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    Fourier-Spektrometer mit einem Mehrmoden-Quantenkaskadenlaser, und Verfahren zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe
    51.
    发明专利
    Fourier-Spektrometer mit einem Mehrmoden-Quantenkaskadenlaser, und Verfahren zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe 未知

    公开(公告)号：DE102017002874A1

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：DE102017002874

    申请日：2017-03-22

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： RÖBEN BENJAMIN ,  HEMPEL MARTIN ,  LÜ XIANG ,  BIERMANN KLAUS ,  SCHROTTKE LUTZ ,  GRAHN HOLGER T

    IPC: G01J3/45 ,  G01N21/25

    Abstract: Ein Fourier-Spektrometer zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe umfasst einen Mehrmoden-Quantenkaskadenlaser (QCL), der eine aktive QCL-Region in einem Laserresonator, die zur Erzeugung von Laserlicht mit Emissionsfrequenzen gemäß einer Vielzahl von Resonatormoden des Laserresonators konfiguriert ist, eine Anregungseinrichtung, die zur elektrischen Anregung der aktiven QCL-Region mittels eines elektrischen Pumpstroms konfiguriert ist, und eine Abstimmeinrichtung enthält, mit der die Resonatormoden einstellbar sind, ein Interferometer zur Erzeugung eines auf dem Laserlicht basierenden Interferogramms, eine Detektoreinrichtung zur Detektion des Interferogramms nach einer Wechselwirkung mit der Probe und zur Erfassung eines Detektorsignals, welches das detektierte Interferogramm beinhaltet, innerhalb einer Detektormesszeit, und eine Auswertungseinrichtung, die zur Erfassung eines Spektrums der Probe durch eine Fourier-Transformation des detektierten Interferogramms konfiguriert ist, wobei die Abstimmeinrichtung des QCL zur periodischen spektralen Variation der Resonatormoden mit einer zeitlichen Abstimmperiode geringer als 1 min jeweils in einem spektralen Abstimmintervall konfiguriert ist, das mindestens gleich dem Abstand benachbarter Resonatormoden des Laserresonators ist, die aktive QCL-Region zur Erzeugung des Laserlichts mit den Emissionsfrequenzen im Bereich von 1 THz bis 6 THz konfiguriert ist, wobei die Emissionsfrequenzen des Laserlichts einen spektralen Emissionsbereich von mindestens 50 GHz abdecken, und die Detektoreinrichtung zur zeitlichen Mittelung des Detektorsignals über die zeitliche Abstimmperiode der Abstimmeinrichtung des QCL ausgelegt ist. Es wird auch ein Verfahren zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe mit dem Spektrometer beschrieben.

    Laservorrichtung, basierend auf einem photonischen Kristall mit säulen- oder wandförmigen Halbleiterelementen, und Verfahren zu deren Betrieb und Herstellung
    53.
    发明专利
    Laservorrichtung, basierend auf einem photonischen Kristall mit säulen- oder wandförmigen Halbleiterelementen, und Verfahren zu deren Betrieb und Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102016014939A1

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：DE102016014939

    申请日：2016-12-14

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： GIUNTONI IVANO ,  GEELHAAR LUTZ

    IPC: H01S5/30

    Abstract: Eine Laservorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), auf dessen Oberfläche ein optischer Wellenleiter (11) angeordnet ist, der einen optischen Resonator (12, 13) mit einer derartigen Resonatorlänge enthält, dass mindestens eine Resonatormode im Resonator (12, 13) eine stehende Welle bildet, und ein Verstärkungsmedium, das auf einer Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet ist, wobei das Verstärkungsmedium einen photonischen Kristall (20) mit einer Vielzahl von säulen- und/oder wandförmigen Halbleiterelementen (21) umfasst, die periodisch, von dem optischen Wellenleiter (11) abstehend auf der Oberfläche des optischen Wellenleiters (11) angeordnet sind, und der photonische Kristall (20) für eine optische Wechselwirkung mit der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) und für eine Verstärkung von Licht mit einer Wellenlänge der mindestens einen Resonatormode des optischen Resonators (12, 13) eingerichtet ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Laservorrichtung beschrieben.

    Diodo de contacto-P y de emisión de luz para la gama espectral ultravioleta
    55.
    发明专利
    Diodo de contacto-P y de emisión de luz para la gama espectral ultravioleta 未知

    公开(公告)号：ES2641460T3

    公开(公告)日：2017-11-10

    申请号：ES10737530

    申请日：2010-07-16

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： KNEISSL MICHAEL ,  WEYERS MARKUS ,  EINFELDT SVEN ,  RODRIGUEZ HERNAN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

    Abstract: Contacto dopado con p (1) para uso en un diodo emisor de luz para la gama espectral ultravioleta, que comprende una capa de contacto p (2) que contiene o consiste en p-AlGaN que tiene una primera superficie (A) para poner en contacto una zona de radiación y una segunda superficie (B) que comprende, en el lado opuesto a la primera superficie (A): a) un recubrimiento (8) que contacta directamente entre el 75% y el 96% de la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2) y que contiene o consiste en un material que tiene una reflectividad máxima de al menos el 60% en el intervalo UV con una longitud de onda de 200 nm a 400 nm; y b) una pluralidad de Inyectores p (5) que están dispuestos directamente sobre la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2), en el que los Inyectores p (5) comprenden, además de una capa de metal de inyector p (6) que permite una conexión óhmica de la capa de contacto p (2) a una fuente de corriente y contiene o se compone de Au, Ni, Pd, Pt, Rh, Ti, Ni/Au, Pd/Ti/Au, Pd/Pt/Au o Pt/Au, una capa de inyector p adicional (7) que contiene o consiste en p-GaN o p-(In)GaN.

    Verfahren und System zum Erzeugen eines Treibersignals für ein akusto-optisches Bauelement zur Carrier-Envelope-Phasenstabilisierung
    56.
    发明专利
    Verfahren und System zum Erzeugen eines Treibersignals für ein akusto-optisches Bauelement zur Carrier-Envelope-Phasenstabilisierung 未知

    公开(公告)号：DE102015200668B4

    公开(公告)日：2017-07-06

    申请号：DE102015200668

    申请日：2015-01-16

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： BACH FLORIAN ,  MERÖ MARK ,  STEINMEYER GÜNTER

    IPC: H01S3/13 ,  G02F1/11 ,  H01S3/098

    Abstract: Verfahren zur Stabilisierung eines Zugs (14) zeitlich gleich entfernter kurzer Laserpulse (16) eines Lasersignals (12) hinsichtlich der Carrier-Envelope-Phase umfassend die Schritte: Erzeugen eines zeitlich gepulsten Treibersignals (72) für ein akusto-optisches Bauelement (70), wobei das Treibersignal (72) ein bandbreitenbegrenztes Frequenzkammspektrum aufweist, dessen Frequenzkomponenten zur Carrier-Envelope-Offset-Frequenz kohärent sind, indem ein Repetitionssignal (36), dessen Frequenz die Repetitionsrate der zu stabilisierenden Laserpulse (16) oder eine ganzzahlige Harmonische der Repetitionsrate der zu stabilisierenden Laserpulse (16) ist, und ein Carrier-Envelope-Offset-Frequenz-Signal (46), dessen Frequenzspektrum eine Frequenzkomponente umfasst, welche zur Carrier-Envelope-Phase und der damit verknüpften Carrier-Envelope-Offset-Frequenz kohärent ist, aus dem Lasersignal (12) abgeleitet werden, und unter Verwendung des Repetitionssignals (36) ein offsetfreies Basisfrequenzkammsignal (122) mit einem offsetfreien Frequenzkamm erzeugt wird, dessen Frequenzkammlinienabstand der Repetitionsfrequenz der zu stabilisierenden Laserpulse (16) oder einer ganzzahligen Harmonischen der Repetitionsfrequenz der zu stabilisierenden Laserpulse (16) entspricht, wobei das Treibersignal (72) aus dem offsetfreien Basisfrequenzkammsignal (122) abgeleitet wird, wobei das Ableiten eine Bandpassfilterung und eine Korrekturmischung mit dem Carrier-Envelope-Offset-Frequenz-Signal (46) oder mit einem daraus abgeleiteten zur Carrier-Envelope-Offset-Frequenz kohärenten Korrektursignal (185) umfasst, Betreiben des akusto-optischen Bauelements (70) mit dem Treibersignal (72), Führen des Lasersignals (12) mit dem Zug (14) kurzer zu kompensierender Laserpulse (16) auf das akusto-optische Bauelement (70) und Bewirken der Carrier-Envelope-Phasen-Korrektur, dadurch gekennzeichnet, dass das Lasersignal (12) mit dem Zug (14) kurzer zu kompensierender Laserpulse (16) vor dem Führen auf das akusto-optische Bauelement (70) optisch verzögert wird, um zumindest die Gruppenlaufzeitverzögerung des akustischen Signals in dem akusto-optischen Bauelement (70) bis zu einer Wechselwirkungszone mit dem Lasersignal (12) zu kompensieren.

    (Sc,Y):AIN Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systeme
    58.
    发明专利
    (Sc,Y):AIN Einkristalle für Gitter-angepasste AlGaN Systeme 未知

    公开(公告)号：DE102015116068A1

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：DE102015116068

    申请日：2015-09-23

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： DITTMAR ANDREA ,  HARTMANN CARSTEN ,  WOLLWEBER JÜRGEN ,  BICKERMANN MATTHIAS

    IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von einkristallinem, mit Scandium und/oder Yttrium dotiertem Aluminiumnitrid mit Gehalten an Scandium und/oder Yttrium zwischen 0,01 und 50 Atom-% bezogen auf 100 Atom-% Gesamtstoffmenge des dotierten Aluminiumnitrids, dadurch gekennzeichnet, dass in Gegenwart eines Gases, ausgewählt aus Stickstoff oder Edelgas, oder einer Mischung aus Stickstoff und Edelgas, in einem Tiegel – ein Dotierungsmaterial, ausgewählt aus Scandium, Yttrium, Scandiumnitrid oder Yttriumnitrid oder eine Mischung daraus und – ein Quellmaterial aus Aluminiumnitrid sublimiert und auf einem Keimmaterial rekondensiert werden, welches ausgewählt ist aus Aluminiumnitrid oder mit Scandium und/oder Yttrium dotiertem Aluminiumnitrid. Ebenfalls betrifft die Erfindung eine entsprechende Vorrichtung, sowie die entsprechenden einkristallinen Produkten und deren Verwendung, wodurch die Grundlage für neuartige Bauelemente auf Basis von Schichten oder Schichtstapel von Aluminiumgalliumnitrid, Indiumaluminiumnitrid oder Indiumaluminiumgalliumnitrid geschaffen wurde.

    Laserdiode mit verbesserten elektrischen Leiteigenschaften
    59.
    发明专利
    Laserdiode mit verbesserten elektrischen Leiteigenschaften 未知

    公开(公告)号：DE102015203113A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：DE102015203113

    申请日：2015-02-20

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： FRICKE JÖRG ,  DECKER JONATHAN ,  CRUMP PAUL ,  ERBERT GÖTZ

    IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Laserdiode mit verbesserten elektrischen Leiteigenschaften sowie einen entsprechenden Diodenlaser. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Laserdiode mit verbessertem Aufbau zu schaffen, die bei gemeinsamer Ansteuerung unterschiedlicher Bereiche verbesserte Strahlqualität und Leistungseigenschaften aufweist und bei der ein Auftreten von Lochbrennungseffekten und eine Bildung thermischer Linsen vermieden werden. Die Laserdiode (10) weist dabei zumindest eine aktive Schicht (12) auf, die innerhalb eines Resonators (14) angeordnet und mit einem Auskoppelelement (16) wirkverbunden ist und weiterhin zumindest eine Kontaktschicht (18) zum Einkoppeln von Ladungsträgern in die aktive Schicht (12), wobei der Resonator (14) mindestens eine erste Sektion (20) und eine zweite Sektion (22) aufweist, wobei sich die maximale Breite (W1) der aktiven Schicht (12) in der ersten Sektion (20) von der maximalen Breite (W2) der aktiven Schicht (12) in der zweiten Sektion (22) unterscheidet, und eine Projektion der Kontaktschicht (18) entlang einer ersten sich senkrecht zur aktiven Schicht (12) erstreckenden ersten Achse (Z1) sowohl mit der ersten Sektion (20) als auch mit der zweiten Sektion (22) überlappt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zweite Sektion (22) eine Vielzahl separater Widerstandselemente (24) aufweist, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als der spezifische elektrische Widerstand der Bereiche (26) zwischen benachbarten Widerstandselemente (24) ist, wobei eine Breite (W3) der Widerstandselemente (24) entlang einer Längsachse (X1) der aktiven Schicht (12) kleiner als 20µm ist und eine Projektion der Widerstandselemente (24) auf die aktive Schicht (12) entlang der ersten Achse (Z1) mit mindestens 10% der aktiven Schicht (12) überlappt.

    Plasma-Prozesse bei Atmosphärendruck
    60.
    发明专利
    Plasma-Prozesse bei Atmosphärendruck 未知

    公开(公告)号：DE102010039365B4

    公开(公告)日：2016-03-24

    申请号：DE102010039365

    申请日：2010-08-16

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： GESCHE ROLAND DR ,  KÜHN SILVIO DIPL ING ,  PORTEANU HORIA-EUGEN

    IPC: H01J37/32 ,  C23C4/00 ,  H05H1/48

    Abstract: Vorrichtung zur punktgenauen Behandlung von Oberflächen eines Substrates (6) durch ein Plasma (2), umfassend: eine Plasmaquelle (1), welche ausgebildet ist, ein Plasma (2) zu erzeugen und in einen Plasmaraum mit einer entlang einer Hauptbewegungskomponente des Plasmas (2) verlaufenden longitudinalen Plasmaausdehnung auszustoßen, wobei die Plasmaquelle (2) einen zylinderförmigen Resonator (8) aufweist und das Target (5) drahtförmig und entlang der Zylinderachse des Resonators (8) angeordnet ist, wobei der Resonator (8) zusammen mit dem drahtförmigen Target (5) einen LC-Schwingkreis bildet, in dem das drahtförmige Target (5) als Dipol wirkt, eine erste Aufnahmevorrichtung (3-1), welche ausgebildet ist, das Target (5) aufzunehmen, eine zweite Aufnahmevorrichtung (3-2) für das Substrat (6), wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, Material aus dem Target (5) zu lösen und auf das Substrat (6) zu übertragen, wobei die zweite Aufnahmevorrichtung (3-2) wenigstens teilweise leitend ausgebildet und mit einer Spannungsquelle (4) verbunden ist, wobei die Spannungsquelle (4) ausgebildet ist, eine Beschleunigungsspannung zu erzeugen und an die zweite Aufnahmevorrichtung (3-2) anzulegen, eine Unterdruckkammer, in der die Plasmaquelle (1) und das Target (5) angeordnet sind, wobei die Unterdruckkammer ausgebildet ist, einen Druck in der Unterdruckkammer von zwischen einem Zehntel des Atmosphärennormaldrucks und Atmosphärennormaldruck zu erzeugen.

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