公开(公告)号：CN103376812B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310149568.5

申请日：2013-04-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.克罗普菲奇

IPC: G05F1/46

CPC classification number: H04R19/04 ,  H02M3/07 ,  H02M3/073 ,  H04R2201/003

Abstract: 用于可编程电压源的系统和方法。根据实施例，一种操作电荷泵的方法包括给多个时钟产生器提供第一可编程电压，所述多个时钟产生器具有耦合到相应电荷泵电容器组的第一节点的输出，并且从所述相应电荷泵电容器组之一中选择一个电容器的第二节点。时钟产生器产生具有与第一可编程电压成比例的幅度的多个时钟信号。

公开(公告)号：CN105338458A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410376030.2

申请日：2014-08-01

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0037 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0073 ,  H04R7/12 ,  H04R7/14 ,  H04R7/16 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种MEMS麦克风，由于上极板的中心区域或下极板的中心区域设有凹部，上极板的中心区域和下极板的中间区域的距离较远，构成可变电容结构的上极板(例如作为振膜)和下极板(例如作为背板)之间不容易粘连，有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率，提高成品率。同时，由于可变电容的极板的中心区域不需要被挖掉，有效利用振膜机械灵敏度最高的区域，最大程度保持了MEMS麦克风的灵敏度。

公开(公告)号：CN105324329A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480031553.1

申请日：2014-05-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·津恩 ,  B·戴蒙德 ,  J·霍夫曼

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0132 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了用于制造CMOS-MEMS装置的系统和方法。局部防护层沉积在层式结构的顶表面上以覆盖电路区域。从层式结构的底侧实施第一局部蚀刻，以便在层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜之下的第一间隙。从层式结构的顶侧实施第二局部蚀刻，以便在MEMS区域内去除MEMS膜和MEMS背板之间的牺牲层的部分。第二局部蚀刻释放MEMS膜，从而MEMS膜可响应于压力而移动。沉积的局部防护层防止第二局部蚀刻蚀刻掉牺牲层的位于层式结构的电路区域内的一部分，且还防止第二局部蚀刻损坏CMOS电路部件。

公开(公告)号：CN105318995A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510381499.X

申请日：2015-07-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·韦斯鲍尔 ,  C·曼德尔 ,  A·寇佩兹 ,  R·黑尔姆

IPC: G01L1/14

CPC classification number: G01L13/025 ,  G01L15/00 ,  H04R19/04 ,  H04R23/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及使用压力感测的运动检测。具体地，根据一种实施例，一种感测运动的方法包括：从第一压力传感器接收第一信号并且从第二压力传感器接收第二信号，比较第一信号与第二信号，以及基于比较对运动进行特征化。

公开(公告)号：CN105264912A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480027461.6

申请日：2014-03-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J.M.穆扎 ,  P.S.斯泰特森

IPC: H04R1/40 ,  H04R3/00 ,  H04R19/00 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/187 ,  G10K11/178 ,  H03F3/45928 ,  H04R1/406 ,  H04R3/005 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003 ,  H04R2201/405

Abstract: 描述了用于消除麦克风系统中的干扰的方法和系统。正向偏置电压施加至第一麦克风膜片并且负向偏置电压施加至第二麦克风膜片。膜片配置为响应于由麦克风系统接收的声压而展现出基本上相同的机械挠曲。通过组合来自第一麦克风膜片的正向偏置输出信号与来自第二麦克风膜片的负向偏置输出信号来产生差分输出信号。这一组合消除展现在正向偏置输出信号和负向偏置输出信号两者中的共模干扰。

公开(公告)号：CN105230047A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480027602.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J.M.穆扎 ,  P.S.斯泰特森 ,  D.L.于克尼斯 ,  J.R.菲齐格拉尔德

IPC: H04R19/04 ,  H04R19/00

CPC classification number: H04R23/00 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 用于控制和调节MEMS麦克风的低频响应的系统和方法。系统包括MEMS麦克风、控制器和存储器。MEMS麦克风包括膜和多个出气口。膜配置为使得作用在膜上的声压造成膜的运动。多个出气口定位为紧邻所述膜。该多个出气口中的每个出气口配置为选择性地定位于打开位置或闭合位置。控制器确定要布置在闭合位置的出气口的整数数目，以及生成使该整数数目的出气口布置在闭合位置并且使任何剩余出气口布置在打开位置的信号。

公开(公告)号：CN105191350A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201380074426.5

申请日：2013-09-09

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 内田雄喜

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84 ,  H04R3/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  G10K11/002 ,  H04R1/04 ,  H04R1/245 ,  H04R3/002 ,  H04R3/005 ,  H04R3/06 ,  H04R7/06 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003 ,  H04R2410/03 ,  H04R2499/11

Abstract: 在硅基板(12)上开口形成有上下贯通的腔室(15)。在硅基板(12)的上表面以覆盖腔室(15)的上表面开口的方式配设有膜片(13)。膜片(13)由狭缝(17)分割成位于腔室(15)的上方的区域(第一膜片(13a))与位于硅基板(12)的上表面的上方的区域(第二膜片(13b))。在第一膜片(13a)的上方配设有固定电极板(19)，通过第一膜片(13a)与固定电极板(19)形成小音量用的第一声音传感检测部(23a)。另外，通过第二膜片(13b)与硅基板(12)的上表面(导电层(21))形成大音量用的第二声音传感检测部(23b)。

公开(公告)号：CN104969574A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480003819.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 邹泉波

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00158 ,  H04R7/14 ,  H04R19/02 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明提供一种硅扬声器，包括MEMS声电芯片和PCB基板，其中，该MEMS声电芯片包括在硅基板上的波形振膜，并且该MEMS声电芯片的一面被金属化，并且该MEMS声电芯片的被金属化的一面与该PCB基板连接。该波形振膜与在该MEMS声电芯片上的金属路径导电且互连，并且该波形振膜被引到作为一个电极的第一PCB金属路径。在该MEMS芯片下方的第二PCB金属路径构成静电致动器的另一电极。本发明提供的硅扬声器降低扬声器的制造成本，并使得该振膜在发生大的位移时产生高的且可重复、可靠的声压，提高了扬声器的声效。

公开(公告)号：CN104956684A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380065740.7

申请日：2013-09-06

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： D.博洛尼亚 ,  A.V.盖里

IPC: H04R1/04 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3011 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种换能器系统(17)具有形成内部室(50)的封装(38)、和固定在内部室(50)内的MEMS换能器(42)，例如，MEMS送话器。封装(38)形成孔口(52)，孔口(52)用于允许对室(50)的内部和因而对MEMS换能器(42)的声学进入。系统(17)还具有两个裸片(44、46)，即，系统(17)具有在内部室(50)内的主电路裸片(44)、和与主电路裸片(44)电连接的集成无源装置裸片(46)。主电路裸片(44)与MEMS换能器(42)电连接并且具有至少一个有源电路元件。

公开(公告)号：CN104956472A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380066286.7

申请日：2013-12-18

Applicant: 美商楼氏电子有限公司

Inventor： S·R·吉尔古耶夫 ,  C·E·弗斯特 ,  T·S·约根森

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H02H9/04 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0257 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7816 ,  H02H9/046 ,  H02M3/07 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种电子芯片包括电荷泵和至少一个高压HV静电放电ESD模块。电荷泵被配置为提供麦克风两端的预定电压。本文描述的器件在标准低压CMOS工艺中实现并且具有提供内在ESD保护电平(当断电时)的电路拓扑，内在ESD保护电平高于工作(预定)DC电平。至少一个高压HV静电放电ESD模块连接至电荷泵的输出。HV ESD模块被配置为针对电荷泵和连接至该芯片的微机电系统MEMS麦克风提供ESD保护。所述至少一个HV ESD模块包括多个PMOS晶体管或NMOS晶体管，所述多个PMOS晶体管或NMOS晶体管具有在PMOS晶体管或NMOS晶体管中的选择的晶体管内形成的至少一个高压NWELL/DNWELL区。所述至少一个高压NWELL/DNWELL区具有足够的击穿电压以使得能够使用低压工艺来构造该芯片并且还使得HV ESD模块能够为该芯片提供ESD保护。