公开(公告)号：WO2012150177A3

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/EP2012057665

申请日：2012-04-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV ,  KNIGGE ANDREA ,  WEYERS MARKUS ,  WUERFL HANS-JOACHIM

Inventor： KNIGGE ANDREA ,  WEYERS MARKUS ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1085 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: The aim of the invention is to specify a UV photodetector that has high sensitivity and a low dark current. According to the invention, the fingers (18) of the first electrode structure (14) and the fingers (24) of the second electrode structure (20) are formed by a cover layer (30) made of a second semiconducting material, wherein the cover layer (30) is arranged on the absorber layer (12) and directly contacts the absorber layer (12) in the region of the fingers (18, 24), and the first semiconducting material and the second semiconducting material are designed in such a way that a two-dimensional electron gas (2DEG) is formed at the boundary layer between the absorber layer (12) and the cover layer (30) in the region of the fingers (18, 24). The design of the fingers (18, 24) of the cover layer (30) can be achieved by the removal of the 2DEG in the region between the fingers by etching. Alternatively, electron mobility at the boundary layer between the cover layer (30) and the absorber layer (12) outside of the regions forming the fingers (18, 24) can be sufficiently reduced by ion implantation.

Abstract translation: 本发明提供一种具有高灵敏度和低暗电流UV光电探测器的一个目的。 所述第一电极结构的所述指状物（18）（14）和第二半导电材料。根据本发明的覆盖层（30）的所述第二电极结构（20）的指状物（24），所述吸收体层上的覆盖层（30）（12） 布置并在手指（18，24）直接接触，并且所述第一半导体材料和第二半导体材料的区域中的吸收层（12）被构造成使得（在吸收器层（12）和顶层之间的边界层30 ）在手指（区域18,24）的二维电子气（2DEG）形成。 所述覆盖层（30）的指状物（18，24）的形成可以发生在手指之间的区域中，通过蚀刻，通过去除2DEG。 可替换地，电子迁移率可以是在形成覆盖层（30）和吸收层（12）之间的界面，通过离子注入充分降低部手指（18，24）的外侧。

公开(公告)号：DE102016114250A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102016114250

申请日：2016-08-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  HAGEDORN SYLVIA

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L33/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mit einem Halbleitermaterial beschichteten Saphirsubstrats, ein nach dem Verfahren erhältliches beschichtetes Saphirsubstrat sowie eine Leuchtdiode, die ein solches Substrat enthält. Das Verfahren umfasst die Schritte: a) Bereitstellen eines Saphirsubstrats; b) Abscheiden von Schichten aus amorphem AlN, Al2O3 oder einem Gemisch derselben auf dem Saphirsubstrat mittels Atomlagenabscheidung (ALD); c) Thermisch induziertes Kristallisieren der abgeschiedenen Schichten; und d) Abscheiden eines Halbleitermaterials.

公开(公告)号：DE102012223986A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102012223986

申请日：2012-12-20

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNEISSL MICHAEL ,  KÜLLER VIOLA ,  EINFELDT SVEN ,  KNAUER ARNE

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Template für laterales Überwachsen mindestens einer Gruppe III-Nitrid-basierten Schicht entlang einer ersten Richtung (X). Das Template ist zumindest in einem Teilbereich durch Vertiefungen (20, 21, 22, 23, 24, 25) strukturiert ist, die sich in die erste Richtung erstrecken und durch annähernd parallele Stege (30, 31, 32) getrennt sind, die sich hauptsächlich in der ersten Richtung (X) erstrecken und in einer zu der ersten Richtung (X) senkrechten zweiten Richtung (Y) hintereinander angeordnet sind. Das Template ist dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Teilbereich Verbindungsstege (41, 43, 44) aufweist, die die parallelen Stege (30, 31, 32) miteinander verbinden. Die erfindungsgemäßen Verbindungsstege (41, 43, 44) erleichtern das Aufwachsen und verhindern zudem das Ein- und Vordringen von Gasen oder Flüssigkeiten, zum Beispiel von Sauerstoff oder Ätzflüssigkeiten, in die nach Aufwachsen einer Gruppe III-Nitrid-basierten Schicht durch die Gräben und die aufgewachsene Schicht gebildeten Hohlräume.

公开(公告)号：DE102011086744B3

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：DE102011086744

申请日：2011-11-21

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： MAASDORF ANDRE ,  SCHULTZ CHRISTOPH M ,  WEYERS MARKUS ,  BROX OLAF ,  BUGGE FRANK ,  CRUMP PAUL ,  ERBERT GOETZ ,  WENZEL HANS

IPC: H01S5/125

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit hoher Effizienz und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser mit aluminiumhaltigen Schichten und einem zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge implementierten Bragg-Gitter zu beschreiben, der im Vergleich zu herkömmlichen Laserdioden eine höhere Leistung und/oder einen höheren Wirkungsgrad aufweist. Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zur Einbringung des Bragg-Gitters eine Aufteilung des Wachstumsprozesses in zwei Teilschritte vorgesehen wird, wobei eine kontinuierliche aluminiumfreie Schicht und eine aluminiumfreie Maskenschicht nach dem ersten Wachstumsprozess kontinuierlich derart aufgebracht werden, dass die aluminiumhaltige Schicht vollständig von der kontinuierlichen aluminiumfreien Schicht überdeckt wird. Daher kann eine Strukturierung außerhalb eines Reaktors erfolgen, ohne dass es zu einer ungewollten Oxidation der aluminiumhaltigen Halbleiterschicht kommt. Anschließend kann die vorstrukturierte Halbleiteroberfläche innerhalb des Reaktors weiter geätzt werden, sodass die Strukturierung bis in die aluminiumhaltige Schicht hinein abgeformt wird. Dabei wird so wenig Sauerstoff in das Halbleiterkristall der aluminiumhaltigen Schichten in der Umgebung des Gitters eingebaut, dass die Leistung und Effizienz eines erfindungsgemäßen Diodenlasers gegenüber einem Diodenlaser ohne die Gitterschichten, der in einem Epitaxieschritt hergestellt worden ist, nicht verringert ist.

公开(公告)号：DE102012205834A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012205834

申请日：2012-04-11

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  ERBERT GOETZ

IPC: H01S3/0941 ,  G02F1/377

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (200) beschrieben, das eine Halbleitersubstratschicht (201) und auf der Halbleitersubstratschicht (201) epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschichten (202, 203, 204, 205, 206) umfasst. Die Halbleiterschichten (202, 203, 204, 205, 206) umfassen eine aktive Zone (203) und eine Wellenleiterschicht (202). Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement (200) zeichnet sich dadurch aus, dass die aktive Zone (203) ausgelegt ist, optische Pumpstrahlung (304) einer ersten Wellenlänge durch Mehrphotonenabsorption zu absorbieren und eine optische Strahlung (306) einer zweiten Wellenlänge zu erzeugen, die kürzer als die erste Wellenlänge ist. Außerdem wird ein System zur Frequenzkonversion mit dem Halbleiterbauelement (200) und einer Pumplaserdiode beschrieben sowie ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterbauelements (200) und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (200).

公开(公告)号：DE102011075103A8

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011075103

申请日：2011-05-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNIGGE ANDREA DR ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109

公开(公告)号：DE502006008325D1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：DE502006008325

申请日：2006-01-18

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： RICHTER EBERHARD ,  TRAENKLE GUENTHER ,  WEYERS MARKUS

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

公开(公告)号：ES2641460T3

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：ES10737530

申请日：2010-07-16

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： KNEISSL MICHAEL ,  WEYERS MARKUS ,  EINFELDT SVEN ,  RODRIGUEZ HERNAN

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: Contacto dopado con p (1) para uso en un diodo emisor de luz para la gama espectral ultravioleta, que comprende una capa de contacto p (2) que contiene o consiste en p-AlGaN que tiene una primera superficie (A) para poner en contacto una zona de radiación y una segunda superficie (B) que comprende, en el lado opuesto a la primera superficie (A): a) un recubrimiento (8) que contacta directamente entre el 75% y el 96% de la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2) y que contiene o consiste en un material que tiene una reflectividad máxima de al menos el 60% en el intervalo UV con una longitud de onda de 200 nm a 400 nm; y b) una pluralidad de Inyectores p (5) que están dispuestos directamente sobre la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2), en el que los Inyectores p (5) comprenden, además de una capa de metal de inyector p (6) que permite una conexión óhmica de la capa de contacto p (2) a una fuente de corriente y contiene o se compone de Au, Ni, Pd, Pt, Rh, Ti, Ni/Au, Pd/Ti/Au, Pd/Pt/Au o Pt/Au, una capa de inyector p adicional (7) que contiene o consiste en p-GaN o p-(In)GaN.

公开(公告)号：DE102012223986B4

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102012223986

申请日：2012-12-20

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNEISSL MICHAEL ,  KÜLLER VIOLA ,  EINFELDT SVEN ,  KNAUER ARNE

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

Abstract: Template (10) für laterales Überwachsen mindestens einer Gruppe III-Nitrid-basierten Schicht entlang einer ersten Richtung (X), wobei das Template (10) zumindest in einem Teilbereich durch Vertiefungen (20, 21, 22, 23, 24, 25) strukturiert ist, die sich in die erste Richtung erstrecken und durch annähernd parallele Stege (30, 31, 32) getrennt sind, die sich hauptsächlich in der ersten Richtung (X) erstrecken und in einer zu der ersten Richtung (X) senkrechten zweiten Richtung (Y) hintereinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierte Teilbereich Verbindungsstege (41, 43, 44) aufweist, die die parallelen Stege (30, 31, 32) so miteinander verbinden, dass die Vertiefungen vollständig durch Stege eingeschlossen sind.

公开(公告)号：DE102011075103B4

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102011075103

申请日：2011-05-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WEYERS MARKUS ,  KNIGGE ANDREA DR ,  WUERFL HANS-JOACHIM

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109

Abstract: Photodetektor, aufweisend: ein Trägersubstrat (10); eine Absorberschicht (12) aus einem ersten halbleitenden Material; eine erste Elektrodenstruktur (14) mit einer Vielzahl von Fingern (18), eine zweite Elektrodenstruktur (20) mit einer Vielzahl von Fingern (24), wobei die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) berührungslos ineinander greifen, einen ersten Kontakt (26) und einen zweiten Kontakt (28), wobei der erste Kontakt (26) vom zweiten Kontakt (28) beabstandet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Finger (18) der ersten Elektrodenstruktur (14) und die Finger (24) der zweiten Elektrodenstruktur (20) eine Deckschicht (30) aus einem zweiten halbleitenden Material aufweisen, wobei die Deckschicht (30) auf der Absorberschicht (12) angeordnet ist und die Absorberschicht (12) im Bereich der Finger (18, 24) direkt kontaktiert, und das erste halbleitende Material und das zweite halbleitende Material derart ausgebildet sind, dass sich an der Grenzschicht zwischen der Absorberschicht (12) und der Deckschicht (30) im Bereich der Finger (18, 24) ein zweidimensionales Elektronengas ausbildet.