公开(公告)号：KR100217882B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019970003543

申请日：1997-02-05

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기 ,  박이순 ,  김상태

IPC: G01N27/28

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8)및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성 특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다. 본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.

公开(公告)号：KR100113869B1

公开(公告)日：1997-04-04

申请号：KR1019930004344

申请日：1993-03-20

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: G01N27/414

公开(公告)号：KR100163405B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트랜지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질을 포함한 친수성 고분자 감지막(12)을 형성시켜 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액 내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 감이온 전계효과 트랜� �스터 pH센서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR1019980067489A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003543

申请日：1997-02-05

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기 ,  박이순 ,  김상태

IPC: G01N27/28

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8) 및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다.
본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019960004971B1

公开(公告)日：1996-04-18

申请号：KR1019930000492

申请日：1993-01-15

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: A61B5/04

CPC classification number: C12Q1/005 ,  C12Q1/001 ,  G01N27/4145 ,  Y10S435/817

Abstract: The biosensor is to improve the sensing performance by equipping a Pt electrode. The sensor is characterized by forming: an ion sensing film(4) on an ion sensitive gate(2) ;a Pt electrode(6) on the ion sensing film(4); an enzyme fixing film(5). The effect of this is that response time is very fast by the creation of hydrogen ion three times more than conventional biosensor.

Abstract translation: 生物传感器是通过装备Pt电极来提高感测性能。 传感器的特征在于在离子敏感栅极（2）上形成离子感测膜（4）;离子感测膜（4）上的Pt电极（6）; 酶固定膜（5）。 这样做的结果是，响应时间非常快，因为氢离子的产生比传统的生物传感器高三倍。

公开(公告)号：KR1019940022085A

公开(公告)日：1994-10-20

申请号：KR1019930004344

申请日：1993-03-20

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: G01N27/414

公开(公告)号：KR1019970062686A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트렌지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질이 포함된 친수성 고분자감지막(12)을 형성시킨 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산 속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 전계효과 트랜지스터 pH 서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100113639B1

公开(公告)日：1997-04-01

申请号：KR1019930000492

申请日：1993-01-15

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: A61B5/04

公开(公告)号：KR1019960007788B1

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：KR1019930004344

申请日：1993-03-20

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: The ISFET is encapsulated in such a manner that the ISFET is dipped in an insulating material in liquid state to coat its metal contact points(2,3,4,5) with the insulating material, without the sensitive ion gate(1) being coated with it, and the ISFET with a measurement circuit connected thereto is dipped into a solution whose ion concentration to be measured, thereby electrically isolating the ISFET and the solution to be measured.

Abstract translation: ISFET以这样的方式被封装，使得ISFET浸入液态的绝缘材料中以用绝缘材料涂覆其金属接触点（2,3,4,5），而没有将敏感离子浇口（1）涂覆 并且将具有与其连接的测量电路的ISFET浸入要测量的离子浓度的溶液中，从而电隔离ISFET和待测溶液。

公开(公告)号：KR1019940018063A

公开(公告)日：1994-08-16

申请号：KR1019930000492

申请日：1993-01-15

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기

IPC: A61B5/04

Abstract: 본 발명은 바이오센서로서 소오스와 게이트 및 드레인을 구비한 감이온 전계효과 트랜지스터(Ion-Sensitive Field-Effact Transistor)에 있어서, 상기 게이트상에 이온감지막을 형성하고, 이온감지막상에 백금전극을 형성함과 더불어 효소고정화막을 형성하여 응답이 크면서도 응답속도가 빠르고, 효소반응에서 H
2 O
2 를 발생시키는 모든 생체관련물질을 감지할 수 있는 백금전극을 내장한 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서이다.