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公开(公告)号：KR1020170046344A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020150146546
申请日：2015-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L22/32 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L27/0802 , H01L28/20
Abstract: 반도체장치및 이를포함하는반도체패키지가제공된다. 반도체장치및 이를포함하는반도체패키지는, 제1 반도체칩과전기적으로접속되는제1 단자, 제1 반도체칩과다른제2 반도체칩과전기적으로접속되는제2 단자, 제1 단자와제2 단자를전기적으로접속시키고, 제1 노드를포함하는제1 신호라인, 제1 반도체칩과제2 반도체칩 간에전송되는신호를모니터링하는테스터가접속되는제3 단자, 기준전압이인가되는제4 단자, 제3 단자와제4 단자를전기적으로접속시키고, 제2 노드를포함하는제2 신호라인, 제1 노드와제2 노드사이에접속되는제1 저항및 제2 노드에직접접속되고(directly connected), 제1 저항과다른제2 저항을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装。 半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装具有电连接到第一半导体芯片的第一端子，电连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片的第二端子，第一端子和第二端子， 连接用于监视在半导体芯片之间传送的信号的测试器的第三端子，被施加参考电压的第四端子，被施加第三电压的第三端子， 端子和第四端子，第二信号线，包括第二节点，连接在第一节点和第二节点之间的第一电阻器，以及直接连接到第二节点的第二电阻器， 1，
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公开(公告)号：KR101447917B1
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020080075618
申请日：2008-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 차지 펌핑 동작을 수행하는 반도체 장치가 개시된다. 상기 반도체 장치는 제 1 입력 신호, 제 2 입력 신호 및 초기 전압을 이용하여 상기 초기 전압보다 높은 승압 전압을 출력하는 제 1 및 제 2 펌핑부 및 상기 제 1 및 제 2 펌핑부를 제어하는 제어부를 구비할 수 있다. 상기 각각의 제 1 및 제 2 펌핑부는 초기화 동작 시에 승압 노드의 전압 레벨을 상기 초기 전압 레벨로 제어하는 초기화부, 상기 차지 펌핑 동작 시에 상기 제 1 입력 신호 또는 상기 제 2 입력 신호를 이용하여 상기 승압 노드의 전압 레벨을 상기 승압 전압 레벨로 승압하는 부스팅부 및 상기 승압 전압의 출력 여부를 제어하는 전송부를 구비할 수 있다. 상기 제어부는 상기 제 1 입력 신호와 상기 제 2 입력 신호가 동일한 논리 상태인 구간동안, 상기 승압 전압이 상기 전송부를 통하여 출력되지 않도록 제어하거나 상기 초기화부가 디스에이블되도록 제어할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140111897A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130026391
申请日：2013-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/66 , H01L2223/6677
Abstract: A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises an antenna element having a connection wiring with one end part of a gate pattern electrically connecting to an impurity diffusion region located inside a first active area of a semiconductor substrate; and a transistor having the other end part of the gate pattern arranged between a source region located inside a second active area of the semiconductor substrate and a drain region.
Abstract translation: 提供半导体器件。 半导体器件包括：天线元件，其具有与位于半导体衬底的第一有源区内的杂质扩散区电连接的栅极图案的一个端部的连接布线; 以及晶体管，其栅极图案的另一端部布置在位于半导体衬底的第二有源区域内的源极区域和漏极区域之间。
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公开(公告)号：KR1020130135626A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120059368
申请日：2012-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C17/08 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A memory device including a programmable anti-fuse cell array is provided. The memory device according to embodiments of the invention includes a plurality of word lines, a memory cell array including a plurality of anti-fuse memory cells connected between a plurality of bit lines and a plurality of high voltage lines, a column decoder outputting a plurality of bit line selection signals by decoding a bit line address of a target memory cell among the anti-fuse memory cells, a row decoder outputting a plurality of word line selection signals by decoding a word line address of the target memory cell, and a data sensor amplifier sensing and amplifying data of the target memory cell by being connected to the bit lines.
Abstract translation: 提供了包括可编程反熔丝单元阵列的存储器件。 根据本发明的实施例的存储器件包括多个字线，包括连接在多个位线和多条高压线之间的多个反熔丝存储单元的存储单元阵列，输出多个字线的列解码器 通过解码反熔丝存储单元中的目标存储单元的位线地址，通过对目标存储单元的字线地址进行解码而输出多个字线选择信号的行解码器，以及数据 传感器放大器通过连接到位线来感测和放大目标存储器单元的数据。
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公开(公告)号：KR1020130125616A
公开(公告)日：2013-11-19
申请号：KR1020120049274
申请日：2012-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L27/1052 , H01L27/10897 , H01L27/228 , H01L29/94
Abstract: A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device according to an embodiment of the present invention comprises a second conductive transistor formed on a first conductive well region; a first conductive transistor formed on a second conductive well region; and a first capacitor formed on at least one among the first conductive well region and the second conductive well region and disposed between a first conductive well guard ring and a second conductive well guard ring.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件。 根据本发明的实施例的半导体器件包括形成在第一导电阱区上的第二导电晶体管; 形成在第二导电阱区上的第一导电晶体管; 以及形成在所述第一导电阱区域和所述第二导电阱区域中的至少一个上并且设置在第一导电保护环和第二导电保护环之间的第一电容器。
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公开(公告)号：KR1020110099988A
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：KR1020100019035
申请日：2010-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C2207/002
Abstract: 본 발명은 비트라인 센스 앰프의 센싱 효율을 향상시키는 반도체 메모리 장치에 대하여 개시된다. 반도체 메모리 장치는, 복수개의 워드라인들과 복수개의 비트라인들의 교차점에 연결되는 복수개의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이 블락, 복수개의 비트라인들 중 반의 비트라인들과 각각 연결되고 비트라인과 상보 비트라인 사이의 전압 레벨을 감지 증폭하는 센스 앰프, 그리고 메모리 셀 어레이 블락의 반의 비트라인들과 연결되고 더미 부하 신호에 응답하여 메모리 셀 어레이 블락의 부하와 더미 블락의 부하를 서로 다르게 제어하는 더미 블락을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020090103567A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080029250
申请日：2008-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A CMOS charge pump is provided to increase the current delivery ability without voltage drop. CONSTITUTION: A CMOS charge pump comprises a pre-charge driving unit, a pre-charging unit, a booster, a delivery switch unit, and a bulk pumping unit. The pre-charge driving unit generates first and second pre-charge signals having first and second levels in response to first and second clock signals(clk1,clk2). The pre-charging unit pre-charges first and second nodes(N1,N2) up to the first level in response to the first and second pre-charge signals. The booster boosts the first node up to the second level in response to the third clock signal(clk3), and the second node up to the second level in response to the fourth clock signal(clk4).
Abstract translation: 目的：提供CMOS电荷泵，以提高电流输出能力，而不会出现电压降。 构成：CMOS电荷泵包括预充电驱动单元，预充电单元，升压器，输送开关单元和批量抽取单元。 预充电驱动单元响应于第一和第二时钟信号（clk1，clk2）产生具有第一和第二电平的第一和第二预充电信号。 预充电单元响应于第一和第二预充电信号而将第一和第二节点（N1，N2）预充电到第一电平。 响应于第三时钟信号（clk3），升压器将第一节点升高到第二电平，并且第二节点响应于第四时钟信号（clk4）升高到第二电平。
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