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公开(公告)号：CN115244197B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180018743.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，小倾角晶界及亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80％以下。
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公开(公告)号：CN115917023A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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公开(公告)号：CN115279929A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180018502.5
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，Ag、Sn及Fe的合计含量为9.0质量ppm以上且小于100.0质量ppm，并且剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，所述纯铜板具有与轧制面平行的晶面为{022}面、{002}面、{113}面、{111}面及{133}面的晶体，通过基于2θ/θ法对所述轧制面进行X射线衍射测定所得的所述各晶面的衍射峰强度满足I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≤0.15、I{002}/I{111}≥10.0及I{002}/I{113}≥15.0。
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公开(公告)号：CN115244197A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018743.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有如下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，所述小倾角晶界及所述亚晶界相对于总晶界的长度比率以分配率(partition fraction)计为80％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115244196A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018288.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，Pb、Se及Te的合计含量为10.0质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，并且剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，并且轧制面中的晶粒的纵横比为2.0以下，在将加压压力设为0.6MPa、将加热温度设为850℃、将加热温度下的保持时间设为90分钟的条件下实施加压热处理后，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为500μm以下。
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公开(公告)号：CN114302975B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080061069.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金含有Mg：100质量ppm以上且400质量ppm以下、Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下及P：小于5质量ppm，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.22＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45成立。
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公开(公告)号：CN111771005A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980015712.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金包含Mg：0.15质量％以上且小于0.35质量％及P：0.0005质量％以上且小于0.01质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg量〔Mg〕与P量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的0J.25≤与所0.4有5。晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))
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公开(公告)号：CN105339513A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480032727.6
申请日：2014-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: C22C9/04 , B22D7/005 , C22C1/02 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01B1/026 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的一方式含有大于2.0质量％且36.5质量％以下的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，元素含量的原子比满足3.00＜Ni/P＜100.00及0.10＜Sn/Ni＜2.90，相对于轧制方向为正交方向的抗拉强度TSTD与相对于轧制方向为平行方向的抗拉强度TSLD的强度比TSTD/TSLD超过1.09。
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公开(公告)号：CN105283567A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480032947.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的一方式含有大于2.0质量％且36.5质量％以下的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，元素含量的原子比满足3.0＜Ni/P＜100.0及0.10＜Sn/Ni＜2.90，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的表面的维氏硬度为100以上。
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