公开(公告)号：CN106574398B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN104641453B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380046378.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。

公开(公告)号：CN106574398A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN103014866B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210441633.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN104250853A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410411963.0

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm-3以上且4×1019cm-3以下的氧原子浓度，和6×1014cm-3以上且5×1018cm-3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN101922045B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN1969067B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200580019599.2

申请日：2005-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B9/06 ,  C30B13/02 ,  C30B29/403

Abstract: 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。

公开(公告)号：CN102011191A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010243313.1

申请日：2010-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。

公开(公告)号：CN1965112B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580018887.6

申请日：2005-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  中畑成二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C30B11/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。

公开(公告)号：CN101911258A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124228.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/338 ,  H01L21/66 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定GaN衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底；以及分割步骤，其中在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上层压功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。