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公开(公告)号：CN105006505A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510179524.6
申请日：2015-04-15
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/16225 , H01L33/30 , H01L33/0062
Abstract: 本发明涉及具有应力管理的半导体异质结构。提供了一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的族III氮化物层，其中，所述族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数与所述第一族III氮化物材料中镓的摩尔分数有至少0.05的差异，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。
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公开(公告)号：CN104813454A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061263.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/408 , G06F17/5068 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 提供了具有防击穿层的半导体器件。防击穿层可以位于器件的高电压表面区域。防击穿层可以包括具有嵌入其中的导电元件的绝缘膜。可以沿着绝缘膜的横向长度布置导电元件。导电元件可以配置为将器件工作期间以其它方式存在于高电压表面区域的高电场尖峰分成多个小得多的尖峰。
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公开(公告)号：CN103548156A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280010124.7
申请日：2012-02-25
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01S5/0224 , H01S5/0422 , H01S5/3201 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。
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公开(公告)号：CN105268386B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201510301012.2
申请日：2015-06-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开涉及紫外透明外壳。提供了用于使用紫外辐射消毒流体、胶体、混合物等的解决方案。紫外透明外壳可以包括用于要消毒的介质流的入口和出口。紫外透明外壳包括配置为防止紫外透明外壳内的生物污损的材料。一组紫外辐射源其位置与紫外透明外壳相邻，且配置为产生向着紫外透明外壳的紫外辐射。
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公开(公告)号：CN107073145B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201580049300.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A61L2/10
Abstract: 提供了一种漫射照明器。所述漫射照明器包括一组光源和包括多个层的导光结构。层中的至少一些层可由含氟聚合物形成，至少一个层可由透明流体形成。导光结构还包括漫射光通过其射出的发射表面。导光结构还可包括与所述多个层中的至少一层相关的漫射元件。每个漫射元件可使光漫射到朗伯分布的40％之内。漫射元件可基于在与待照射表面相对应的目标距离处的漫射光的期望的均匀性来布置。漫射照明器可发射紫外光，并且可实现为杀菌系统的一部分。
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公开(公告)号：CN111955811A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010896308.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A41D13/00 , A41D13/002 , A61L2/10 , A61L2/24 , A61L9/20
Abstract: 提供了一种防护服。所述防护服包括：针对使用者的可穿戴的衣服，所述可穿戴的衣服由能够经受紫外辐射的材料制成；空气输入管和空气输出管；紫外杀菌组件，合并在所述可穿戴的衣服中并且连接到空气输入管，其中，紫外杀菌组件包括：入口，来自周围环境的空气进入入口；过滤单元和紫外杀菌源，过滤单元包括用于去除周围环境空气的颗粒的空气过滤单元；其中，紫外杀菌源被构造为在空气移动穿过紫外杀菌组件时，对空气进行灭菌，并且其中，紫外杀菌组件还包括导光结构，所述导光结构发射扩散的紫外光。
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公开(公告)号：CN107073146B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580056212.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种能够使用紫外辐射对物体的表面检测和/或灭菌的系统。所述系统可以包括包含用于诱导污染物中的荧光和/或对物体的表面进行灭菌的紫外源的杀菌室和/或手持式紫外单元。所述物体可以包括防护服，所述防护服由使用者穿戴并且还可以包括用于在空气进入防护服之前对空气杀菌的紫外源。所述系统可以实施为多层次系统，其用于保护使用者和其它物体免受暴露于污染物，并且在暴露到包括污染物的环境之后对防护服进行灭菌。
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公开(公告)号：CN111035859A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911314813.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
IPC: A61N5/06
Abstract: 公开了一种紫外处理装置，所述紫外处理装置包括：柔性基底，包括位于第一侧上的紫外吸收层和与第一侧相对定位的第二侧；以及紫外辐射系统，结合到柔性基底，其中，紫外辐射系统包括：被构造为穿过第二侧发射紫外辐射的至少一个紫外辐射源、被配置为控制所述至少一个紫外辐射源的操作的控制系统、以及被配置为检测与第二侧邻近定位的表面上的病原体活性的至少一个感测单元，其中，控制系统基于病原体活性控制所述至少一个紫外辐射源的操作。
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公开(公告)号：CN105518380B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201480048772.0
申请日：2014-09-05
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02B5/00
Abstract: 提供了用于生成紫外线漫射辐射的解决方案。漫射紫外线辐射照射器包括位于包括多个表面的反射腔内的至少一个紫外线辐射源。所述多个表面当中至少一个可被配置为漫反射至少70％的紫外线辐射，并且所述多个表面中当中至少一个可被配置为透射至少30％的紫外线辐射并反射至少10％的紫外线辐射。
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