公开(公告)号：CN105074046A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480010227.2

申请日：2014-02-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3253 ,  C04B2235/6581 ,  C23C14/083

Abstract: 本发明提供一种可直流(DC)溅射的氧化铌溅射靶及制造方法。本发明的氧化铌溅射靶为氧化铌烧结体，其特征为在所述烧结体的厚度方向的整个区域，比电阻为0.001～0.05Ω·cm。

公开(公告)号：CN103958729A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380003991.2

申请日：2013-03-01

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  近藤佑一 ,  森理惠 ,  山口刚

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453

CPC classification number: C04B35/453 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种即使DC溅射也能够制作高电阻的透明膜的溅射靶以及高电阻透明膜及其制造方法。本发明的溅射靶以氧化锌为主要成分，由具有相对于总金属成分含量含有0.005～0.1原子％的选自In、Ga、Al、B的元素群中的一种或两种以上的元素的成分组成的氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体的密度为5.3g/cm3以上。高电阻透明膜使用上述溅射靶通过DC溅射成膜，体积电阻率为1×104Ω·cm以上。

公开(公告)号：CN103534381A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280021123.2

申请日：2012-04-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  昭和砚壳石油株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  B22F3/15 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/20 ,  B22F2201/10

Abstract: 提供了一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成；Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100-1000ppm。

公开(公告)号：CN103380229A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280007565.1

申请日：2012-02-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  H01L31/04

CPC classification number: C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有折射率低且良好阻气性的氧化锌系透明氧化物膜及其制造方法。本发明的透明氧化物膜具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有0.9～20.0at%的Al及25.5～68.0at%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成，并且为非晶质。该制造方法如下：在含氧的惰性气体气氛中及加热基板的状态的至少一种环境下，利用溅射靶进行DC溅射，其中，该溅射靶由氧化物烧结体构成，并且该烧结体组织中存在复合氧化物Zn2SiO4和ZnO，该氧化物烧结体具有如下成分组成：相对于总金属成分量含有0.3～4.0wt%的Al及6.0～14.5wt%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN102753721A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008507.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘 ,  白井孝典

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/14 ,  B22F2003/145 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C32/0089 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法良好地形成添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：含有Ga：20～40at%，并含有Na：0.05～2at%及S：0.025～1.0at%，剩余部分包括Cu及不可避免的杂质。并且，该溅射靶的制作方法具有对Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中进行热压的工序或以热等静压法进行烧结的工序。