公开(公告)号：KR1019970008893B1

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019930029500

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

Abstract: A method is described that electrically plates only desired parts in order to fabricate vibration mass. A Ni film is deposited on a silicon substrate 1 and then a Ni pattern 2 is defined by photo-resist. A Ni silicide 3 is formed by annealing using RTP method and then a mass paddle region is defined by photo-resist 4 of spin-on type prior to a hard bake. A film photo-resist 5 and 6 are formed on the photo-resist 4 in order to define a mass paddle region. Thereafter, a Ni oxide layer on the Ni silicide 3 is removed by such as NH4OH and then vibration mass 7 is formed by Ni electro plating and thus the film photo-resist 5 and 6 and photo-resist 4 are removed. The Ni silicide 3 can be NiSi layer or NiSi2 layer. Thereby, it is possible to fabricate several types of sensors having mass different from each other over one chip.

Abstract translation: 描述了为了制造振动质量而只电镀所需部件的方法。 在硅衬底1上沉积Ni膜，然后通过光刻胶定义Ni图案2。 通过使用RTP方法退火形成Ni硅化物3，然后在硬烘烤之前通过旋涂型的光致抗蚀剂4限定质量桨区。 在光致抗蚀剂4上形成膜光致抗蚀剂5和6，以限定质量桨区。 此后，通过NH 4 OH除去Ni硅化物3上的Ni氧化物层，然后通过Ni电镀形成振动块7，从而除去膜光致抗蚀剂5和6以及光致抗蚀剂4。 Ni硅化物3可以是NiSi层或NiSi2层。 因此，可以通过一个芯片制造彼此质量不同的几种类型的传感器。

公开(公告)号：KR1019960010766B1

公开(公告)日：1996-08-08

申请号：KR1019940014311

申请日：1994-06-22

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 장충근

IPC: G01R33/00

Abstract: The magnetic sensor has an electrical resistance variation according to the change of magenetic field. The sensor comprises a substrate and a number of unit lattices, the unit lattices being provided in every four terminals formed on the substrate, where the magnetic resistance stripe of one unit lattice of the unit lattices is arranged in parallel with that of another unit lattice positioned in a diagonal direction to the former unit lattice.

Abstract translation: 磁传感器根据磁场的变化具有电阻变化。 传感器包括基板和多个单元晶格，单元晶格设置在形成在基板上的每四个端子中，其中单元晶格的一个单位晶格的磁阻条与位于另一单元晶格 在与前单位格子的对角线方向上。

公开(公告)号：KR1019960026276A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940037887

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘산화막(2)을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하는 단계와; n+ 확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막(2)을 제거하고 인(phosphorus)을 확산시켜 n+ 확산층(3)을 형성하는 단계와; 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n+ 확산층(3)을 다공질 실리콘층(4)으로 만들고 실리콘산화막(2)을 제거하는 단계와; 상기 다공질 실리콘층(4)위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Ar를 스퍼터링하여 박막(5)을 증착하는 단계와; 증착된 박막(5)을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와; 노출된 다공질 실리콘층(4)을 선택적으로 식각하여 동공(6; cavity)을 형성하는 단계로 이루어져 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극 반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있고, 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼 수 있을 뿐만 아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지 않고 완전히 독립적으로 미세구조물을 제조할 수 있는 다공질실리콘상의 박막(Film on Porous Silicon)을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR1019960004971B1

公开(公告)日：1996-04-18

申请号：KR1019930000492

申请日：1993-01-15

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: A61B5/04

CPC classification number: C12Q1/005 ,  C12Q1/001 ,  G01N27/4145 ,  Y10S435/817

Abstract: The biosensor is to improve the sensing performance by equipping a Pt electrode. The sensor is characterized by forming: an ion sensing film(4) on an ion sensitive gate(2) ;a Pt electrode(6) on the ion sensing film(4); an enzyme fixing film(5). The effect of this is that response time is very fast by the creation of hydrogen ion three times more than conventional biosensor.

Abstract translation: 生物传感器是通过装备Pt电极来提高感测性能。 传感器的特征在于在离子敏感栅极（2）上形成离子感测膜（4）;离子感测膜（4）上的Pt电极（6）; 酶固定膜（5）。 这样做的结果是，响应时间非常快，因为氢离子的产生比传统的生物传感器高三倍。

公开(公告)号：KR1019960001776A

公开(公告)日：1996-01-25

申请号：KR1019940014311

申请日：1994-06-22

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 장충근

IPC: G01R33/00

Abstract: 본 발명은 자기 센서에 관한 것으로 출력의 선형 특성이 양호한 자기 센서에 관한 것이다.
본 발명에 따른 자기 센서는 기판과, 다수 나란한 자기 저항 스트라이프에 의한 다수 단위 격자를 구비하며, 상기 단위 격자는 상기 기판상에 형성되는 네개의 단자의 사이 마다에 마련되며, 상기 각 단위 격자들 중 하나의 단위 격자의 자기 저항 스트라이프는, 인접된 다른 격자의 스트라이프에 직교되는 방향으로 배치되며, 그리고 각 단위 격자들 중 하나의 단위 격자의 스트라이프는 대각선 방향에 위치한 또 다른 격자의 자기 저항 스트라이프에 나란하게 배치되어 있는 구조를 가진다. 이상과 같은 구조를 가지는 본 자기 센서를 필요한 수만큼 적층시켜서 4단자 브리지 회로를 구성시키면 적층수에 비례하여 민감도의 향상, 지향성의 개선, 센서 잡음의 감소등의 성능 개선이 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1019940022085A

公开(公告)日：1994-10-20

申请号：KR1019930004344

申请日：1993-03-20

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: G01N27/414