公开(公告)号：KR101202270B1

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：KR1020107024030

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449

Abstract: 주가스 유로와 복수의 분지 가스 유로와의 가스 컨덕턴스의 비를 크게한다. 플라즈마 처리 장치(100)는, 가스를 여기시켜 비처리체를 플라즈마 처리하는 장치이며, 처리 용기(100)와, 소망하는 가스를 공급하는 가스 공급원(905)과, 가스 공급원(905)으로부터 공급된 가스를 분류시키는 주가스 유로(330)와, 주가스 유로(330)의 하류측에 접속되는 복수의 분지 가스 유로(나사(325))와, 복수의 분지 가스유로에 형성되고, 분지가스 유로를 좁히는 복수의 조임부(세관(細管; 335))와, 복수의 분지 가스 유로에 형성된 복수의 조임부를 통과한 가스를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는, 분지 가스 유로당 1 또는 2 이상의 가스 방출 구멍(345)을 갖는다.

Abstract translation: 主气体通道和多个分支气体通道之间的气体传导率的比率增加。 等离子体处理装置100是通过激发气体对未处理物进行等离子体处理的装置，具有处理容器100，供给所需气体的气体供给源905， 连接到主气体流路330的下游侧的多个分支气体流路（螺杆325）和多个分支气体流路 多个节流部（细管）335）以及用于将通过形成在多个分支气体流路中的多个节流部的气体排出到处理容器100中的每个分支气体流路的一个或多个气体排出 如图3所示的孔345。

公开(公告)号：KR101183039B1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：KR1020097024342

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: (과제) 도체 표면파의 전파를 억제한다
(해결 수단) 플라즈마 처리 장치(10)는, 금속에 의해 형성된 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 처리 용기(100)의 내벽에 면하고, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 처리 용기 내에 투과하는 유전체판(305)과, 처리 용기의 내면에 형성된 전파 장해부로서 기능하는 홈(300a)을 갖는다. 저주파수의 마이크로파를 공급한 경우, 홈(300a)에 의해 도체 표면파의 전파가 억제된다.

公开(公告)号：KR1020110094353A

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020117016530

申请日：2009-11-02

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 마이크로파에 의해 가스를 여기시켜 기판(G)을 플라즈마 처리하기 위한 처리 용기(100)와, 마이크로파를 출력하는 마이크로파원(900)과, 마이크로파원(900)으로부터 출력된 마이크로파를 전송하는 전송 선로와, 처리 용기(100)의 내면에 설치되어, 마이크로파를 처리 용기(100) 내로 방출하는 복수의 유전체판(305)과, 복수의 유전체판(305)에 인접하여, 마이크로파를 복수의 유전체판(305)으로 전송하는 복수의 제1 동축관(610)과, 전송 선로를 전송해 온 마이크로파를 복수의 제1 동축관(610)에 분배하여 전송하는 동축관 분배기(600)를 갖는다. 동축관 분배기(600)는, 입력부(In)를 갖는 제2 동축관(620)과, 복수의 제1 동축관(610)에 연결되는 상이한 구성의 분기 구조(B1, B2)를 포함한다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置10具有：利用微波激发气体对基板G进行等离子体处理的处理容器100;输出微波的微波源900; 设置在处理容器100的内表面上用于将微波排出到处理容器100中的多个电介质板305以及与多个电介质板305相邻设置的多个电介质板305， 用于将微波传输到多个电介质板305的多个第一同轴管610和用于将通过传输线传输的微波分配到多个第一同轴管610的同轴管分配器600 ），它有。 同轴管分配器600包括第二同轴管620，第二同轴管620具有连接到多个第一同轴管610的不同构造的输入In和分支结构B1和B2。

公开(公告)号：KR1020100126571A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107024030

申请日：2009-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449

Abstract: 주가스 유로와 복수의 분지 가스 유로와의 가스 컨덕턴스의 비를 크게한다. 플라즈마 처리 장치(100)는, 가스를 여기시켜 비처리체를 플라즈마 처리하는 장치이며, 처리 용기(100)와, 소망하는 가스를 공급하는 가스 공급원(905)과, 가스 공급원(905)으로부터 공급된 가스를 분류시키는 주가스 유로(330)와, 주가스 유로(330)의 하류측에 접속되는 복수의 분지 가스 유로(나사(325))와, 복수의 분지 가스유로에 형성되고, 분지가스 유로를 좁히는 복수의 조임부(세관(細管; 335))와, 복수의 분지 가스 유로에 형성된 복수의 조임부를 통과한 가스를 처리 용기(100)의 내부에 방출하는, 분지 가스 유로당 1 또는 2 이상의 가스 방출 구멍(345)을 갖는다.

公开(公告)号：KR100880784B1

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020070028218

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 마이크로파를 직사각형 도파관(rectangular waveguide)의 하면(下面)에 복수 형성된 슬롯을 통하여 처리실의 상면(上面)에 배치된 유전체 내에 전파시키고, 유전체 표면에서 형성시킨 전자계에서의 전계 에너지에 의해 처리실 내에 공급된 소정의 가스를 플라즈마화시켜, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 직사각형 도파관의 상면 부재가 도전성을 갖는 비자성 재료로 구성되고, 또한, 그 상면 부재가 하면에 대하여 승강 이동된다. 가스 종류, 압력, 마이크로파 공급 장치의 파워 출력 등이라고 하는 처리실 내에서 행해지는 플라즈마 처리의 조건에 따라, 직사각형 도파관의 상면 부재가 하면에 대하여 승강 이동되는 것에 의해, 관 내 파장이 변화된다.

公开(公告)号：KR100876750B1

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：KR1020080000677

申请日：2008-01-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 기타무라마사유키 ,  히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192

Abstract: 도파관에 도입된 마이크로파를 슬롯에 통과시켜서 유전체에 전파시키고, 처리 용기 내에 공급된 소정의 가스를 플라즈마화시켜서, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 도파관을 복수 개로 나란히 배치하고, 그들 도파관마다 복수의 유전체를 각각 설치하며, 또 각 유전체마다 1개 또는 2개 이상의 슬롯을 설치했다. 각 유전체의 면적을 현저하게 작게 할 수 있어, 유전체의 표면 전체에 마이크로파를 확실히 전파시킬 수 있다. 또한, 유전체를 지지하는 지지 부재도 가늘게 완성되므로, 기판의 위쪽 전체에 균일한 유전 자계를 형성할 수 있어, 처리실 내에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

Abstract translation: 通过引入具有在电介质中的槽电波，并且通过局部化等离子体所需的气体供给到处理容器内的波导中的微波传递，用于在基板上进行等离子体处理的等离子体处理装置，并排放置在波导件多个，并且它们 为每个波导提供多个电介质，并且为每个电介质提供一个或两个或更多个槽。 每个电介质的面积可以显着减小，并且微波可以确实地传播到电介质的整个表面。 此外，由于还用于支撑电介质薄膜成品的支承构件，能够以形成介电磁场均匀地在基板的整个顶，能产生在处理腔室中的均匀的等离子体。

公开(公告)号：KR100847963B1

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020070011780

申请日：2007-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 슬롯에 통과시킨 마이크로파를 투과시키는 복수 매의 유전체 파트(31)와, 각 유전체 파트(31)보다 아래쪽에 위치하는 가스 노즐(27)을 갖고 있다. 유전체 파트(31) 및 가스 노즐(27)은 포러스(다공질체(多孔質體))와 벌크(치밀질체(緻密質體))로 형성되어 있다. 제 1 가스 공급부는 아르곤 가스를 각 유전체 파트(31)로 포러스(31P)로부터 처리실 내로 공급한다. 제 2 가스 공급부는 실란 가스 및 수소 가스를 가스 노즐(27)의 포러스(27P)로부터 처리실 내로 공급한다. 가스는 각 포러스를 통과할 때에 감속되고, 이것에 의해, 가스의 지나친 교반을 억지할 수 있다. 이 결과, 균일한 플라즈마를 생성하여, 이에 따라 양질의 비정질(amorphous) 실리콘막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置100具有多个电介质部31，该电介质部31用于传输通过位于电介质部31下方的槽和气体喷嘴27的微波。 介电部分31和气体喷嘴27由多孔（多孔体）和块体（致密体）形成。 第一气体供应部分将氩气从多孔部分31P供应到每个电介质部分31进入处理室。 第二气体供应单元将来自气体喷嘴27的多孔27P的硅烷气体和氢气供应到处理室中。 气体在通过每个多孔构件时被减速，由此可以抑制气体的过度搅拌。 结果，可以产生均匀的等离子体，由此形成高质量的非晶硅膜。

公开(公告)号：KR1020080034079A

公开(公告)日：2008-04-18

申请号：KR1020070102596

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로 ,  기타무라마사유키 ,  무라타히토시

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32798 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/4607

Abstract: A plasma processing apparatus and a driving method thereof, and a plasma processing method, and a manufacturing method of an electronic device are provided to activate cleaning gas by utilizing the power of microwave. A plasma processing apparatus, which includes a space part(66) and a cleaning gas path(61), executes a plasma process on an objective processing member disposed in a processing chamber by utilizing microwaves through a waveguide(35). The space part is surrounded by a wall formed dielectrics in the waveguide. The cleaning gas path is used to supply cleaning gas into the processing chamber through the space part.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置及其驱动方法以及等离子体处理方法以及电子装置的制造方法，以通过利用微波的功率来激活清洁气体。 包括空间部分（66）和清洁气体路径（61）的等离子体处理装置通过利用通过波导（35）的微波对设置在处理室中的物镜处理部件执行等离子体处理。 空间部分被波导中的壁形电介质包围。 清洁气体路径用于通过空间部分将清洁气体供应到处理室中。

公开(公告)号：KR1020080030511A

公开(公告)日：2008-04-04

申请号：KR1020070097497

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/463

Abstract: A microwave plasma processing device, a manufacturing method of a dielectric window, and a processing method of a microwave plasma are provided to uniformly generate the plasma through a uniformly and slowly supplied gas to a predetermined position. A microwave plasma processing device includes a slot antenna, a dielectric window, a gas supply unit, and a processing chamber. The slot antenna propagates a microwave. The dielectric window transmits the propagated microwave. The gas supply unit supplies a predetermined gas. The processing chamber processes a subject by converting the predetermined gas into plasma with the microwave transmitted through the dielectric window. The dielectric window includes a first porous material(31Ph) and a second porous material(31Pl). The first porous material has first porosity. The second porous material is connected to the first porous material and has second porosity lower than the first porosity. The gas supply unit induces the predetermined gas in the processing chamber from the second porous material through the first porous material.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置，电介质窗的制造方法和微波等离子体的处理方法，以通过均匀缓慢供给的气体均匀地产生等离子体至规定位置。 微波等离子体处理装置包括缝隙天线，电介质窗，气体供给单元和处理室。 缝隙天线传播微波。 电介质窗口传播传播的微波。 气体供给单元供给预定的气体。 处理室通过将微波传输通过电介质窗口将预定气体转换为等离子体来处理对象。 电介质窗包括第一多孔材料（31Ph）和第二多孔材料（31P1）。 第一多孔材料具有第一孔隙度。 第二多孔材料连接到第一多孔材料并且具有低于第一孔隙率的第二孔隙率。 气体供给单元通过第一多孔材料从第二多孔材料诱导处理室中的预定气体。

公开(公告)号：KR1020070080232A

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：KR1020070011780

申请日：2007-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to form uniformly plasma by decreasing a flow rate of gas injected into a process chamber. A process chamber(U) is used for processing a target by using plasma. A gas supply unit supplies a gas to the process chamber. A microwave supply unit supplies a microwave through a slot(37) of an antenna(30) and a dielectric member to the process chamber. The gas is converted to the plasma by the microwave. The dielectric member includes at least partially a porous member. The gas is introduced into the process chamber through the porous member. The dielectric member is composed of the porous member and a dense member. The porous member and the dense member are integrally sintered to form the dielectric member.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过降低注入到处理室中的气体的流量来均匀地形成等离子体。 处理室（U）用于通过使用等离子体来处理目标物。 气体供应单元向处理室供应气体。 微波供应单元通过天线（30）的槽（37）和电介质构件向处理室提供微波。 气体通过微波转换成等离子体。 电介质构件至少部分地包括多孔构件。 气体通过多孔构件被引入处理室。 电介质构件由多孔构件和致密构件构成。 多孔构件和致密构件被一体烧结以形成电介质构件。