加热阶段(A)以及金属零件(1)的清洁阶段(L)和/或表面处理阶段(S)中。

公开(公告)号：CN103119195B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180045188.6

申请日：2011-09-19

Applicant: 法雷奥照明公司

Inventor： 弗瑞德瑞克·莫瑞特 ,  马克·布莱泽尔 ,  艾里克西斯·陈奈特

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/486 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C16/44 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899

Abstract: 本发明涉及一种用于处理物体的设备，所述物体例如是由聚合物制成的用于机动车前灯的物体。所述设备包括：用于容纳物体(22)的真空室(12)；用于将真空室(12)置于真空中的装置(24)；和用于处理物体(22)的离子轰击装置(44)，所述离子轰击装置(44)包括离子发生器(46)和用于发射离子束的至少一个离子施加器(48)。该设备还包括：第一气锁(36)；用于在真空室(12)与第一气锁(36)之间建立选择性连通的装置(40)；和用于将第一气锁(36)置于真空中的装置(24)。离子轰击装置(44)布置在真空室(12)的外面。离子施加器(48)容纳在第一气锁(36)内部。

公开(公告)号：CN102194665B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110068029.X

申请日：2011-03-18

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 李龙炫 ,  李明振 ,  车安基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67739 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745

Abstract: 本申请公开了一种半导体制造设备，其包括设有基板移动装置以移动基板的传送室，对准基板并将基板装载到传送室和从传送室卸载该基板的真空室，和处理从传送室转移的基板的至少一个处理室。该至少一个处理室中的每一个都包括室主体、基板支架和至少一个分隔器，该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口，该基板支架设在室主体内以将至少两个基板设置在基板支架上，该至少一个分隔器设在室主体内以对准该至少两个基板。

公开(公告)号：CN104620353A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380041764.9

申请日：2013-04-03

Applicant: 新意技术股份有限公司

Inventor： 尹松根 ,  李种华 ,  高赫俊 ,  李障赫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45504 ,  C23C14/34 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明涉及处理腔室及基板处理装置，本发明实施形态的处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，其上升所述晶舟来位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部；晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部；基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外，本发明实施形态的基板处理装置，包括：处理腔室，其具有间隔层叠多个基板的晶舟，其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部；负载锁定腔室，其在真空状态变化为大气状态，或在大气状态变化为真空状态；移送腔室，其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室，将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。

公开(公告)号：CN104246008A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380017383.7

申请日：2013-03-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊克巴尔·沙瑞芙 ,  伊万格洛斯·斯皮尔普洛斯 ,  马克·塔斯卡尔

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32899

Abstract: 用于在采用单线滴注方案的等离子体处理系统中供给气体的方法和装置，其中调节器在多个质量流控制器之间被共享。在一个或多个实施方式中，蓄积器被提供并与共享歧管气体连通地耦合以降低压力尖峰和下陷。在一个或多个实施方式中，可更换或不可更换地与蓄积器分离的过滤器与蓄积器整合。

公开(公告)号：CN104114741A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280059621.6

申请日：2012-11-02

Applicant: 因特瓦克公司

Inventor： D·W·布朗 ,  V·沙阿 ,  T·佩德森 ,  T·布卢克

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3452

Abstract: 一种溅射系统，其具有带输入端口和输出端口的处理室，和定位在所述处理室的壁上的溅射靶。可动的磁体配置被定位在所述溅射靶的后面并且在所述靶的后面往复地滑动。输送机以恒定速度连续地运输基片经过所述溅射靶，使得在任意给定时刻，若干基片在前缘和后缘之间面对所述靶。所述可动的磁体配置以至少是所述输送机的所述恒定速度几倍的速度滑动。旋转区域被限定在靶的所述前缘和后缘的后面，其中所述磁体配置当其进入所述旋转区域时减速、且当其在所述旋转区域内调转滑动方向时加速。

公开(公告)号：CN102286730B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110167019.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 成普滥璨 ,  具教旭 ,  赵重根

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明公开一种薄膜蒸镀装置，其包括：支承板的基板支承机构；及喷淋头，配置在上述基板支承机构的上部，向上述基板供给处理气体。上述喷淋头包括：上部平板，形成有多个气道以提供上述处理气体的流路，在上述气道形成有气体喷射孔，施加高频电流而激励处理气体产生等离子体；挡板，配置在上述上部平板的下部，并形成有多个孔而使上述处理气体的流动均匀地分散；及喷射板，配置在上述挡板的下部，将通过上述挡板供给的上述处理气体喷射到上述基板上。

公开(公告)号：CN109698110A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811235291.7

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南象基 ,  姜姓佶 ,  林成龙 ,  刘钒镇 ,  舆石公 ,  V.帕什科夫斯基 ,  许桄熀

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32596 ,  H01J1/025 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。

公开(公告)号：CN108140551A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058670.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 琳·张 ,  路雪松 ,  安德鲁·V·勒 ,  原铮 ,  吴昌锡 ,  约瑟夫·杰米尔·法拉 ,  王荣平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。

公开(公告)号：CN105321792B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510299311.7

申请日：2015-06-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 苏尼尔·卡普尔 ,  卡尔·F·利泽 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  亚斯万斯·兰吉尼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。