公开(公告)号：CN105393393A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480040766.0

申请日：2014-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竹内久雄 ,  松浦尚 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  东野孝浩 ,  真岛正利

IPC: H01M8/1246 ,  H01M4/90

CPC classification number: H01M8/1246 ,  H01M4/905 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2250/20 ,  H01M2300/0071 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供了一种燃料电池用复合材料，其在同时烧制电解质-阳极层叠体的情况下，抑制了固体电解质层的离子传导性降低，并能够提高燃料电池的发电性能。该燃料电池用复合材料(1)具有固体电解质层(3)以及层叠在固体电解质层上的阳极层(2)。固体电解质层由离子导体构成，在离子导体中，钙钛矿结构的A位包含钡(Ba)和/或锶(Sr)，并且B位中的一些四价阳离子被三价稀土元素取代。阳极层包含组成与固体电解质层相同的电解质成分、镍(Ni)催化剂、以及含有稀土元素的添加剂，所述添加剂至少位于阳极层与固体电解质层之间的界面区域。

公开(公告)号：CN103237590B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180058042.5

申请日：2011-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平岩千寻 ,  真岛正利 ,  桑原铁也 ,  粟津知之 ,  水原奈保 ,  上田登志雄 ,  土井秀之 ,  仓本敏行

IPC: B01D53/32 ,  B01D53/58 ,  B01J19/08 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

CPC classification number: H01M8/1007 ,  B01D53/32 ,  B01D2257/406 ,  B01D2258/0216 ,  H01M4/8885 ,  H01M8/004 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/0245 ,  H01M8/0247 ,  H01M8/0637 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1006 ,  H01M8/124 ,  H01M8/222 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2008/147 ,  Y02E60/521 ,  Y02E60/525 ,  Y02E60/526 ,  Y02E60/566 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供了一种气体分解组件，其中采用了使用固体电解质的电化学反应以降低运行成本并且提供高处理性能，本发明还提供了气体分解组件的制造方法以及发电装置。气体分解组件(10)包括：筒状体MEA(7)，其包括布置于内表面侧的第一电极(2)、布置于外表面侧的第二电极(5)、以及夹在第一电极与第二电极之间的固体电解质(1)；以及多孔金属体(11s)，其插入在筒状体MEA内表面侧，并且与第一电极电连接，其中，本气体分解组件进一步包括形成于第一电极内周面的多孔导电膏涂布层(11g)、以及布置于导电膏涂布层内周侧的金属网片(11a)，并且通过该导电膏涂布层和该金属网片在第一电极与多孔金属体之间建立电连接。

公开(公告)号：CN102099511B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980128007.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的支撑衬底。接着，在所述支撑衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述支撑衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

公开(公告)号：CN101484617B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780025231.6

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  川濑智博 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。

公开(公告)号：CN101680109B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。

公开(公告)号：CN101370972B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780003077.2

申请日：2007-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN102099511A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980128007.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的底部衬底。接着，在所述底部衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述底部衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

公开(公告)号：CN102046858A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119278.8

申请日：2009-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。

公开(公告)号：CN101842524A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880012096.6

申请日：2008-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  宫永伦正 ,  中幡英章 ,  山本喜之

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。

公开(公告)号：CN101802274A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880003999.8

申请日：2008-11-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法能够稳定地生长具有大孔径和厚度的AlN晶体。本发明具体公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法包括准备具有主面(4m)的SiC衬底(4)的步骤，在所述主面(4m)中，管径为1000μm以上的微型管(4mp)的密度为0cm-2，且管径为100μm以上且小于1000μm的微型管(4mp)的密度为0.1cm-2以下；和通过气相淀积在所述主面(4m)上生长AlN晶体(5)的步骤。