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公开(公告)号：KR1020060057090A
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1020040096149
申请日：2004-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는, 기판 상에 순차적으로 적층된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층과, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 n형 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 형성된 n형 전극과, 상기 활성층을 포함하는 상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층의 측면에 형성된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성된 반사층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050091818A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016473
申请日：2004-03-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층에 서브밴드를 형성하는 실리콘 또는 희토류금속이 도핑되어 있다. 활성층은 하나 또는 둘이며, 둘인 경우에는 그 사이에 크래딩레이어가 개재된다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
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公开(公告)号：KR1020050028706A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030065219
申请日：2003-09-19
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: A light emitting device is provided to increase a driving voltage without deteriorating luminous efficiency by decreasing contact resistance between a p-type electrode and a p-type compound semiconductor layer. A transparent substrate(40) is prepared. An n-type compound semiconductor layer(42) is formed on the transparent substrate. An active layer(44) is formed on the first region of the n-type compound semiconductor layer. A p-type compound semiconductor layer(46) is formed on the active layer. A low resistance layer(48) is formed on the p-type compound semiconductor layer. A p-type electrode is formed on the low resistance layer. An n-type electrode(52) is formed on the second region of the n-type compound semiconductor layer such that the second region is separated from the first region.
Abstract translation: 提供一种发光器件，以通过降低p型电极和p型化合物半导体层之间的接触电阻来增加驱动电压而不降低发光效率。 制备透明基板（40）。 在透明基板上形成n型化合物半导体层（42）。 在n型化合物半导体层的第一区域上形成有源层（44）。 在有源层上形成p型化合物半导体层（46）。 在p型化合物半导体层上形成低电阻层（48）。 在低电阻层上形成p型电极。 n型电极（52）形成在n型化合物半导体层的第二区域上，使得第二区域与第一区域分离。
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公开(公告)号：KR1020040093609A
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020030027546
申请日：2003-04-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: An LED(Light Emitting Diode) device is provided to improve conversion efficiency of the device by using a multi-layered fluorescent layer. CONSTITUTION: An LED device includes an LED chip and a multi-layered fluorescent layer. The LED chip(110) emits excitation light. The multi-layered fluorescent layer(120) encloses the LED chip. The multi-layered fluorescent layer includes the first fluorescent layer(121) for emitting red light of 580 to 700 nm, the second fluorescent layer(122) for emitting green light of 500 to 550 nm, and the third fluorescent layer(123) for emitting blue light of 420 to 480 nm.
Abstract translation: 目的：提供LED（发光二极管）器件，以通过使用多层荧光层来提高器件的转换效率。 构成：LED装置包括LED芯片和多层荧光层。 LED芯片（110）发射激发光。 多层荧光层（120）包围LED芯片。 多层荧光层包括用于发射580〜700nm的红光的第一荧光层（121），用于发射500〜550nm的绿光的第二荧光层（122），以及用于 发射420〜480nm的蓝光。
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公开(公告)号：KR1020040091293A
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：KR1020030025084
申请日：2003-04-21
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: PURPOSE: A semiconductor LED(light emitting diode) is provided to obtain high light extraction efficiency by using a p-type electrode with two metal layers having complementary characteristics. CONSTITUTION: A substrate(10) is prepared. An n-type semiconductor layer(20), an active layer(30) and a p-type semiconductor layer(40) are sequentially formed on the substrate. The first metal layer(51) is formed on the p-type semiconductor layer. The second metal layer(52) reflects the light generated from the active layer, formed on the first metal layer. A p-type electrode(50) includes the first metal layer and the second metal layer.
Abstract translation: 目的：通过使用具有互补特性的两个金属层的p型电极，提供半导体LED（发光二极管）以获得高的光提取效率。 构成：制备基材（10）。 在衬底上依次形成n型半导体层（20），有源层（30）和p型半导体层（40）。 第一金属层（51）形成在p型半导体层上。 第二金属层（52）反射形成在第一金属层上的由有源层产生的光。 p型电极（50）包括第一金属层和第二金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040021028A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020052462
申请日：2002-09-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to generate a white light with uniform profile by controlling the thickness of a fluorescent layer. CONSTITUTION: A light emitting diode includes a transparent substrate(51), a semiconductor layer formed on the front surface of the substrate and a fluorescent layer(59) formed on the back surface of the substrate. The light emitting diode further includes at least one via hole(56a). The via hole(56a) is formed on the back surface of the substrate to have different thickness profile. The semiconductor layer is provided with the first compound semiconductor layer(53), an active layer(57) stacked on the first compound semiconductor layer, and the second compound semiconductor layer(55) stacked on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过控制荧光层的厚度来产生具有均匀轮廓的白光。 构成：发光二极管包括透明基板（51），形成在基板前表面上的半导体层和形成在基板背面上的荧光层（59）。 发光二极管还包括至少一个通孔（56a）。 通孔（56a）形成在基板的背面上以具有不同的厚度分布。 半导体层设置有第一化合物半导体层（53），堆叠在第一化合物半导体层上的有源层（57）和堆叠在有源层上的第二化合物半导体层（55）。
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公开(公告)号：KR100397608B1
公开(公告)日：2003-09-13
申请号：KR1020010004035
申请日：2001-01-29
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/32
Abstract: PURPOSE: A GaN III-V nitride semiconductor laser diode is provided, which reduces a processing time and increases a yield, together with an effective heat dissipation. CONSTITUTION: According to the semiconductor laser diode, a light emission is occurred in an active layer(60b), and the first and the second epi layer(52,64) induce a laser emission in the active layer by intervening the active layer. The first electrode(54) is contacted with the lowest epi layer of the first epi layer, and the second electrode(68) is contacted with the uppermost epi layer of the second epi layer restrictively. And a heat dissipation unit is formed for an effective heat dissipation in the lowest epi layer. The heat dissipation unit is a thermal conductive layer contacted with the lowest epi layer directly.
Abstract translation: 目的：提供氮化镓III-V氮化物半导体激光二极管，减少了处理时间，提高了良率，并且有效散热。 组成：根据半导体激光二极管，在有源层（60b）中发生发光，并且第一和第二外延层（52,64）通过插入有源层而在有源层中引起激光发射。 第一电极（54）与第一外延层的最低外延层接触，并且第二电极（68）限制性地与第二外延层的最上外延层接触。 并且在最低外延层中形成散热单元以有效散热。 散热单元是直接与最低外延层接触的导热层。
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公开(公告)号：KR1020020067323A
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1020010007846
申请日：2001-02-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/06203 , H01S5/0424 , H01S5/065 , H01S5/2231
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser diode for controlling width of a carrier inflow path is provided to control arbitrarily a laser mode by controlling the width of the carrier inflow path. CONSTITUTION: The first chemical compound semiconductor layer(52) is formed on a substrate(50). The first chemical compound semiconductor layer(52) is divided into the first region(R1) and the second region(R2). A stepped portion is formed between the first region(R1) and the second region(R2). The first electrode(54) is formed on the second region(R2). The first clad layer(58) and a resonator layer(60) are formed on the first region(R1). The resonator layer(60) is formed with the first wave guide layer(60a), an active layer(60b), and the second wave guide layer(60c). The second clad layer(62) and the second chemical compound semiconductor layer(64) are formed on the resonator layer(60). The second electrode(72) is formed on the second chemical compound semiconductor layer(64). The first carrier inflow width control portion(70) is formed on an extended portion of the second clad layer(62). The second clad layer(62) is covered by a protective layer(66).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制载流子流入路径宽度的半导体激光二极管，用于通过控制载流子流入路径的宽度来任意地控制激光模式。 构成：第一化合物半导体层（52）形成在基板（50）上。 第一化合物半导体层（52）被分成第一区域（R1）和第二区域（R2）。 在第一区域（R1）和第二区域（R2）之间形成阶梯部分。 第一电极（54）形成在第二区域（R2）上。 第一覆盖层（58）和谐振器层（60）形成在第一区域（R1）上。 谐振器层（60）形成有第一波导层（60a），有源层（60b）和第二波导层（60c）。 在谐振器层（60）上形成有第二覆盖层（62）和第二化合物半导体层（64）。 第二电极（72）形成在第二化合物半导体层（64）上。 第一载流子流入宽度控制部分（70）形成在第二覆盖层（62）的延伸部分上。 第二覆盖层（62）被保护层（66）覆盖。
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公开(公告)号：KR100887068B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020060073769
申请日：2006-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조방법이 개시된다. 개시된 발광 다이오드 모듈은 발광칩과; 상기 발광칩이 안착되는 내부 공간을 갖는 패키지 하우징과; 상기 발광칩에서 방출된 광을 상기 광의 파장보다 긴 파장의 광으로 변환시키는 형광물질들을 가지는 형광층;을 포함하며, 상기 형광층의 농도나 두께는 상기 형광층의 위치에 따라 다른 것을 특징으로 한다.
개시된 발광 다이오드 모듈의 제조방법은, 발광칩을 형성하는 단계와; 상기 발광칩이 안착될 내부공간을 갖는 패키지 하우징을 마련하는 단계와; 상기 발광칩을 상기 패키지 하우징의 내부에 안착시키는 단계와; 상기 패키지 하우징의 내부에 안착된 발광칩에서 방출되는 광의 방사패턴을 측정하는 단계와; 상기 방사패턴으로부터 형광층의 농도분포 또는 두께를 결정하는 단계와; 상기 발광칩의 상부에 형광층을 상기 결정된 농도분포 또는 두께로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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